[发明专利]金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板及制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括：

在衬底基板(10)上制作栅极(20)和栅极绝缘层(21)；

在该栅极绝缘层(21)上依次连续沉积一层结晶态金属氧化物半导体薄膜(221′)和一层非晶态金属氧化物半导体薄膜(222′)；

在该非晶态金属氧化物半导体薄膜(222′)上沉积形成由铜电极材料制成的源漏极金属材料层(23′)；

利用半色调光罩形成光阻层(24)，所形成的光阻层(24)包括源/漏极光阻图形区域(A1)和有源层光阻图形区域(A2)；

使用弱酸性H₂O₂系铜蚀刻药液同时蚀刻该源漏极金属材料层(23′)和该非晶态金属氧化物半导体薄膜(222′)以形成源漏极金属层(23)和非晶态金属氧化物半导体层(222)；

对该结晶态金属氧化物半导体薄膜(221′)进行蚀刻以形成结晶态金属氧化物半导体层(221)；

对该光阻层(24)进一步图案化以去除该有源层光阻图形区域(A2)的光阻材料；

对该源漏极金属层(23)和该非晶态金属氧化物半导体层(222)进行蚀刻以形成源极(231)、漏极(232)以及沟道(222a)；

以及剥离该光阻层(24)。

2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，沉积一层该结晶态金属氧化物半导体薄膜(221′)和一层该非晶态金属氧化物半导体薄膜(222′)的方法包括：使用装载金属氧化物靶材的溅射机台在一次真空过程中，通过改变溅射制程参数，先后连续沉积该结晶态金属氧化物半导体薄膜(221′)和该非晶态金属氧化物半导体薄膜(222′)。

3.根据权利要求2所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在该结晶态金属氧化物半导体薄膜(221′)和该非晶态金属氧化物半导体薄膜(222′)沉积后，还包括高温退火制程，其中退火温度为100～500℃，退火时间为10～300分钟。

4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该源漏极金属材料层(23′)的膜层厚度为10～1000nm。

5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，对该源漏极金属层(23)和该非晶态金属氧化物半导体层(222)进行蚀刻使用的蚀刻液为弱酸性H₂O₂系铜蚀刻药液。

6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所形成的该非晶态金属氧化物半导体层(222)的边缘相较该源漏极金属层(23)的边缘凸出第一拖尾长度(L1)。

7.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该第一拖尾长度(L1)为0.1～1.5μm。

8.根据权利要求6所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，对该结晶态金属氧化物半导体薄膜(221′)进行蚀刻以形成该结晶态金属氧化物半导体层(221)包括：通过添加铜腐蚀抑制剂/缓冲剂，通过其与铜离子发生络合反应，在该源漏极金属层(23)的表面形成吸附膜。

9.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括形成钝化层(25)和像素电极(26)。

10.一种金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板，包括多条扫描线(201)和多条数据线(233)、以及由该多条扫描线(201)与该多条数据线(233)绝缘交叉限定形成呈阵列排布的多个像素单元，每个像素单元内设有公共电极、像素电极(26)和薄膜晶体管，该像素电极(26)通过该薄膜晶体管与临近该薄膜晶体管的扫描线(201)和数据线(233)连接，其特征在于，该金属氧化物半导体薄膜晶体管阵列基板采用如权利要求1至9任一项所述的制作方法制作而成，该薄膜晶体管包括栅极(20)、金属氧化物半导体层(22)、源极(231)及漏极(232)；其中，该金属氧化物半导体层(22)包括结晶态金属氧化物半导体层(221)和非晶态金属氧化物半导体层(222)，该非晶态金属氧化物半导体层(222)位于该结晶态金属氧化物半导体层(221)的上方并形成有沟道(222a)，部分该结晶态金属氧化物半导体层(221)从该源极(231)和该漏极(232)之间的沟道(222a)露出。