[发明专利]一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法在审
| 申请号： | 201910804216.6 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110528005A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 麦毅;侯高蕾;吴复忠;戴新义;李水娥;谷肄静;陈敬波 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B33/10;C09K13/08 |
| 代理公司： | 11362 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 韩炜<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 550025 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法。按下述步骤进行：a）硅片的预处理：将硅片依次用硫酸和双氧水的混合液、氢氟酸、乙醇、去离子水超声清洗；b）硅片的刻蚀：将预处理后的硅片用刻蚀液进行加热刻蚀，之后用去离子水超声清洗；所述的刻蚀液是由金属盐、氢氟酸、硝酸、去离子水组成的混合溶液；c）硅片的干燥：将刻蚀后的硅片放入鼓风干燥箱中干燥后再放入真空干燥箱中干燥，得到含有纳米级孔道的多孔硅。本发明的制备方法简单，提供了一种新的金属离子，所制备出的多孔硅具有海绵状结构，孔径较大，多孔分布较均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 刻蚀 去离子水 多孔硅 制备 预处理 超声清洗 金属离子 刻蚀液 氢氟酸 放入 双氧水 鼓风干燥箱 海绵状结构 纳米级孔道 真空干燥箱 多孔分布 混合溶液 混合液 金属盐 硝酸 乙醇 按下 加热 硫酸 | ||
【主权项】：
1.一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法，其特征在于，按下述步骤进行：/na）硅片的预处理：将硅片依次用硫酸和双氧水的混合液、氢氟酸、乙醇、去离子水超声清洗；/nb）硅片的刻蚀：将预处理后的硅片用刻蚀液进行加热刻蚀，之后用去离子水超声清洗；所述的刻蚀液是由金属盐、氢氟酸、硝酸、去离子水组成的混合溶液；/nc）硅片的干燥：将刻蚀后的硅片放入鼓风干燥箱中干燥后再放入真空干燥箱中干燥，得到含有纳米级孔道的多孔硅。/n
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- 2019-08-28 - 2019-12-03 - C23F1/24
- 本发明公开了一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法。按下述步骤进行：a）硅片的预处理：将硅片依次用硫酸和双氧水的混合液、氢氟酸、乙醇、去离子水超声清洗；b）硅片的刻蚀：将预处理后的硅片用刻蚀液进行加热刻蚀，之后用去离子水超声清洗；所述的刻蚀液是由金属盐、氢氟酸、硝酸、去离子水组成的混合溶液；c）硅片的干燥：将刻蚀后的硅片放入鼓风干燥箱中干燥后再放入真空干燥箱中干燥，得到含有纳米级孔道的多孔硅。本发明的制备方法简单，提供了一种新的金属离子，所制备出的多孔硅具有海绵状结构，孔径较大，多孔分布较均匀。
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