[实用新型]一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构有效
| 申请号： | 201920301296.9 | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN209747543U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 方志来;吴征远;田朋飞;闫春辉;张国旗 | 申请（专利权）人： | 深圳第三代半导体研究院 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00;H01S5/343;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 11226 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李明<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 518051 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构，该结构可避免应力释放形成高密度穿透缺陷、铟团聚、相分离，增强有源区内载流子隧穿，增加电子与空穴空间交叠，并改变载流子密度分布，有效提高辐射复合效率，改善现有黄绿光LED发光效率较低的问题，增强探测器与太阳能电池光生载流子分离能力。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 半导体材料 辐射复合效率 本实用新型 超薄层结构 光生载流子 载流子隧穿 太阳能电池 分离能力 空穴空间 密度分布 应力释放 半极性 黄绿光 相分离 铟镓氮 探测器 二维 交叠 穿透 团聚 | ||
【主权项】：
1.一种高质量半极性铟镓氮二维超薄层结构，其特征在于，包括：/n衬底，/n半极性氮化镓薄膜模板，/n以及二维超薄铟镓氮/氮化镓有源层；/n所述半极性氮化镓薄膜模板采用非对称岛斜面生长方法获得；/n所述二维超薄铟镓氮/氮化镓有源层的结构包括：/n铟镓氮层InxGa1-xN，铟镓氮层厚0.2nm～2.0nm，其中0<x<1；/n作为铟镓氮保护层的氮化镓薄层，氮化镓薄层厚0.2nm～1.0nm；/n氮化镓垒层，氮化镓垒层厚0.5nm～15.0nm。/n
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