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[发明专利]形成用于沉积磁隧道结的极平滑底电极表面的方法-CN201780063458.3有效
发明人：薛林;萨贾德·阿明·哈桑;马亨德拉·帕卡拉;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：提供一种工艺序列以提供用于在其上沉积磁隧道结的极平滑(0.2nm或更小)底电极表面。在一个实施方式中，此序列包括通过体层沉积接着图案化并蚀刻而形成底电极焊盘。氧化物接着沉积在形成的底电极焊盘上方且被向后抛光以暴露底电极焊盘。接在预清洁操作后，底电极缓冲层接着沉积在其上方。底电极缓冲层接着暴露于CMP工艺以改良表面粗糙度。接着在底电极缓冲层上方执行MTJ沉积。
形成用于沉积隧道平滑电极表面方法

[发明专利]磁性存储器装置及形成方法-CN202080013786.4在审
发明人：薛林;朴赞道;安在洙;曾信伟;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本公开内容的实施方案大体上涉及于一种存储器装置。更具体地，本文描述的实施方案大体上涉及SOT‑MRAM。SOT‑MRAM包括具有磁性储存层的存储器单元，该磁性储存层与SOT层并排设置并接触SOT层。并排的磁性储存层和SOT层可通过使流过SOT层的电流的方向反转来实现磁性储存层的切换，而无需任何附加条件。
磁性存储器装置形成方法

[发明专利]用于存储器应用的垂直晶体管制造-CN202080012010.0在审
发明人：安在洙;托马斯·权;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供用于形成具有准确的轮廓和针对制造三维(3D)堆叠存储器单元半导体装置的尺寸控制的阶梯状结构的设备和方法。在一个实施方式中，一种存储器单元装置包含：膜堆叠结构，所述膜堆叠结构包含：水平地形成在基板上的交替的成对的介电层和导电结构，形成在所述膜堆叠结构中的开口，其中所述开口被填充有通道层和中心填充层，和设置在所述导电结构与所述通道层之间的保护衬垫层。
用于存储器应用垂直晶体管制造

[发明专利]自旋轨道矩磁阻式随机存取存储器及其制造方法-CN201980088186.1在审
发明人：安在洙;朴赞道;曾信伟;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：在此公开的是一种改良的SOT‑MRAM装置及其制造方法。一种存储器装置包括第一结构，该第一结构包括磁隧道结堆叠和自旋轨道矩层。该自旋轨道矩层形成在该磁隧道结堆叠上。介电覆盖层形成在该自旋轨道矩层上面。金属层形成于该第一结构的顶部上。该金属层环绕该自旋轨道矩层和该介电覆盖层中的每一个。该金属层与该自旋轨道矩层的侧壁直接接触。
自旋轨道磁阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]用于MRAM应用的结构的形成方法-CN201980081765.3在审
发明人：安在洙;曾信伟;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及设备，所述磁性隧道结(MTJ)结构可用于MRAM应用，特别是用于自旋轨道矩磁性随机存取存储器(SOT MRAM)应用。在一个实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：设置于基板上的磁性隧道结(MTJ)柱体结构，以及围绕MTJ柱体结构的间隙。在又另一实施方式中，磁性隧道结(MTJ)装置结构包括：围绕经图案化的参考层及隧穿阻挡层的间隔层，所述隧穿阻挡层设置于经图案化的自由层上，以及围绕经图案化的自由层的间隙。
用于 mram 应用结构形成方法

[发明专利]用于形成用于MRAM应用的结构的方法-CN201980076331.4在审
发明人：曾信伟;朴赞道;安在洙;薛林;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于针对混合式(或称集成式)自旋轨道矩磁性自旋转移矩磁性随机存取存储器(SOT‑STT MRAM)应用在基板上制造磁性隧道结(MTJ)结构的方法及装置。在一个实施方式中，该方法包括：一个或多个磁性隧道结结构，设置在基板上，该磁性隧道结结构包括第一铁磁性层及第二铁磁性层，该第一铁磁性层及该第二铁磁性层将隧穿阻挡层夹在中间；自旋轨道矩(SOT)层，设置在该磁性隧道结结构上；及后端结构，设置在该自旋轨道矩(SOT)层上。
用于形成 mram 应用结构方法

[发明专利]形成磁隧道结的顶部接触的方法-CN201980060105.7在审
发明人：薛林;安在洙;曾信伟;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式关于用于制造在存储器装置中使用的结构的方法。更具体地，本公开内容的实施方式关于用于在存储器装置中制造MTJ结构的方法。在一个实施方式中，方法包括以下步骤：形成MTJ结构；在MTJ结构的顶部和侧部上沉积封装层；在封装层上沉积介电材料；通过化学机械平坦化(CMP)处理来移除设置在MTJ结构的顶部上的介电材料和封装层，以暴露MTJ结构的顶部；及在MTJ结构上沉积接触层。方法利用CMP处理而不利用蚀刻处理来暴露MTJ结构的顶部，这避免损坏MTJ结构并导致在MTJ结构与接触层之间的改善的电接触。
形成隧道顶部接触方法

[发明专利]磁性隧道结及其制造方法-CN201980040112.0在审
发明人：薛林;程志康;王晓东;汪荣军;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式关于用于磁性隧道结堆叠的制造的系统及方法。此制造可经由包括以下步骤中的一或多个的方法发生：(1)在种晶层的沉积之前，在缓冲层沉积在基板上之后加热该基板；(2)在结构阻挡层的沉积之前，在第二钉扎层的沉积之后冷却该基板；(3)在隧道势垒层的沉积期间加热该基板且接着在该隧道势垒层的沉积完成之后冷却该基板；(4)在磁性存储层沉积在该隧道势垒层上之后加热该基板；及(5)在沉积覆盖层的第一夹层之前，在该磁性存储层的沉积之后冷却该基板。
磁性隧道及其制造方法

[发明专利]磁性隧道结结构及其制造方法-CN201980030970.7在审
发明人：薛林;程志康;汪荣军;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本文讨论的磁性隧道结(MTJ)结构的实施方式采用了铬(Cr)、NiCr、NiFeCr、RuCr、IrCr或CoCr或前述的组合的一或多个层的种晶层。这些种晶层与一或多个钉扎层组合使用，与该种晶层接触的第一钉扎层可含有钴的单层，或可含有钴与钴及铂(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)或钯(Pd)的双层的组合。第二钉扎层可为与第一钉扎层相同的成分和配置，或与之不同的成分或配置。本文讨论的MTJ堆叠在高温退火后维持期望的磁特性。
磁性隧道结构及其制造方法

[发明专利]具有耦合钉扎层晶格匹配的磁性隧道结-CN201980033383.3在审
发明人：薛林;程志康;汪荣军;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本文讨论的磁性隧道结(MTJ)结构的实施方式采用第一钉扎层及第二钉扎层，且两者之间设置有合成反铁磁层。与种晶层接触的第一钉扎层可含有单独的铂或钯的单层，或者铂或钯的单层与钴和以下项的一或多个双层结合：铂(Pt)、镍(Ni)或钯(Pd)或前述的组合或前述的合金。第一钉扎层及第二钉扎层可具有不同的成分或构造，使得第一钉扎层具有比第二钉扎层更高的磁性材料含量，和/或比第二钉扎层更厚。本文讨论的MTJ堆叠在高温退火后维持了期望的磁性质。
具有耦合钉扎层晶格匹配磁性隧道

[发明专利]具有可调的高垂直磁各向异性的磁隧道结-CN201980020081.2在审
发明人：薛林;程志康;王晓东;马亨德拉·帕卡拉;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式提供了用于从设置在基板上的膜堆叠形成磁隧道结(MTJ)结构的方法，以用于磁随机存取存储器(MRAM)应用和相关联的MTJ器件。本文描述的方法包括从膜堆叠形成材料层的膜特性以产生具有足够高垂直磁各向异性(PMA)的膜堆叠。利用含铁氧化物覆盖层产生合乎需要的PMA。通过利用含铁氧化物覆盖层，可以更精细地控制覆盖层的厚度，并且减少了在磁性存储层和覆盖层的界面处对硼的依赖。
具有可调垂直各向异性隧道

[发明专利]适于高温热处理的磁性隧道结-CN201880036108.2在审
发明人：薛林;慈航·清;安在洙;马亨德拉·帕卡拉;汪荣军 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-05-17 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本文中的实施方式提供用于在基板上形成磁性隧道结(MTJ)结构的膜堆叠，包含：缓冲层；种晶层，设置在所述缓冲层上；第一钉扎层，设置在所述种晶层上；合成亚铁磁体(SyF)耦合层，设置在所述第一钉扎层上；第二钉扎层，设置在所述SyF耦合层上；结构阻挡层，设置在所述第二钉扎层上；磁性参考层，设置在所述结构阻挡层上；隧道势垒层，设置在所述磁性参考层上；磁性存储层，设置在所述隧道势垒层上；覆盖层，设置在所述磁性存储层上，其中所述覆盖层包含一个或多个层；和硬掩模，设置在所述覆盖层上，其中所述覆盖层、所述缓冲层和所述SyF耦合层的至少一个不由Ru制造。
钉扎层覆盖层缓冲层耦合层磁性存储层隧道势垒层参考层种晶层阻挡层磁性隧道结膜堆叠硬掩模基板亚铁合成制造

[发明专利]用于图案化磁性隧道结的硬掩模-CN201680029460.4在审
发明人：薛林;马亨德拉·帕卡拉;陈浩;安在洙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：本文提供装置结构及用于制造装置结构的方法。本文描述的磁性随机存取存储器(MRAM)装置可包括膜堆叠，所述膜堆叠包括磁性隧道结层、介电覆盖层、蚀刻终止层、导电硬掩模层、介电硬掩模层、旋涂式碳层和抗反射涂层。所述膜堆叠可以被一种或更多种选择的化学物质蚀刻，以实现改良的膜堆叠侧壁垂直度。可以利用本文描述的方法和装置来制造临界尺寸越来越均匀且越来越小的存储器单元。
用于图案磁性隧道硬掩模

[发明专利]具有用于自旋转移翻转的高自旋极化层的MTJ元件以及使用该磁性元件的自旋电子器件-CN200580048787.8无效
发明人：怀一鸣;马亨德拉·帕卡拉 -专利权人：弘世科技公司
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：揭露了一种提供磁性元件的方法及系统。所述方法及系统包括设置第一及第二被钉扎层、自由层及分别位于所述第一及第二被钉扎层与所述自由层之间的第一及第二势垒层。所述第一势垒层为绝缘的结晶MgO且形成为容许隧穿通过所述第一势垒层。此外，所述第一势垒层具有与另一层交界的界面，所述另一层诸如所述自由层或所述第一被钉扎层。所述界面具有提供至少50％的高自旋极化的结构。所述第二势垒层为绝缘的且形成为容许隧穿通过所述第二势垒层。所述磁性元件形成为当写电流经过所述磁性元件时，容许该自由层可因自旋转移而被翻转。
具有用于自旋转移翻转极化 mtj 元件以及使用磁性电子器件

[发明专利]提供高度织构的磁阻元件和磁性存储器的方法和系统-CN200580041791.1无效
发明人： 马亨德拉·帕卡拉;泰瑞·瓦勒特;怀一鸣;刁治涛 -专利权人：弘世科技公司
申请日： 2005-12-06 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：揭示了一种提供磁性元件的方法和系统。所述方法和系统包括提供被钉扎层，自由层以及被钉扎层和自由层之间的间隔层。所述间隔层是绝缘的，并具有规则的晶体结构。所述间隔层也设置成允许隧穿所述间隔层。一方面，对于所述间隔层，所述自由层由具有相对间隔层的特定晶体结构和织构的单一磁性层构成。另一方面，所述自由层由两个次层构成，所述第一次层具有相对所述间隔层的特定晶体结构和织构，并且所述第二次层具有低磁矩。在又一个方面，所述方法和系统也包括提供第二被钉扎层和第二非磁性的位于所述自由层和所述第二被钉扎层之间的间隔层。所述磁性元件设置成当写电流通过所述磁性元件时，允许由于自旋转移而转换自由层。
提供高度磁阻元件磁性存储器方法系统

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