[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201911062327.0 | 申请日： | 2019-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112768342B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 宋利娟 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该发明涉及一种半导体技术领域，公开了一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成掺杂区；所述掺杂区的氮的掺杂浓度是由下到上逐渐减小；在所述掺杂区表面沉积阻挡层；所述阻挡层包括：铝掺杂的氧化硅；在所述阻挡层表面覆盖光刻胶层进行光刻曝光显影工艺。本发明通过在半导体衬底的掺杂区表面沉积阻挡层，所述阻挡层中包含铝离子中和掉掺杂区中游离的氮离子，避免了在光刻曝光显影工艺中，当氮氧化硅作为衬底时，分界抗蚀剂的酸与氮发生反应，使抗蚀剂溶解性降低，引起光抗蚀剂中毒，产生基脚，影响刻蚀后的过程。从而防止光致抗蚀剂中毒影响刻蚀，提升光刻曝光显影工艺的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911062327.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
