专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]正式钙钛矿/量子点两端叠层太阳能电池及制备方法-CN202211119572.2在审
  • 宋海胜;李明宇;赵鑫昭 - 华中科技大学
  • 2022-09-14 - 2022-12-09 - H01L51/42
  • 本发明属太阳能光伏制备领域,具体涉及正式钙钛矿/量子点两端叠层太阳能电池及制备方法,该电池结构依次分别为导电玻璃、第一电子抽取层、钙钛矿吸光层、第一空穴抽取层、致密隧穿层、量子点吸光层、第二空穴抽取层和对电极;其中,隧穿层可保护钙钛矿和高效复合的同时具备传输电子的功能,简化工艺的同时提升效率;并提出通过溶剂正交转变,新引入无机PbS量子点作为叠层的空穴传输层,解决了空穴层溶剂与钙钛矿子电池不兼容的问题。本发明通过隧穿层结构的设计替代了原有的隧穿层加电子传输层结构;并通过溶剂转变解决钙钛矿/量子点两端叠层体系缺乏第二空穴传输层的难题。大大提高叠层电池的效率和稳定性,具备实现1+11的潜力。
  • 正式钙钛矿量子两端太阳能电池制备方法
  • [发明专利]一种带有光子器件结构的薄膜的制备方法及其应用-CN202210385710.5在审
  • 唐江;杜海南;刘嘉蕙;高亮;宋海胜;宋博翔 - 华中科技大学
  • 2022-04-13 - 2022-07-22 - G02B6/136
  • 本申请公开了一种带有光子器件结构的薄膜的制备方法,将聚酰亚胺薄膜固定在可空间位移的平台上,将超快激光聚焦到所述聚酰亚胺薄膜的内部刻蚀即可获得所述带有光子器件结构的薄膜。该制备方法具有加工工艺简单,容易实现与现有工艺的兼容,可实现大面积、高复杂程度的光电集成器件的制作;通过调控超快激光加工的结构,可以直接在聚合物内部直写出芯层,简化了制备工艺。采用本申请公开的制备方法所获得的薄膜,折射率可以在较大范围内精确调节,能够满足不同应用需求,双折射效果小,光学损耗低;并能够在生产过程中对光波导材料纪念性掺杂或从分子水平上进行改性,使其具备增益和光电效应,实现光波导器件的功能化。
  • 一种带有光子器件结构薄膜制备方法及其应用
  • [发明专利]一种量子点红外探测器及其制备方法-CN202111496194.5在审
  • 宋海胜;吕逸飞;杨霁 - 华中科技大学
  • 2021-12-09 - 2022-03-22 - H01L51/42
  • 本发明公开了一种量子点红外探测器及其制备方法,属于半导体红外探测材料技术领域。该红外探测器自下而上依次包括:底电极、电子传输层、量子点吸光层、空穴传输层和顶电极,所述电子传输层为铋基硫属化合物薄膜,所述铋基硫属化合物薄膜、量子点吸光层及空穴传输层形成N‑I‑P型异质结。本发明的量子点红外探测器弥补了探测截止波长≥2um的量子点红外探测器没有合适电子传输层的问题,并且制备的红外探测器结构简单,其性能高效、可重复性强、设备要求简单。
  • 一种量子红外探测器及其制备方法
  • [实用新型]一种可修复式试验跨线装置-CN202120027257.1有效
  • 宋海胜;侯兴民;张国连;毛炜;汪国清;杨虓勇;陈思渊;王昕;赵倩影;华玉婷 - 浙江大有实业有限公司电缆工程分公司
  • 2021-01-06 - 2021-10-19 - G01R31/12
  • 本实用新型公开了一种可修复式试验跨线装置,包括固定架、电场应力控制单元、绝缘管、导杆;电场应力控制单元与固定架连接;两根绝缘管分别连接在电场应力控制单元的两侧并相互连通,内部填充绝缘气体,绝缘管的端部连接有连接杆,连接杆设有连接头,两个连接头分别与窄门或窄窗的墙体两侧的高压引线连接;导杆由导杆A和导杆B对接组成,对应穿过电场应力控制单元两侧的两根绝缘管,其中对接端位于电场应力控制单元内腔内,导杆A和导杆B的另一端对应与两根连接杆连接。本实用新型避免高压引线直接穿过窄门窄窗,能够解决试验时高压引线无法直接穿过窄门窄窗,使得试验更方便,同时也有效的提高了工作效率。
  • 一种修复试验线装
  • [发明专利]一种异质结、其制备方法和应用-CN201910436565.7有效
  • 宋海胜;侯腾轩;邓辉;张欢 - 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
  • 2019-05-23 - 2021-02-26 - H01L31/0236
  • 本发明属于半导体薄膜材料和太阳能电池技术领域,具体地,涉及一种异质结、其制备方法和应用,尤其涉及一种包含以[hk1]取向外延生长的硫化锑薄膜的异质结、其制备方法和应用。其包括衬底以及在该衬底表面外延生长的硫化锑薄膜,衬底与硫化锑薄膜形成异质结结构;该硫化锑薄膜与衬底材料晶面相匹配;所述硫化锑薄膜以分子链斜立的方式生长在衬底表面;所述硫化锑薄膜的生长取向以[hk1]为主,其中h和k为整数;所述硫化锑薄膜的表面具有陷光效应。以[hk1]取向外延生长的硫化锑薄膜作为太阳能电池的光吸收层,衬底薄膜作为太阳能电池的电子传输层,由此解决现有的以硫化锑薄膜作为光吸收层的太阳能电池光电转换效率低的技术问题。
  • 一种异质结制备方法应用
  • [发明专利]一种取向可控的准一维结构材料的薄膜制备方法-CN201911149346.7有效
  • 宋海胜;张欢;陈世武 - 华中科技大学;深圳华中科技大学研究院
  • 2019-11-21 - 2021-02-26 - C23C14/24
  • 本发明公开了一种取向可控的准一维结构材料的薄膜制备方法,该方法基于立式蒸发管式炉,具体包括以下步骤:(1)将蒸发源材料及待沉积的基底放置在所述立式蒸发管式炉中;(2)抽真空处理,使所述立式蒸发管式炉的真空度保持在预设真空度附近波动不超过±1Pa;(3)加热区加热处理,使蒸发源材料蒸发并沉积在基底上,形成薄膜;在制备过程中,通过控制蒸发工艺参数,使形成的准一维材料的薄膜取向可控。本发明通过对制备方法关键的工艺参数的改进,采用特定结构的立式蒸发管式炉进行沉积,实现准一维材料薄膜的沉积和取向控制,得到不依赖于基底的取向可控的半导体薄膜,与现有技术相比能够有效解决无法控制准一维材料取向的问题。
  • 一种取向可控准一维结构材料薄膜制备方法

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