[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法

摘要

一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，在栅极绝缘层上依次连续沉积一层结晶态金属氧化物半导体薄膜和一层非晶态金属氧化物半导体薄膜；在非晶态金属氧化物半导体薄膜上沉积形成由铜电极材料制成的源漏极金属材料层；利用半色调光罩形成光阻层，所形成的光阻层包括源/漏极光阻图形区域和有源层光阻图形区域；同时蚀刻源漏极金属材料层和非晶态金属氧化物半导体薄膜以形成源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层；对结晶态金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻以形成结晶态金属氧化物半导体层；对光阻层进一步图案化以去除有源层光阻图形区域的光阻材料；对源漏极金属层和非晶态金属氧化物半导体层进行蚀刻以形成源极、漏极以及沟道。