[实用新型]一种双沟道的TFT结构

说明书

本实用新型公开了一种双沟道的TFT结构，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；TFT的第一栅极设置在所述第一金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第二金属层中，TFT的第二栅极设置在所述第三金属层中。本实用新型提供的一种双沟道的TFT结构，能够提高TFT的源极与漏极之间的电流。

技术领域

本实用新型涉及TFT技术领域，特别涉及一种双沟道的TFT结构。

背景技术

IGZO是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得超高分辨率在TFT-LCD中成为可能，其一般作为TFT中的半导体层。另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，IGZO显示器具有更高的能效水平，而且效率更高。IGZO可以利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。

相对LTPS，IGZO也存在一定的不足，尤其是目前IGZO的迁移率要低于LTPS，所以要达到所需的电流，往往需要较大的TFT size，对于窄边框面板设计来说，这是一个非常不利的方面。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种双沟道的TFT结构，能够提高TFT的源极与漏极之间的电流。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：

一种双沟道的TFT结构，包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；TFT的第一栅极设置在所述第一金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第二金属层中，TFT的第二栅极设置在所述第三金属层中。

本实用新型的有益效果在于：

相对于现有技术的TFT结构中，只有一个栅极、一个源极和一个漏极，其源极与漏极之间的电流相对较小，并不能满足特定情况下的需求，本实用新型的TFT结构包括自下而上依次层叠设置的玻璃基板、第一金属层、第一绝缘层、第一半导体层、第二金属层、第二绝缘层和第三金属层；TFT的第一栅极设置在所述第一金属层中，TFT的源极和TFT的漏极分别设置在所述第二金属层中，TFT的第二栅极设置在所述第三金属层中，即本实用新型的第一栅极、源极和漏极可组成一N沟道TFT结构，第二栅极、源极和漏极可组成另一N沟道TFT结构，形成了双沟道TFT结构，当第一栅极和第二栅极同时处于高电平状态时，两个沟道的TFT结构均导通，由于第一栅极和第二栅极共同一组源极和漏极结构，同时导通时，可使SD(源极与漏极)之间的电流增大一倍，即提高了双沟道TFT结构的迁移率，本实用新型虽然增加了一个栅极结构，但其体积并未增大一倍，而电流增大了一倍，故在满足电流需求的前提下，可使TFT的整体尺寸减小。

附图说明

图1为本实用新型实施例的一种双沟道的TFT结构的示意图；

标号说明：

1、玻璃基板；2、第一金属层；3、第一绝缘层；4、第一半导体层；5、第二金属层；6、第二绝缘层；7、第三金属层；8、蚀刻阻挡层；9、第一通孔；10、第一子金属层；11、第二子金属层；12、第二半导体层；13、第一凸台；14、第二凸台；15、第一氮化硅层。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。