[发明专利]高密封性高度可调电极在审

专利信息
申请号: 201910893199.8 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN110527985A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 杨永亮;李娜;张泓筠;陈亮;莫秋燕;付秀华;尤恩沃德尔 申请(专利权)人: 杨永亮
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50;C23C16/52
代理公司: 37245 济南鼎信专利商标代理事务所(普通合伙) 代理人: 曹玉琳<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 556011 贵州省黔东南*** 国省代码: 贵州;52
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了高密封性高度可调电极,主要涉及气相沉积技术领域。包括电极总成,所述电极总成包括电极盖板、绝缘体、锁紧环、电极架、电极冷却接口和电极体;还包括位移驱动装置总成;所述位移驱动装置总成包括外驱动件、内表面设置内螺纹的内从动轮、外护壳、与外护壳固定的支撑环、内部中空且外侧顶端设置外螺纹的传动管;所述外驱动件驱动内从动轮的转动,所述内从动轮的内螺纹与传动管顶端的外螺纹传动连接。本发明的有益效果在于:摒弃了现有的波纹管技术,采用新的技术实现电极的高度可调,而且解决了采用波纹管技术所带来的一系列不足,无需在设备上开固定孔、密封孔就可接入其他设备;而且增加了辐射泄露防护技术。
搜索关键词: 从动轮 位移驱动装置 电极总成 高度可调 外驱动件 电极 波纹管 传动管 内螺纹 外护壳 外螺纹 绝缘体 传动连接 电极盖板 电极冷却 顶端设置 防护技术 高密封性 技术实现 内部中空 气相沉积 电极架 电极体 固定的 固定孔 密封孔 内表面 锁紧环 支撑环 转动 泄露 驱动 辐射
【主权项】:
1.高密封性高度可调电极,包括电极总成,所述电极总成包括电极盖板(1)、绝缘体(2)、锁紧环(3)、电极架(4)、电极冷却接口(5)和电极体(6);所述电极盖板(1)底部边缘通过螺栓与绝缘体(2)固定,所述锁紧环(3)固定在绝缘体(2)内侧台面,所述电极架(4)通过螺栓固定到锁紧环(3)上,所述电极体(6)固定在电极架(4)上,所述电极冷却接口(5)设置在电极架(4)内侧;/n其特征在于:/n还包括位移驱动装置总成;所述位移驱动装置总成包括外驱动件(7)、内表面设置内螺纹的内从动轮(8)、外护壳(9)、与外护壳(9)固定的支撑环(10)、内部中空且外侧顶端设置外螺纹的传动管(11);所述外驱动件(7)驱动内从动轮(8)的转动,所述内从动轮(8)的内螺纹与传动管(11)顶端的外螺纹传动连接,所述外护壳(9)底侧与支撑环(10)之间设有限转销(12),所述传动管(11)上远离外螺纹的下段侧面设有竖槽(13),所述限转销(12)配合插入竖槽(13)内;/n所述传动管(11)底部设有管下法兰(14),所述传动管(11)通过管下法兰(14)与电极盖板(1)顶部固定。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨永亮,未经杨永亮许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910893199.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 延长在PECVD工艺腔室中接地带使用寿命-201780091524.8
  • 苏小明;尚泽伦;桂仪;R·L·迪纳;孙世尧 - 应用材料公司
  • 2017-06-01 - 2020-01-24 - C23C16/50
  • 一种基板处理腔室(102)包括多个接地带(130),所述多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。所述接地带(130)的第一端(234)从所述接地带(130)的第二端(236)竖直地偏移。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个陶瓷板(590),所述一个或多个陶瓷板耦接到基板支撑件(118)的外周边以减少在腔室壁(106)、基板支撑件(118)和接地带(130)上的膜沉积。一种基板处理腔室(102)包括一个或多个接地带(130),所述一个或多个接地带耦接到基板支撑件(118)和腔室底。每个接地带(130)在其一端或两端包括L型挡块(462、472)以减小所述接地带(130)的暴露长度。所述设备延长接地带使用寿命、提高整体腔室性能并减小所述腔室内的RF频率变化。
  • 在无氧化剂情况下的含硅和氧的膜的沉积-201580004037.4
  • B·S·安德伍德;A·B·玛里克 - 应用材料公司
  • 2015-01-05 - 2020-01-07 - C23C16/50
  • 通过以下步骤在不存在氧化剂的情况下沉积含硅和氧的膜,诸如二氧化硅膜:将硅氧烷前体引入等离子体处理腔室中并且例如通过将所述硅氧烷前体暴露于低能等离子体来离解所述硅氧烷前体的Si‑H键中的至少一些。可以在不氧化易氧化的表面的情况下,在所述易氧化的表面上形成所述含硅和氧的膜。所沉积的含硅和氧的膜可以用作二氧化硅块状层的初始层,使用常规二氧化硅沉积技术(诸如将所述硅氧烷前体暴露于含氧等离子体)在所述初始层的顶部上形成所述二氧化硅块状层。在所述块状层沉积之前或之后,所述初始层可被后处理或被固化以减小Si‑H键的浓度。
  • 一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备-201910862647.8
  • 上官泉元;庄正军 - 常州比太科技有限公司
  • 2019-09-12 - 2020-01-03 - C23C16/50
  • 本发明公开了一种整合PECVD和PVD镀膜制造HIT电池的设备,包括链式循环运行的载板,以及依次设置的机械手上料台、本征非晶硅镀膜体系、水平移载台一、N层非晶硅镀膜体系、翻转移载台、P层非晶硅镀膜体系、水平移载台二、TCO镀膜体系及机械手下料台,以及用于载板回传的载板回传循环系统一、载板回传循环系统二、载板回传循环系统三及载板回传循环系统四。该发明通过设备整合将上下各两层非晶硅的PECVD镀膜工艺和上下各一层TCO膜的PVD镀膜工艺集成到一台设备里,可以一次性完成HIT电池的6层膜的镀膜,具有产能高、设备占地面积小、设备制造成本低、自动化程度高等优点。
  • 一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备-201910863749.1
  • 上官泉元;庄正军 - 常州比太科技有限公司
  • 2019-09-12 - 2020-01-03 - C23C16/50
  • 本发明公开了一种制造HIT电池的非晶硅镀膜设备,包括依次设置的机械手上料台、本征非晶硅镀膜体系、水平移载台、N层非晶硅镀膜体系、翻转移载台、P层非晶硅镀膜体系及机械手下料台,以及分别用于本征非晶硅镀膜体系、N层非晶硅镀膜体系与P层非晶硅镀膜体系的载板,以及用于载板回传的载板回传循环系统一、载板回传循环系统二及载板回传循环系统三,载板通过链式输送带连续循环运行。该发明通过设备和工艺的整合连续动态镀膜,一次性完成4层HIT电池非晶硅膜的镀膜,产能达到6000片/小时或更高,且解决了绕镀及化学元素磷和硼在硅片正反面的交叉污染问题。
  • 一种PECVD装置真空腔内用汽体分散装置-201920096195.2
  • 杨福年;郑锡文 - 东莞市和域战士纳米科技有限公司
  • 2019-01-21 - 2019-12-31 - C23C16/50
  • 本实用新型公开了一种PECVD装置真空腔内用汽体分散装置,包括与PECVD设备连接的通气固定底座,通气固定底座的中心轴向上延伸一段并向外展开形成有伞型锥状支撑体,伞型锥状支撑体上端连接有分散座与多个分散片,多个分散片均匀分散连接在分散座的外表面,通气固定底座上在中心轴外周围设置有多个通气孔,分散座内为中空的并通过连接片连接设置在分散座中心的中心通孔座,多个分散片的底部倾斜角度设置为分散片与分散座的中心轴线方向呈5‑35度。本实用新型通过伞型锥状支撑体和多个分散片的设置,有益气体快速有效分散进入真空腔蒸汽,确保工件表面纳米防水膜均匀分布,该分散装置可以长期耐180℃高温环境工作,结构设计紧凑合理,方便拆装与维护。
  • 一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置-201910890666.1
  • 王玉明;程海良;闫宝洁;曾俞衡;陈晖;谢利华;李旺鹏 - 苏州拓升智能装备有限公司
  • 2019-09-20 - 2019-12-13 - C23C16/50
  • 本发明公开了一种用于管式PECVD设备的石墨舟电极对接装置,包括:长直状的电极杆,其由刚性导电材料制成;以及分别连接于所述电极杆两端的接电固定组件及电极头,其中,所述接电固定组件由刚性绝缘材料制成,所述接电固定组件安装于炉盖的外侧,从所述接电固定组件引出的电极杆穿过所述炉盖后沿着所述真空反应炉的轴线方向延伸至所述真空反应炉的内部。根据本发明,其相比原有的通过石墨舟角与陶瓷支撑杆上电极转接组件接触方式,可避免多个工艺周期后镀膜(绝缘膜)沉积于石墨舟角、电极转接组件接触区导致电极接触不良问题。
  • 一种在超级马氏体不锈钢表面制备DLC薄膜的方法-201910942611.0
  • 周艳文;张豫坤;赵卓;陈东旭;王亚男;吕哲;邓洪运;祁继隆;杨力;刘梦楠;康红伟;张晶 - 辽宁科技大学
  • 2019-09-30 - 2019-12-10 - C23C16/50
  • 本发明涉及一种在超级马氏体不锈钢表面制备DLC薄膜的方法,用13Cr超级马氏体不锈钢作为基体进行镀膜;在真空腔体内设金属网笼,带有防爆口的空心玻璃砖放设在真空腔体内,在绝缘玻璃砖上放置金属网笼,所述的金属网笼前后左右四面开口,使电子逃逸形成回路;将基体打磨后超声清洗,再放置于真空腔体的金属网笼内部进行高压清洗,基体的待镀膜面向上;在镀膜前制备Si/Si‑C过渡层,提高膜基结合力;使用等离子体增强化学气相沉积技术制备DLC薄膜。优点是:基体的高模量解决了DLC薄膜制备过程中应力过大的问题。在超级马氏体不锈钢表面制备的DLC薄膜,结构致密、明显提高了基体硬度以及减摩耐蚀等性能。
  • 高密封性高度可调电极-201910893199.8
  • 杨永亮;李娜;张泓筠;陈亮;莫秋燕;付秀华;尤恩沃德尔 - 杨永亮
  • 2019-09-20 - 2019-12-03 - C23C16/50
  • 本发明公开了高密封性高度可调电极,主要涉及气相沉积技术领域。包括电极总成,所述电极总成包括电极盖板、绝缘体、锁紧环、电极架、电极冷却接口和电极体;还包括位移驱动装置总成;所述位移驱动装置总成包括外驱动件、内表面设置内螺纹的内从动轮、外护壳、与外护壳固定的支撑环、内部中空且外侧顶端设置外螺纹的传动管;所述外驱动件驱动内从动轮的转动,所述内从动轮的内螺纹与传动管顶端的外螺纹传动连接。本发明的有益效果在于:摒弃了现有的波纹管技术,采用新的技术实现电极的高度可调,而且解决了采用波纹管技术所带来的一系列不足,无需在设备上开固定孔、密封孔就可接入其他设备;而且增加了辐射泄露防护技术。
  • 一种PECVD辅助加热装置-201920037274.6
  • 王俊朝;李军阳;刘兵吉;杜武明 - 深圳丰盛装备股份有限公司
  • 2019-01-08 - 2019-11-15 - C23C16/50
  • 本实用新型公开了一种PECVD辅助加热装置,涉及太阳能电池设备技术领域,包括主加热炉体、前端盖组件、后端盖组件、石墨舟以及辅助加热装置;所述的主加热炉体呈圆筒状,所述的前端盖组件和后端盖组件分别盖在主加热炉体的两端开口处,在主加热炉体内部形成反应腔室,所述的石墨舟即位于反应腔室内;所述的辅助加热装置包括多个加热套管,且多个加热套管均伸入反应腔室内,并位于石墨舟的一侧,加热套管的一端从前端盖组件处或后端盖组件处伸出;本实用新型的有益效果是:该PECVD辅助加热装置在升温阶段辅助主加热炉体加热,从而缩短加热时间和工艺时间,提高生产效率。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top