[实用新型]一种双沟道的TFT结构有效
| 申请号： | 201920444455.0 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN209880623U | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 35214 福州市博深专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 林志峥 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种双沟道的TFT结构，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；TFT的第一栅极设置在所述第一金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第二金属层中，TFT的第二栅极设置在所述第三金属层中。本实用新型提供的一种双沟道的TFT结构，能够提高TFT的源极与漏极之间的电流。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 本实用新型 第二金属层 第一金属层 金属层 双沟道 漏极 源极 半导体层 玻璃基板 依次层叠 | ||
【主权项】：
1.一种双沟道的TFT结构，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；TFT的第一栅极设置在所述第一金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第二金属层中，TFT的第二栅极设置在所述第三金属层中。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建华佳彩有限公司，未经福建华佳彩有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920444455.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种柔性显示装置
- 下一篇：一种太阳能电池减反射膜结构
- 同类专利
- 专利分类
