[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置有效
| 申请号： | 201980005922.2 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN111386603B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 丸山力宏;宫越仁隆 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/48;H01L23/498;H01L25/07;H01L25/18;H01R4/60 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具备对接触部件的拉伸载荷增大的连接端子。在半导体装置的制造方法中，准备具备圆筒状的贯通孔(17b)的接触部件(17)以及呈柱状且相对于长度方向的截面为多边形且截面的对角长度比贯通孔(17b)的内径长的连接端子(19)。然后，在连接端子(19)的角部分别形成具有与贯通孔(17b)的内表面对应的曲率的倒角部(19a2)，向接触部件(17)的贯通孔(17b)压入连接端子(19)。由此，压入到接触部件(17)的连接端子(19)与接触部件(17)的贯通孔(17b)的内周面的接触面积增加。由此，连接端子(19)对接触部件(17)的拉伸载荷增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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