[发明专利]硅基应力协变衬底及制备方法、氮化镓LED及制备方法在审
| 申请号： | 201911345375.0 | 申请日： | 2019-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110931607A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 魏洁;魏鸿源;陈怀浩;杨少延;杨瑞;李成明;李辉杰;刘祥林;汪连山 | 申请（专利权）人： | 南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/20;H01L33/32;H01L33/40;H01L33/42 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 常虹 |
| 地址： | 211164 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基应力协变衬底及其制备方法，以及应用该硅基应力协变衬底的垂直结构氮化镓LED及其制备方法；其中硅基应力协变衬底包括：一双面抛光硅单晶基底；一薄氮化锆导电反光应力协变层，形成在所述双面抛光硅单晶基底上，所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度为50nm～350nm；一薄氮化镓单晶薄膜模板层，形成在所述薄氮化锆导电反光应力协变层上，所述薄氮化镓单晶薄膜模板层的厚度不小于所述薄氮化锆导电反光应力协变层的厚度。该硅基应力协变衬底能够在GaN材料和LED器件的高质量制备生长时克服和缓解大失配应力问题。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 衬底 制备 方法 氮化 led | ||
【主权项】：
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