[发明专利]形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202010015967.2 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111435816A | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 市川淳启;猪饲啓太 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H02M3/07 | 分类号： | H02M3/07;H02M1/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“形成半导体器件的方法”。在一个实施方案中，一种用于高侧驱动器的控制电路形成交替信号以控制存储模式和保持模式。该控制电路的实施方案存储大于输入电压的电压，这导致对于所述周期中的一个周期的至少一部分存储大量电荷。该电荷用对于所述周期中的另一周期的至少一部分向该驱动器供应操作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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