[发明专利]一种氮化镓基异质结集成器件结构及制造方法有效
| 申请号： | 202010036647.5 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111211176B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 欧阳伟伦;梁安杰;罗文健 | 申请（专利权）人： | 香港商莫斯飞特半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 中国香港新界沙田火炭坳背*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基异质结集成器件结构的制造方法，包括：在硅片表面依次生长AIN成核层、GaN缓冲层、氮化镓沟道层、无掺杂势垒层和pGaN层；在所述pGaN层表面积淀光刻涂层，利用掩模版暴露出部分pGaN层表面并用注入硅离子；对注入的硅离子进行退火激活，将注入硅离子的pGaN层变为n型的GaN区域；积淀光刻涂层，利用掩模版对暴露出的pGaN层进行刻蚀，暴露出无掺杂势垒层，并形成接触孔；在所述接触孔中形成欧姆接触电极；形成栅极开孔，并在栅极开孔中形成栅极金属场板；在结构表面，形成源区金属垫层、漏区金属垫层、栅极金属垫层、GaN二极管的阳极金属垫层和阴极金属垫层、连线及终端区场板。本发明的氮化镓基异质结集成器件结构，起到保护原有器件的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基异质 结集 成器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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