[发明专利]一种NAND闪存的形成方法及NAND闪存在审
| 申请号： | 201911351590.1 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113035698A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 韩亮;王海英 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/11524;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种NAND闪存的形成方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底上具有浮栅氧化材料层、位于浮栅氧化材料层上的浮栅材料层；形成贯穿浮栅材料层、浮栅氧化材料层和部分半导体衬底的沟槽，且使浮栅材料层形成浮栅层,使浮栅氧化材料层形成浮栅氧化层；在沟槽内壁形成保护层，保护层覆盖半导体衬底和浮栅膜且暴露出浮栅氧化膜；横向刻蚀部分所述浮栅氧化膜，以暴露出浮栅膜朝向沟槽的底部边角以及暴露出半导体衬底朝向沟槽的顶部边角；横向刻蚀部分所述浮栅氧化膜之后，对暴露出的浮栅膜朝的底部边角以及暴露出的半导体衬底的顶部边角进行圆滑处理，以提高NAND闪存的性能。本发明还提供了一种性能更好的NAND闪存。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 闪存 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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