[实用新型]一种超低功耗半导体功率器件有效
申请号: | 201921803908.0 | 申请日: | 2019-10-25 |
公开(公告)号: | CN210325779U | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 江俊 | 申请(专利权)人: | 常州顺烨电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/367;H01L23/467;H01L23/427 |
代理公司: | 南通毅帆知识产权代理事务所(普通合伙) 32386 | 代理人: | 韩冬 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种超低功耗半导体功率器件,包括半导体功率器件本体,半导体功率器件本体的两侧表面均固定连接有引脚,多个引脚的一端固定连接有焊接脚,多个焊接脚的表面开设有焊接孔,半导体功率器件本体的表面固定连接有限位散热块,限位散热块的表面与半导体功率器件本体的表面相互平行。该超低功耗半导体功率器件,通过设置半导体功率器件本体的表面固定连接有限位散热块,限位散热块的表面与半导体功率器件的表面相互平行,限位散热块的内部设置有散热装置,散热装置包括有散热管,能够快速的散去焊接引脚所产生的热量以及半导体功率器件本体工作所产生的热量,进一步加强了半导体功率器件本体的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 功耗 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】:
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