[发明专利]硅基复合衬底的加工方法在审
| 申请号： | 201910980302.2 | 申请日： | 2019-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN110767532A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王丛;高达;王经纬;刘铭;刘兴新;于小兵;周立庆 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11010 工业和信息化部电子专利中心 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅基复合衬底的加工方法，包括：获取硅片；在所述硅片上外延生长预设膜厚的第一缓冲层；其中，在所述第一缓冲层外延生长过程中，控制生长环境的温度变化速率小于等于10℃/min。根据本发明的硅基复合衬底的加工方法，通过控制第一缓冲层的预设膜厚，有利于降低硅基复合衬底的平整度。而且，在硅基外延生长第一缓冲层时，通过控制温度变化速率小于等于10℃/min，进一步降低了硅基复合衬底的平整度，从而提高了硅基复合衬底的加工质量。而且，有利于降低后续器件工艺的难度，使得大面阵器件工艺的实现成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基 衬底 缓冲层 复合 器件工艺 外延生长 平整度 硅片 膜厚 预设 加工 外延生长过程 生长环境 大面阵 | ||
【主权项】：
1.一种硅基复合衬底的加工方法，其特征在于，包括：/n获取硅片；/n在所述硅片上外延生长预设膜厚的第一缓冲层；/n其中，在所述第一缓冲层外延生长过程中，控制生长环境的温度变化速率小于等于10℃/min。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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