[发明专利]一种基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法在审
申请号: | 201910885452.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110660912A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 唐孝生;林琪琪;胡伟;张孟;叶怀宇;张国旗 | 申请(专利权)人: | 深圳第三代半导体研究院 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 11226 北京中知法苑知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 阎冬;李明 |
地址: | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法,包括1):二甲基甲酰胺溶液中加入PbX | ||
搜索关键词: | 制备 薄膜 阻变存储器件 退火 二甲基甲酰胺溶液 机械稳定性 薄膜材料 低温条件 高低电阻 光学性能 甲醇溶液 阻变特性 电极 钙钛矿 两步法 衬底 旋涂 生长 | ||
【主权项】:
1.一种基于钙钛矿的柔性阻变存储器件制备方法,其特征在于:包括/n1):二甲基甲酰胺溶液中加入PbX
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择