[实用新型]一种双沟道的TFT结构

权利要求书

1.一种双沟道的TFT结构，其特征在于，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；TFT的第一栅极设置在所述第一金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第二金属层中，TFT的第二栅极设置在所述第三金属层中。

2.根据权利要求1所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，还包括蚀刻阻挡层；

所述半导体层和第二金属层分别嵌入设置在所述蚀刻阻挡层中，所述蚀刻阻挡层下表面与所述第一绝缘层上表面连接，所述蚀刻阻挡层上表面与所述第二绝缘层下表面连接。

3.根据权利要求2所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，所述第二金属层上表面的中间位置设有第一通孔，所述第一通孔将第二金属层分隔成第一子金属层和第二子金属层；

所述第一通孔内设有第二半导体层，所述第二半导体层左侧与所述第一子金属层连接，所述第二半导体层右侧与所述第二子金属层连接。

4.根据权利要求3所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，所述TFT的源极设置在第一子金属层中，所述TFT的漏极设置在第二子金属层中；或者，所述TFT的漏极设置在第一子金属层中，所述TFT的源极设置在第二子金属层中。

5.根据权利要求3所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，所述第一子金属层靠近第二子金属层的一侧具有向下延伸的第一凸台，所述第二子金属层靠近第一子金属层的一侧具有向下延伸的第二凸台，所述第一凸台的下表面和第二凸台的下表面分别与第一半导体层的上表面连接。

6.根据权利要求3所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，所述第一子金属层上表面和第二子金属层上表面均与蚀刻阻挡层上表面平齐。

7.根据权利要求3所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，所述第一半导体层下表面与蚀刻阻挡层下表面平齐。

8.根据权利要求3所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，所述第二金属层位于所述第一通孔的正上方，且所述第一通孔在水平面的投影区域位于所述第二金属层在水平面的投影区域内。

9.根据权利要求3所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，所述第一绝缘层下表面设有向上延伸的第一槽；所述第一金属层设置于所述第一槽内，且位于所述第一通孔的正下方；所述第一绝缘层下表面和第一金属层下表面分别与所述玻璃基板上表面连接。

10.根据权利要求1所述的一种双沟道的TFT结构，其特征在于，还包括栅极驱动线、源极驱动线和漏极驱动线；所述栅极驱动线分别与所述第一栅极和第二栅极连接；所述源极驱动线与所述源极连接，所述漏极驱动线与所述漏极连接。