[实用新型]一种白光发光二极管外延结构有效
申请号: | 201920979413.7 | 申请日: | 2019-06-26 |
公开(公告)号: | CN209981262U | 公开(公告)日: | 2020-01-21 |
发明(设计)人: | 农明涛;庄家铭;贺卫群;祝邦瑞;郭嘉杰 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/12 | 分类号: | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/14 |
代理公司: | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡枫;李素兰 |
地址: | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本实用新型公开了一种白光发光二极管外延结构,所述外延结构包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层,所述有源层包括若干个周期的量子阱结构,所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层,所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。本实用新型外延结构自身可发出白光,不需要添加荧光粉。此外,本实用新型外延结构制作而成的LED芯片的响应时间快、使用寿命时间长。 | ||
搜索关键词: | 外延结构 本实用新型 量子阱结构 源层 荧光粉 白光发光二极管 黄光量子阱 蓝光量子阱 应力释放层 量子垒层 驱动电流 使用寿命 依次设置 缓冲层 阻挡层 白光 衬底 黄光 蓝光 预设 激发 响应 制作 | ||
【主权项】:
1.一种白光发光二极管外延结构,包括依次设置的衬底、缓冲层、N型GaN层、应力释放层、有源层、阻挡层和P型GaN层,其特征在于,所述有源层包括若干个周期的量子阱结构,所述量子阱结构包括若干个蓝光量子阱层、若干个黄光量子阱层和一个GaN量子垒层,所述外延结构在预设驱动电流下激发出黄光和蓝光。/n
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