[发明专利]一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺在审
申请号: | 201910992547.7 | 申请日: | 2019-10-18 |
公开(公告)号: | CN110527986A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 李伯平;李渊 | 申请(专利权)人: | 南京华伯新材料有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/458 |
代理公司: | 11413 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 张函;王春伟<国际申请>=<国际公布>= |
地址: | 210061 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺。PECVD薄膜沉积腔室包括:沉积腔室本体,上电极和下电极,均设置在沉积腔室本体内部,上电极和下电极用于施加电源,并在上电极和下电极之间形成等离子体;真空腔室阀门,设置在沉积腔室本体内部,用于在开启状态下联通沉积腔室本体与大气压,并且在关闭状态下密封沉积腔室本体;固定载具,固定载具与下电极固连,位于上电极和下电极之间,用于承载待加工工件。本发明通过固定载具设置在PECVD薄膜沉积腔室中,在该腔室完成薄膜沉积工艺这一过程中不采用载具,从根本上杜绝了污染源,从而避免沉积不同掺杂层之间的掺杂原子交叉污染,适合大规模生产PECVD薄膜沉积。 | ||
搜索关键词: | 沉积腔室 下电极 电极 载具 薄膜沉积腔 等离子体 薄膜沉积工艺 待加工工件 薄膜沉积 掺杂原子 交叉污染 开启状态 真空腔室 掺杂层 下密封 阀门 固连 联通 腔室 沉积 污染源 电源 承载 施加 | ||
【主权项】:
1.一种PECVD薄膜沉积腔室,其特征在于,包括:/n沉积腔室本体,/n上电极和下电极,均设置在所述沉积腔室本体内部,所述上电极和下电极用于施加电源,并在所述上电极和下电极之间形成等离子体;/n真空腔室阀门,设置在所述沉积腔室本体内部,用于在开启状态下联通所述沉积腔室本体与大气压,并且在关闭状态下密封所述沉积腔室本体;/n固定载具,所述固定载具与所述下电极固连,位于所述上电极和下电极之间,用于承载待加工工件。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华伯新材料有限公司,未经南京华伯新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910992547.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高密封性高度可调电极
- 下一篇:反应腔室
- 同类专利
- 一种背板组件及CVD腔体-201920116057.6
- 董志英;陈政;孟慧文;刘桂东 - 云谷(固安)科技有限公司
- 2019-01-23 - 2020-02-14 - C23C16/513
- 本实用新型属于电子设备加工技术领域,具体涉及一种CVD加工腔体用背板组件及CVD腔体。本实用新型提供的CVD加工腔体用背板组件,包括电极背板和加热组件。通过该加热组件,能够对电极背板进行加热,通过电极背板对整个CVD加工腔体进行热传导,使得在清洗时输送入腔体内的F离子保持较高温度,维持反应活性,从而提高F离子利用效率。
- 一种阵列式多炉管PECVD设备-201822215255.6
- 郭艳;李明 - 湖南红太阳光电科技有限公司
- 2018-12-27 - 2020-02-07 - C23C16/513
- 本实用新型公开了一种阵列式多炉管PECVD设备,包括炉体柜,炉体柜内设有多个阵列布置的炉管,包括炉门启闭装置,炉门启闭装置包括炉门、旋转驱动机构,旋转驱动机构与炉门相连,用来带动炉门绕竖直方向旋转实现炉门开启与关闭。本实用新型通过阵列式布置炉管,极大地提高了空间利用率高、使设备产能更高。
- 一种平板式PECVD设备微波离子源工艺气体喷气装置-201920427283.6
- 陈国钦;张威;杨彬;唐电;吴易龙;李建志 - 中国电子科技集团公司第四十八研究所
- 2019-03-29 - 2020-02-04 - C23C16/513
- 本实用新型公开了一种平板式PECVD设备微波离子源工艺气体喷气装置,包括多个沿Y轴方向布置的离子源,离子源中包含多根送气管,送气管上沿X轴方向设有多个喷气孔,所有输送相同工艺气体的喷气孔的X轴坐标各不相同且叠加后成等间距布置。本实用新型的喷气装置由于同样长度上喷气孔的数量增加很多,也就使两个喷气点之间的间距很小,相当于在同样长度的喷气管上成倍的增加了喷气孔的数量,而且是等距分布,类似于整根送气管的喷气是一条线性状态,所以气体是非常均匀的。
- 一种用于制造塑料瓶的模具-201920376905.7
- 黄现章;彭继华;苏东艺 - 广州今泰科技股份有限公司;华南理工大学
- 2019-03-22 - 2020-01-21 - C23C16/513
- 本实用新型公开了一种用于制造塑料瓶的模具。所述模具由内到外依次包括基体层、过渡层和含氢类金刚石涂层,所述过渡层为Ti‑WC过渡层或Cr‑WC过渡层,所述含氢类金刚石涂层具有密闭氢气的微孔结构。本实用新型采用全新的结构设计理念,将含氢类金刚石涂层中的氢以氢气密封微孔的形式稳定存在于制备态涂层中,并利用这种稳定的微孔阻止裂纹的扩展,从而获得结构独特,兼具高硬度和高韧性的类金刚石涂层,解决了现有含氢类金刚石涂层中氢主要以形成C‑H键的形式存在,且其断裂严重影响材料的各种性能的问题。该含氢类金刚石涂层应用于瓶吹模具后,该瓶吹模具具有脱模顺畅、使用寿命高的特点。
- 一种用于提高正反平面沉积均匀性的盒式电极-201920737030.9
- 张志强;林捷;漆宏俊 - 上海稷以科技有限公司
- 2019-05-22 - 2020-01-21 - C23C16/513
- 本实用新型公开了一种用于提高正反平面沉积均匀性的盒式电极,该盒式电极由至少三层平板电极构成,位于中间层的平板电极为功率电极,位于功率电极上下两层的电极均为接地电极,三层平板电极的层与层之间通过与平板电极相互垂直设置的绝缘板分隔,将多个盒式电极由上至下依次固定设置于箱体中配置成整列结构,样品设置于两个盒式电极之间。本实用新型将功率电极改进为带孔的盒式电极,通过射频等离子体气相沉积工艺在材料或者物品表面进行三维同形涂覆,从而在产品表面获得同形且厚度一致的薄膜材料,提高了等离子体气相沉积的均匀性。本实用新型提出了新型的盒式电极结构,用功率电极和接地电极的组合形式,提高了正反两平面沉积厚度的均匀性。
- PECVD反应腔以及用于PECVD反应腔的支撑针-201810085370.8
- 赖彩玲;周贺;何小强;张锐;黄舜愿;彭新林 - 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
- 2018-01-29 - 2020-01-10 - C23C16/513
- 本公开提供一种PECVD反应腔以及用于PECVD反应腔的支撑针,属于半导体技术领域。该用于PECVD反应腔的支撑针包括:针芯;针套,包覆于所述针芯之外;以及至少一层垫片,设置在所述针芯和所述针套的底部;其中所述针芯与所述垫片对应所述针芯以及所述针套的部分为导电材质,所述针套为非导电材质。该支撑针通过在针芯采用导电材质,并将针芯以及垫片接地,使得整根支撑针接地,可以减少Pin区串联的电容数量,提高Pin区等离子体密度,减少Pin区域非Pin区的电容差异。
- 抗刮疏水层镀制于金属表面的方法-201810641212.6
- 林永森 - 逢甲大学
- 2018-06-21 - 2019-12-31 - C23C16/513
- 本发明公开了一种抗刮疏水层镀制于金属表面的方法,其步骤包含:电浆表面预处理:将一金属表面以电浆进行表面预处理;该预处理使用的该电浆以氢气≧0.1sccm、等离子体放电频率≧100kHz、功率≧10watts以及该金属表面温度≦180℃进行,进一步地可包含氩气≧0sccm;以及抗刮疏水层沉积:将电浆预处理后的该金属表面,以电浆形式将该抗刮疏水层沉积于该金属表面,该抗刮疏水层厚度较佳≧100nm;沉积使用的该电浆以氩气及/或氮气≧0sccm、含碳硅氧化合物蒸汽≧0.1sccm、等离子体放电频率≧100kHz、功率≧10watts(瓦特)以及该金属表面M的温度≦180℃进行。
- 气相沉积炉、其使用方法及气相沉积系统-201911034660.0
- 刘鑫培;朱小刚;刘慧敏 - 苏州创瑞机电科技有限公司
- 2019-10-29 - 2019-12-31 - C23C16/513
- 本发明揭示了气相沉积炉、其使用方法及气相沉积系统,其中气相沉积炉,包括罩体及盖板,它们均连接一轴,罩体的侧壁上设置有第一气道、第二气道及第一电极及第二电极,第一电极电连接架设于罩体内的导电工件放置架,第二电极电连接位于罩体内且与导电工件放置架位置对应的导电板;盖板连接驱动其绕轴转动且在第一状态和第二状态之间切换的翻转驱动机构,第一状态下,盖板密封所述罩体的开口并与罩体形成一密封腔,第二状态下,盖板使罩体的开口保持敞开状态。本方案通过罩体与盖板形成腔体,且盖体可相对罩体翻转,极大的方便进行上下料作业,不需要采用微波发生器作为能量来源,有利于降低成本,盖板可以自动打开和关闭,效率高,易于操作。
- 一种用于生产异质结太阳能电池镀膜的PECVD设备-201920261470.1
- 白焱辉;李高非;王继磊;张娟;黄金;高勇;鲍少娟;崔宁;贾慧君;王嘉超 - 晋能光伏技术有限责任公司
- 2019-03-01 - 2019-12-13 - C23C16/513
- 本实用新型用于生产异质结太阳能电池镀膜的PECVD设备,在立式管状结构的管式腔体内设置载片舟,载片舟由竖直绝缘杆和若干水平载片组成,竖直绝缘杆上安装若干水平载片,相邻两片载片分别连接射频电源或零电势,构成能够对HJT电池进行非晶硅沉积的类似于管式设备的结构,产能大,效率高,占地面积小,结构简单,成本投入低,可应用于太阳能电池沉积非晶硅、氧化硅、氮化硅等需使用PECVD设备的制作,及其他试用行业。
- 一种耐磨自交联的纳米涂层及其制备方法-201811242689.3
- 宗坚 - 江苏菲沃泰纳米科技有限公司
- 2018-10-24 - 2019-12-06 - C23C16/513
- 一种耐磨自交联的纳米涂层及其制备方法,其是将基材暴露于单体蒸汽氛围中,通过等离子体放电在基材表面引发化学气相沉积反应而形成保护涂层。本发明利用等离子体化学气相沉积技术,通过在氟碳树脂的单体中引入刚性苯环以及在苯环上引入可用于化学反应形成交联点的官能团,使氟碳树脂之间形成自交联的体型网状结构,从而提高纳米涂层的强度和耐磨性。
- 一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺-201910992547.7
- 李伯平;李渊 - 南京华伯新材料有限公司
- 2019-10-18 - 2019-12-03 - C23C16/513
- 本发明涉及一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺。PECVD薄膜沉积腔室包括:沉积腔室本体,上电极和下电极,均设置在沉积腔室本体内部,上电极和下电极用于施加电源,并在上电极和下电极之间形成等离子体;真空腔室阀门,设置在沉积腔室本体内部,用于在开启状态下联通沉积腔室本体与大气压,并且在关闭状态下密封沉积腔室本体;固定载具,固定载具与下电极固连,位于上电极和下电极之间,用于承载待加工工件。本发明通过固定载具设置在PECVD薄膜沉积腔室中,在该腔室完成薄膜沉积工艺这一过程中不采用载具,从根本上杜绝了污染源,从而避免沉积不同掺杂层之间的掺杂原子交叉污染,适合大规模生产PECVD薄膜沉积。
- 一种管式PECVD电极导电装置-201920385491.4
- 蔡新兴;朱露;张凯胜;姚伟忠;孙铁囤 - 常州亿晶光电科技有限公司
- 2019-03-25 - 2019-12-03 - C23C16/513
- 本实用新型提供了一种管式PECVD电极导电装置,包括炉管,炉管内具有电极装置和石墨舟,电极装置包括正极电极杆和负极电极杆,电极杆尾端连接有射频电源,炉管内固定有两根陶瓷管,每根陶瓷管的两端分别固定有导电铜圈,陶瓷管其中一侧端部的导电铜圈与正极电极杆线路连接,陶瓷管另一侧端部的导电铜圈与负极电极杆线路连接;同侧的两个导电铜圈之间连接具有导电铜杆;正极电极杆通过对应侧导电铜杆与导电铜圈线路连接;负极电极杆通过侧导电铜杆与导电铜圈线路连接。本实用新型结构设计合理,改变石墨舟与电极的接触部位和导电方式,使镀膜更为均匀,同时避免电极杆因长期使用发生形变而导致接触异常,并且无需关注石墨舟正反,便于产线上下舟。
- 一种聚氨酯纳米涂层及其制备方法-201811242690.6
- 宗坚 - 江苏菲沃泰纳米科技有限公司
- 2018-10-24 - 2019-11-29 - C23C16/513
- 本发明提供了一种聚氨酯纳米涂层及其制备方法,其是将基材暴露于单体蒸汽氛围中,通过等离子体放电在基材表面发生化学反应形成保护涂层;所述单体可以是具有指定结构的一种,也可以是两种或者三种的混合物。通过采用本申请的方法,制备纳米涂层成本低、安全环保,且复合涂层的硬度、粘接力、耐化学腐蚀能力都得到了很大的改善。
- 一种微波等离子体化学气相沉积装置-201920302296.0
- 吴啸;闫宁;赵延军;范波;郭兴星;徐帅;常豪锋;蔡玉珺 - 郑州磨料磨具磨削研究所有限公司
- 2019-03-11 - 2019-11-15 - C23C16/513
- 一种微波等离子体化学气相沉积装置,包括机架和升降放取机构,升降放取机构包括支撑座及置于支撑座上的支撑底板,且支撑底板与支撑座沿水平方向滑动配合;支撑底板上方还设有用于放置沉积物的石英钟罩,实现石英钟罩伴随支撑底板在竖直方向上的升降。该微波等离子体化学气相沉积装置,通过升降放取机构、支撑座以及与支撑座水平滑动配合的支撑底板的结构布设,使放样、取样过程中操作空间不再受限制,放样、取样过程简单无妨碍,可有效的避免由于操作空间有限而导致损坏石英钟罩情况的发生。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的