[发明专利]一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法在审
| 申请号： | 201911323677.8 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN111106531A | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 王艳;徐鹏霄;王东辰;唐光华;顾晓文;周奉杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 孙昱 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法，包括：对衬底进行表面清洁及热处理，衬底为SOI材料；涂覆电子束抗蚀剂UV135，电子束曝光写标记；蒸发Ti/Pt合金，金属剥离；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行纳米级弯曲切趾光栅浅刻蚀图形的电子束曝光；顶层硅ICP浅刻蚀；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行深刻蚀图形的套刻与电子束曝光；顶层硅ICP深刻蚀；电子束光刻邻近效应校正。该方法可制作纳米级密集弯曲切趾光栅线条，具有易于控制、精度高、灵活性大的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 弯曲 光栅 制备 方法 | ||
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- 本实用新型提供一种高性能DFB激光器外延结构，InP衬底上从下至上依次沉积有N‑InP缓冲层，N‑AlInAs限制层、非掺杂AlGaInAs下波导层、非掺杂AlGaInAs量子阱、非掺杂AlGaInAs上波导层、非掺杂P型掺杂的AlInAs限制层、非掺杂P‑InP过渡层、非掺杂InGaAsP光栅层、非掺杂InP联接层、非掺杂第一InGaAsP势垒渐变层、非掺杂第二InGaAsP势垒过渡层及非掺杂InGaAs欧姆接触层，非掺杂P‑InP过渡层中插入第一非掺杂InGaAsP异质结超晶格层和第二非掺杂InGaAsP异质结超晶格层。该DFB激光器外延结构调制速率大，温度特性好，可靠性好。
- 基于BOB盲调技术的DFB激光器APC抗噪方法-201810934110.3
- 王旭东;朱永;唐兴刚;何欣锐;姚东 - 四川天邑康和通信股份有限公司
- 2018-08-15 - 2020-06-16 - H01S5/12
- 基于BOB盲调技术的DFB激光器APC抗噪方法，包括步骤：写入寄存器初始值；比较P0值与设定值大小，判断光功率值是否在正常值范围，若是，则调试完成，若否，则判断光功率值偏大或偏小，若偏大，则减小调制电流若偏小，则增大调制电流；判断DAC是否为零;增大调制电流值，反向搜索光功率值，并比较最大功率值与设定值大小，判断最大光功率值是否偏大;判断平均光功率是否在正常值范围，若是则调试完成，输出DAC值与光功率值。克服温度变化或者激光器老化所引起的阈值变化，保持激光器的平均光功率不变；解决板级噪声引起的光功率调试失败问题，提高了生产效率和良率降低了生产成本。
- 一种新型窄线宽DFB激光器-201921299296.6
- 张明洋;邹易;王任凡 - 武汉敏芯半导体股份有限公司
- 2019-08-12 - 2020-06-12 - H01S5/12
- 本实用新型公开了一种新型窄线宽DFB激光器，包含分布式反馈激光器和无源波导，两者之间设有空气隔离区。当在分布式反馈激光器端加上正向电压后激射出来的一部分光通过空气隔离区进入无源波导层，通过增加有效腔长来增加光子的寿命。本实用新型还通过单片集成的方式使得分布式反馈激光器波导与无源区波导可以实现精密对准，不需要外部额外的透镜来进行耦合。
- 一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法-201710951488.X
- 陈泳屹;贾鹏;秦莉;宁永强;王立军 - 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
- 2017-10-13 - 2020-06-09 - H01S5/12
- 本申请提供一种增益耦合分布反馈半导体激光器及其制作方法，所述制作方法通过对P面载流子浓度分布进行周期性调控，比如通过载流子注入制备周期性导电区域，或者通过刻蚀、氧化等手段周期性的去掉原本高导电层的部分结构形成周期性导电区域；由于载流子浓度控制方式不会对光波导造成损坏，从而避免引入应力、氧化等光波导的性质改变。而且，采用载流子浓度控制，在特定区域内形成高浓度载流子，在不需要的区域内没有载流子注入，这样对整条光波导而言载流子引入的损耗降到了最低，尤其是有后端集成设备的时候，低损耗可以保证激光器的能量沿着光波导高效注入到后端集成设备中，提高了能量利用效率。
- 一种高功率半导体芯片及其制备方法-201910395812.3
- 谭少阳;王俊;徐红;闵大勇 - 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司;苏州长光华芯光电技术有限公司
- 2019-05-13 - 2020-06-02 - H01S5/12
- 本发明公开了一种高功率半导体芯片及其制备方法，该半导体芯片包括：自下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、侧向光栅层、上限制层、接触层、电流隔离介质层以及金属层；其中，侧向光栅层包括多组侧向光栅，多组侧向光栅沿第一方向依次设置，多组侧向光栅的周期各不相同，每组侧向光栅包括多条光栅，多条光栅沿第二方向排布，第一方向与第二方向相交。通过在波导内设置侧向光栅层，提高了高阶光侧向模式在波导内的传播损耗，达到了抑制高阶光侧向模式激射的目的；设置多组周期不同的光栅，抑制了由于单一光栅增益调制和折射率调制引起的强度振荡光模式的激射，达到抑制侧向光强度周期振荡的作用，消除远场双峰。
- 一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法-201911323677.8
- 王艳;徐鹏霄;王东辰;唐光华;顾晓文;周奉杰 - 中国电子科技集团公司第五十五研究所
- 2019-12-20 - 2020-05-05 - H01S5/12
- 本发明公开了一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法，包括：对衬底进行表面清洁及热处理，衬底为SOI材料；涂覆电子束抗蚀剂UV135，电子束曝光写标记；蒸发Ti/Pt合金，金属剥离；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行纳米级弯曲切趾光栅浅刻蚀图形的电子束曝光；顶层硅ICP浅刻蚀；涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A，进行深刻蚀图形的套刻与电子束曝光；顶层硅ICP深刻蚀；电子束光刻邻近效应校正。该方法可制作纳米级密集弯曲切趾光栅线条，具有易于控制、精度高、灵活性大的特点。
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