[发明专利]半导体的减薄处理方法在审
| 申请号： | 202010037685.2 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN113130315A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郭振新 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体的减薄处理方法，首先使半导体的背部浸泡硅腐蚀液进行腐蚀，然后，对腐蚀后的半导体进行去离子水冲洗，冲洗后再放入IPA溶剂中进一步清洗，清洗后再次用去离子水冲洗，接着，将半导体置于碱性溶液中，以中和半导体上残留的硅腐蚀液，最后，用去离子水冲洗半导体，并在冲洗后进行甩干和烘干，本发明实施例通过硅腐蚀液对半导体进行腐蚀，以去除半导体上的损伤层，从而消除半导体的内应力，进而提高半导体的使用性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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