[发明专利]用于MRAM应用的结构的形成方法在审
| 申请号： | 201980081765.3 | 申请日： | 2019-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113196509A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 安在洙;曾信伟;薛林;马亨德拉·帕卡拉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开内容的实施方式提供了用于在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及设备，所述磁性隧道结(MTJ)结构可用于MRAM应用，特别是用于自旋轨道矩磁性随机存取存储器(SOT MRAM)应用。在一个实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：设置于基板上的磁性隧道结(MTJ)柱体结构，以及围绕MTJ柱体结构的间隙。在又另一实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：围绕经图案化的参考层及隧穿阻挡层的间隔层，所述隧穿阻挡层设置于经图案化的自由层上，以及围绕经图案化的自由层的间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 mram 应用 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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