[发明专利]单片光子集成器件整片制作结构有效

专利信息
申请号: 201911422971.4 申请日: 2019-12-31
公开(公告)号: CN111082311B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 黄永光;朱洪亮;王宝军;张瑞康 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01S5/026 分类号: H01S5/026;H01S5/223;H01S5/40
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 吴梦圆
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 本公开提供一种单片光子集成器件整片制作结构,其中包括多列相邻设置的集成器件单元组,每列集成器件单元组包括多个集成器件单元,每个集成器件单元包括两个光器件和刻蚀凹槽,所述两个光器件通过脊型波导串联;每列集成器件单元组中的集成器件单元与相邻列交错设置,使得在横向,一列集成器件单元的脊型波导与相邻列集成器件单元的刻蚀凹槽相对,或一列集成器件单元的刻蚀凹槽与相邻列集成器件单元的脊型波导相对。所述整片制作结构摒弃了传统的巴条解理、装架镀膜和再解理测试的繁杂步骤,实现了光子集成器件的整片镀膜和测试筛选,大大降低了光子集成器件的制作和测试成本;减少了集成器件单元的底面和端面反射光对在线测试数据的干扰。
搜索关键词: 单片 光子 集成 器件 制作 结构
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