[实用新型]一种电磁辐射屏蔽结构有效
| 申请号： | 201721494150.8 | 申请日： | 2017-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN208159118U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 王超;白永林;王屹山;赵卫;田进寿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;B32B15/085;B32B27/20;B32B15/04;B32B17/06;B32B33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型提出一种电磁辐射屏蔽结构，能够实现对外来电磁辐射的宽频带、高效率屏蔽。该电磁辐射屏蔽结构包括自下向上依次设置的支撑层、金属层以及纳米复合层；金属层的厚度大于待屏蔽电磁辐射的穿透深度，金属层的厚度大于或等于基底的厚度；纳米复合层的主体为基底，其中填充有金属纳米颗粒，金属纳米颗粒的体填充因子在5～30％范围，金属层和纳米复合层的厚度以及材料配置满足电磁辐射在微结构中的等离激元自约束效应。本实用新型的这种叠层式纳米结构，通过电磁辐射在微结构中的等离激元自约束效应，可实现对外来电磁辐射的宽频带、高效率屏蔽。 | ||
| 搜索关键词： | 电磁辐射 金属层 电磁辐射屏蔽 纳米复合层 屏蔽 金属纳米颗粒 本实用新型 等离激元 高效率 宽频带 微结构 自约束 基底 材料配置 纳米结构 填充因子 依次设置 支撑层 叠层 填充 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种电磁辐射屏蔽结构，其特征在于：包括自下向上依次设置的支撑层(1)、金属层(2)以及纳米复合层；所述金属层的厚度大于待屏蔽电磁辐射的穿透深度，金属层(2)的厚度大于或等于基底(3)的厚度；所述纳米复合层的主体为基底(3)，其中填充有金属纳米颗粒(4)，金属层和纳米复合层的厚度以及材料配置和金属纳米颗粒的体填充属性满足电磁辐射在微结构中的等离激元自约束效应。
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