[发明专利]温度补偿方法及恒温区温度校准方法在审

申请号：	201910650925.3	申请日：	2019-07-18
公开（公告）号：	CN110359032A	公开（公告）日：	2019-10-22
发明（设计）人：	王玉霞;孙妍;吴艳华;周文飞	申请（专利权）人：	北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号：	C23C16/52	分类号：	C23C16/52;C23C16/50;C23C16/24;C23C16/56;H01L21/67
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	彭瑞欣;张天舒
地址：	100176 北京***	国省代码：	北京;11
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摘要：	本发明提供一种温度补偿方法，包括：获取各个恒温区中完成工艺的晶圆上的薄膜电阻率；根据该薄膜电阻率与成膜温度的对应关系，计算获得各个恒温区的温度偏差值；根据各个恒温区的温度偏差值对各个恒温区的成膜温度进行补偿。通过本发明，节省了温度校准成本。
搜索关键词：	恒温区薄膜电阻率温度补偿温度偏差温度校准成膜晶圆
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【主权项】：

1.一种温度补偿方法，其特征在于，包括：获取各个恒温区中完成工艺的晶圆上的薄膜电阻率；根据所述薄膜电阻率与成膜温度的对应关系，计算获得各个所述恒温区的温度偏差值；根据各个所述恒温区的所述温度偏差值对各个所述恒温区的成膜温度进行补偿。

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申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明提供一种温度补偿方法，包括：获取各个恒温区中完成工艺的晶圆上的薄膜电阻率；根据该薄膜电阻率与成膜温度的对应关系，计算获得各个恒温区的温度偏差值；根据各个恒温区的温度偏差值对各个恒温区的成膜温度进行补偿。通过本发明，节省了温度校准成本。

一种PE增强的多源二维材料制备设备-201822217850.3
发明人：孔令杰;李晓丽 -专利权人：合肥百思新材料研究院有限公司
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本实用新型公开了一种PE增强的多源二维材料制备设备，该制备设备包括控制区与反应区，反应区设置在控制区的上部，控制区包括控制台、射频发生器、真空获取泵、工控电脑，射频发生器与真空获取泵设置在控制台的一侧，工控电脑设置在控制台的中间区域，控制台的另一侧设有真空计；反应区包括：反应台、PE耦合源、加热反应器、固态源放置区、石英腔体，反应台固定设于控制台的顶部。本实用新型通过反向低温升华气体作为载体使固态源到基体上二次反应，从而很好的控制生长工艺，通过PE增强解决气源裂解温度在400度以内，通过另一面独立设计一个区域放置固态源并控制其升华温度不受反应区的影响。

在半导体晶圆上形成薄膜的方法-201910614302.0
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摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体地涉及一种化学气相沉积工艺。所述工艺包括：升温阶段，将反应腔的温度提升到设定温度；反应阶段，所述反应阶段包括至少两个子反应阶段，当所述反应为放热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次降低，当所述反应为吸热反应时，所述至少两个子反应阶段的反应温度依次升高；降温阶段，将反应腔的温度降低到常温。通过阶段式调整反应温度来调整CVD薄膜厚度均匀度，改善了产品良率，增加了产品良率的稳定度。

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摘要：本实用新型提供一种沉积系统：包括沉积设备、控制中心、以及设置在沉积设备内的外延成长监控设备、翘曲变化监控设备与温度监控设备。沉积设备用于对晶圆进行外延成长以生成外延层；温度监控设备用于侦测沉积设备内的温度，以生成温度信息；翘曲变化监控设备用于侦测晶圆的翘曲度，以生成翘曲度信息；外延成长监控设备用于侦测外延成长工艺的情形，以生成外延成长信息；控制中心，与沉积设备、温度监控设备、翘曲变化监控设备与外延成长监控设备电性连接，接收并处理外延成长信息、翘曲度信息及温度信息。

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摘要：本申请公开了一种真空设备压强调控系统及真空设备，该装置包括真空炉体压强获取管路，抽真空管路和压强调控管路；真空炉体压强获取管路包括与真空炉体相连的第一电磁阀、用于获取真空炉体产品处理室的压强P₁的第一薄膜规；与真空炉体相连的第二电磁阀、用于获取真空炉体保温层和产品处理室之间的压强P₂的第二薄膜规；抽真空管路用于抽取产品处理室内的尾气；压强调控管路用于向抽真空管路通入第一工艺气体，调节P₁和P₂之间的压强差，以实现真空炉体产品处理室内外压强差的恒定；包括与第一气动球阀相连的第一隔膜阀、与第一工艺气体的进气口相连的第一质量流量计。本申请实现产品处理室内外压强差的恒定，从而获得质量更高的产品。

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发明人：洪世玮;陈培儂;刘旭水;林剑锋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C23C16/52
摘要：一种沉积制程的参数调整方法，包含：接收至少一制程腔体的至少一几何参数以及至少一热辐射参数；至少根据几何参数与热辐射参数，建立制程模型；根据制程模型，模拟沉积制程，借此预测制程腔体中的至少一物理场；与根据物理场，调整沉积制程的至少一参数，并据此进行沉积制程。

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申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种延长原子层沉积设备真空计使用寿命的方法。本发明通过对ALD系统中的真空计电磁阀进行间断关闭的方法，在保证系统真空度的基础上，减少前驱体气体和反应副产物进入真空计内部，从而减少前驱体气体和反应副产物在真空计内部的附着，进一步可以延长ALD真空计使用寿命，同时，该方法是在未改变现ALD设备硬件的基础上进行了技术改进，减少设备的维护成本，技术含量高，应用前景良好。同时，该方法是在未改变现ALD设备硬件的基础上进行了技术改进，减少设备的维护成本，技术含量高，应用前景良好。

一种双室化学气相沉积炉内外室压力控制系统-201821854073.7
发明人：关刚刚;李少华;周晓康 -专利权人：西安西炉特种电炉有限公司
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本实用新型公开了一种双室化学气相沉积炉内外室压力控制系统，包括炉内罐，炉内罐的外壁和底部包围有一层炉衬，炉内罐的相对两侧分别设有加热器，且加热器被包围在炉衬内，炉内罐的顶部分别设有内室压力传感器和抽真空管道，抽真空管道的一端连接在炉内罐的顶部，抽真空管道的另一端连在炉衬的侧壁上，且抽真空管道上设有内外室连通系统，炉内罐的底部设有内室送气系统，炉内罐的底部一侧设有外室送气系统。解决了目前双室化学气相沉积炉存在的内外室之间密封不严、内室污染气体逸入外室中，影响加热器与路晨保温材料，造成能耗损失的问题。

一种过温保护装置及方法-201610817234.4
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申请日： 2016-09-09 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明涉及一种过温保护装置及方法，适用于MOCVD设备，包含：信息采集装置，采集MOCVD设备的运行参数信息；信号转换装置，与信息采集装置连接，对采集到的MOCVD设备的运行参数信息进行信号转换；实时控制器，与信号转换装置连接，接收转换后的MOCVD设备的运行参数信息，检测其是否满足MOCVD设备的预设运行条件；连锁保护电路，与实时控制器连接，当实时控制器检测到MOCVD设备的当前运行参数不满足预设运行条件时，该连锁保护电路被触发，启动应急保护措施。本发明通过采集MOCVD设备的运行参数信息对于可能发生的温度失控等事故进行准确的预测和判断，及时启动有效的应急保护措施，确保设备不受损伤并且避免人员伤亡。

极板间距调节装置及调节设备-201910275215.7
发明人：伍强;翟伟辰;蒋冬冬;李荻;李昕然 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本揭示提供一种极板间距调节装置及调节设备。极板间距调节装置包括上极板、与上极板相对的下极板、连接装置以及单元驱动装置。连接装置连接下极板与单元驱动装置。下极板还包括单元极板。单元极板在静止时位于同一平面内，每个单元极板对应连接连接装置，单元极板通过连接装置上下调节来改变与上极板之间的距离，进而调节异常电场的电场强度，保证腔体内电场强度的一致，提高成膜质量。

一种真空镀膜设备的工艺气体流量的调整方法和系统-201880001493.7
发明人：马峥 -专利权人：君泰创新（北京）科技有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C16/52
摘要：一种真空镀膜设备的工艺气体流量的调整方法，该方法包括：获得工艺气体的流量设定值，并选择基准气体；确定所述工艺气体相对于所述基准气体的流量系数；根据所述工艺气体的流量设定值和所述流量系数计算得到所述工艺气体的修正流量值；判断所述工艺气体的修正流量值是否大于用于控制所述工艺气体流量的气体流量计的量程最大值，如果判断结果为是，则超量程报警，并以所述气体流量计的量程最大值作为所述工艺气体的流量控制值来执行工艺程序，如果判断结果为否，以所述修正流量值作为所述工艺气体的流量控制值。还提供了一种真空镀膜设备的工艺气体流量的调整系统。

压力控制系统和压力控制方法-201711437411.7
发明人：唐玄玄;张志强;张二辉 -专利权人：上海稷以科技有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明涉及等离子化学气相沉积技术领域，公开了压力控制系统及控制该系统的压力控制方法。其中，压力控制系统包括：与真空腔体通过真空管道连接的真空泵，真空管道上设置有电控制阀门；用于测量真空腔体的真空度的真空计，真空计和电控制阀门通过可编程序控制器通信连接。本发明所提供的压力控制系统能够自发调节真空腔体内的压力，使得气压保持在一定范围内。

一种常压炉管工艺压力控制装置-201710731197.X
发明人：王志良 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明提出一种常压炉管工艺压力控制装置，其特征在于，包括：冷却腔，通过管道连接于炉管，冷却腔下部设置有储水箱；排气腔，连接于冷却腔；驱动腔，连接于排气腔，其中，炉管设置有压力计，驱动腔设置有压力控制器、驱动气体流量调节阀和活塞，压力控制器接收炉管控压设定值以及压力计侦测到的炉管工艺气体实际压力值，压力控制器将控压设定值和实际压力值进行比较，输出信号，控制驱动气体流量调节阀，调整驱动腔内驱动气体的驱动力，利用驱动气体压力驱动活塞，调节其开度大小，实现精确调节炉管工艺气体压力。本发明能有效实现常压炉管炉体工艺压力精确控制，使炉管工艺压力不受外部环境压力波动的影响，从而保证炉管工艺膜厚的稳定性要求。

等离子体沉积装置-201821512063.5
发明人：孟杰;胡广严;吴孝哲;吴龙江;林宗贤 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种等离子体沉积装置。所述等离子体沉积装置包括用于容纳晶圆的反应腔室，还包括：射频电源，用于向所述反应腔室传输射频信号，使所述反应腔室中的反应气体发生辉光放电生成等离子体；传感器，用于检测所述反应腔室中的辉光强度；控制器，同时连接所述传感器和所述射频电源，用于判断所述辉光强度是否在预设范围内，若否，则调整所述射频电源传输至所述反应腔室的功率大小。本实用新型确保了所述反应腔室内接收到的射频电源功率的稳定性，改善晶圆表面沉积膜层的质量，提高半导体生产效率。

化学气相沉积工艺腔室及其清洗终点监测方法-201710285536.6
发明人：刘思洋 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明提供一种化学气相沉积工艺腔室及其清洗终点监测方法，通过在化学气相沉积工艺腔室的四周和底部的内壁上分别内嵌一个石英晶震片，将石英晶震片的电极镀膜层与化学气相沉积工艺腔室的内部连通；频率检测器用以检测石英晶震片的频率，并将频率检测器所测得的频率上传到控制器，所述控制器根据频率监测器所测得的频率变化实时监测化学气相沉积工艺腔室的内壁堆积膜层的厚度的变化以判断清洗终点。利用本发明对清洗终点进行监测，所得结果准确无误，保证了化学气相沉积工艺腔室的清洁度和产品良率。

成膜装置和成膜方法-201510726329.0
发明人：加藤寿;三浦繁博;菊地宏之;相川胜芳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。在用于向基板供给处理气体并获得薄膜的成膜装置中，包括：旋转台，其配置在真空容器内，用于在设于其一面侧的载置区域载置基板并使该基板公转；旋转机构，其以所述基板自转的方式使所述载置区域旋转；处理气体供给机构，其用于向所述旋转台的一面侧的处理气体供给区域供给所述处理气体，并在通过所述公转而反复多次通过该处理气体供给区域的基板上进行成膜；以及控制部，其为了在基板每次位于所述处理气体供给区域时改变该基板的方向而根据包括所述旋转台的转速在内的参数计算所述基板的自转速度，并输出控制信号以使基板以计算出的自转速度自转。

一种原子层沉积在线监控系统-201820782003.9
发明人：黎微明;李翔;赵昂璧;左敏;糜珂 -专利权人：江苏微导纳米装备科技有限公司
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本实用新型公开了一种原子层沉积在线监控系统，所述监控系统设有检测元件、信号转化装置、信号处理系统和工艺控制系统；所述检测元件设置在原子层沉积设备的气流流动处；所述检测元件与信号转化装置连接，信号转化装置将检测元件的信号进行转化处理；信号处理系统与信号转化装置和工艺控制系统连接，信号转化装置将实时工艺状态传送到信号处理系统；工艺控制系统将实时的理论工艺状态传送到信号处理系统，信号处理系统将实时工艺状态和理论工艺状态的拟合，实时监控工艺状态。

在多站式衬底沉积系统中单个ALD循环厚度的控制-201510245528.X
发明人：罗穆尔德·诺瓦克;康胡;阿德里安·拉瓦伊;钱俊 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-05-14 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明涉及在多站式衬底沉积系统中单个ALD循环厚度的控制，具体公开了在多站式处理室中在多个半导体衬底上沉积膜材料的方法。该方法可以包括：将第一成组的一个或多个衬底加载至所述处理室中第一成组的一个或多个处理站处以及通过执行N个膜沉积循环将膜材料沉积至所所述第一成组的衬底上。此后，该方法可以进一步包括将所述第一成组的衬底从所述第一成组的处理站传送到在所述第二成组的一个或多个处理站；将第二成组的一个或多个衬底加载至所述第一成组的处理站处；以及通过执行N'个膜沉积循环，沉积膜材料至所述第一成组的衬底上以及所述第二成组的衬底上；其中，N'与N不相等。本发明还公开了可以用于执行类似操作的装置和计算机可读介质。

反应腔室-201510777620.0
发明人：陈庆 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明提供一种反应腔室，包括基座和工件检测装置，其中，基座包括用于承载托盘的承载面，该托盘用于承载至少一个被加工工件。工件检测装置用于检测基座上是否放置有托盘，并发出有关是或者否的数字信号。本发明提供的反应腔室，其可以通过直接读取该数字信号就可以判断出基座上是否放置有托盘，从而即使软件系统突发故障或异常等情况，仍然可以准确并及时地判断反应腔室内是否有托盘，进而可以提高设备的可靠性。

一种化学气相沉积炉两档功率加热装置-201821240344.X
发明人：关刚刚;李少华;周晓康 -专利权人：西安西炉特种电炉有限公司
申请日： 2018-08-02 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本实用新型公开了一种化学气相沉积炉两档功率加热装置，包括可编程控制器，可编程控制器分别连接智能数字控温仪、接触器单元a、接触器单元b，智能数字控温仪还分别连接温度传感器和晶闸管交流调压器，晶闸管交流调压器分别连接断路器单元和接触器单元b，接触器单元a和接触器单元b均与两档功率输入电炉变压器连接，两档功率输入电炉变压器连接电阻加热元件，电阻加热元件位于化学气相沉积炉内。解决了现有化学气相沉积炉升温阶段和保温阶段使用同一输入功率电炉变压器存在的谐波量大、功率因数低的问题。

涂覆基材的方法和装置-201780039932.9
发明人： M·索德尔伦德;P·索尼宁;P·蒂莫宁 -专利权人： BENEQ有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明涉及一种涂覆基材(1)的方法和装置，涂覆通过在反应室(2)中根据原子层沉积原理使第一前体和第二前体在基材(1)的表面上进行连续表面反应来进行。该方法包括以下步骤：将基材(1)在反应区(5)中布置到基材支撑件(2c)；经由气体入口(20)将预定量的第一前体供应到反应室(2)以用于向反应区(5)提供第一前体流，使得第一前体得以在第二端部(2b)的末端处耗尽；经由气体入口(20)将第二前体供应到反应室(2)以用于提供流经反应区(5)的第二前体流、并且经由气体出口(21)从反应室(2)排出第二前体，第二前体不具有与第一前体发生反应的活性；以及通过等离子体放电电极(4)对反应区(5)进行等离子体放电以用于在第二前体流流经反应区(5)期间由供应到反应区(5)中的第二前体形成活性前体自由基，活性前体自由基具有与第一前体发生反应的活性。

在化学气相沉积中校准温度的方法-201810745140.X
发明人：陈治棻;刘宗颖;房业勳;黄邦育;彭垂亚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C16/52
摘要：在化学气相沉积中校准温度的方法中，提供半导体基板。在半导体基板中定义至少一第一沟槽。此至少一第一沟槽具有第一深度(d₁)。在设定一处理温度(T)下，使用至少一前驱物将涂布层沉积于半导体基板上。此涂布层定义出具有第二深度(d₂)的至少一第二沟槽，且此至少一第二沟槽位于上述至少一第一沟槽上。决定第二深度(d₂)相对于第一深度(d₁)的深度参数(t)。然后，根据一预定标准参考曲线决定一处理温度(T)，其中此预定标准参考曲线包含在第一范围内的多个参考深度参数与在第二范围内的多个参考处理温度的函数关系。

一种气相沉积炉-201811427008.0
发明人：戴煜;胡祥龙;周岳兵 -专利权人：湖南顶立科技有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明公开了一种气相沉积炉，包括壳体，所述壳体内腔设置有底部开口的保温室，所述保温室的底部开口处设置有密封板且所述密封板与所述保温室完全分离，所述密封板上贯穿设置有导力杆且所述导力杆与所述密封板固定连接，所述导力杆上段一直延伸至所述保温室内腔且所述导力杆顶部设置有用于工件承载的料板，所述导力杆下段贯穿所述壳体底板且所述导力杆与所述壳体完全分离，所述导力杆底部一直延伸至所述壳体外部且所述导力杆底部设置有重量传感器。本发明提供的该气相沉积炉通过其结构设计，能在线监测正在进行气相沉积的工件的重量变化，有效提高工件的处理质量。

应用于CVD成膜工艺的膜厚流量建模方法及在线优化方法-201410730097.1
发明人：王艾;徐冬 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明公开一种应用于CVD成膜工艺的膜厚与气体流量的建模方法，包括在基础工艺条件下获取测试硅片的基准膜厚；进行多组膜厚调节实验获得不同实验条件下测试硅片的膜厚，其中每组实验的实验条件为仅改变基础工艺条件的工艺气体流量；以及根据得到的多个测试硅片的膜厚相对于基准膜厚的多个膜厚变化值，以及多个测试硅片的膜厚所对应的气体流量相对于基础工艺条件的气体流量的多个流量变化值，计算得到线性的膜厚流量变化关系模型。本发明还提供了一种膜厚在线优化方法，根据膜厚流量变化关系模型、针对该关系模型设定的限制条件以及目标膜厚与基准膜厚的差值，计算气体流量的最优变化量。本发明可提高调试效率。

常压炉管生长的薄膜厚度的控制方法-201510546241.0
发明人：祁鹏;王智;苏俊铭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明提供了一种常压炉管生长的薄膜厚度的控制方法，包括：检测得到全年大气压力变化趋势；将全年大气压力变化趋势分成若干不同的压力范围区间；设定每个压力范围区间内薄膜的生长时间，以使薄膜达到目标厚度；按照所设定的时间在常压炉管中生长薄膜。本发明的常压炉管生长的薄膜厚度的控制方法，可以减小在全年不同的压力下所得到的薄膜厚度差异，实现常压炉管生长的薄膜厚度的可控性。

一种放电等离子体沉积复合薄膜抑制金属微粒启举的方法-201810768361.9
发明人：邵涛;王瑞雪;徐晖;章程;孔飞 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明公开了一种放电等离子体沉积复合薄膜抑制金属微粒启举的方法，该方法包括：步骤1、搭建复合薄膜沉积系统；步骤2、对沉积样品的表面进行预处理；步骤3、在处理完成的样品表面沉积半导体薄膜；步骤4、对步骤3中的半导体薄膜进行处理，消除残余应力；步骤5、在处理完成的半导体薄膜上沉积绝缘薄膜；步骤6、对步骤5中的绝缘薄膜进行处理，消除残余应力。

一种温度控制系统及薄膜沉积设备-201820705549.4
发明人：胡传辉;马法君;林桂荣;邢志刚;张辉;张森;高雄;张黎明;季卫杰;栾振兴 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本实用新型公开了一种温度控制系统、薄膜沉积设备及温度控制方法。控制系统包括N个计算单元、N个电源供给单元、N个加热单元、N‑1个温度检测单元以及N‑1个温度设定单元；第m计算单元用于获取第m温度检测单元检测的第m加热区域的当前温度值和第m温度设定单元的6设定温度值，计算第m电源供给单元的输出电流值，并输出给第m加热单元；第N计算单元用于根据第N‑1电源供给单元的输出电流值计算第N电源供给单元的输出电流值，并输出给第N加热单元。本实用新型实施例解决了因最外围温度检测单元测温不准导致的反应腔内温度波动较大，或者不同加热区域对应的加热单元功率配比离谱的问题。

一种装置及该装置的使用方法-201610004251.6
发明人：王海涛;田牛;孙文园;高耸 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2018-11-23 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明公开了一种装置及该装置的使用方法，用以降低对基板线路维修时失败的几率，提高基板的品质。所述装置包括粉末储藏罐和气体腔体，所述粉末储藏罐设置出气管道，所述出气管道与所述气体腔体连接，其中，还包括监控装置、第一开关和第二开关，监控装置设置在粉末储藏罐和气体腔体之间，与出气管道连通，用于在监控装置与气体腔体之间的气路处于关闭状态时，监控出气管道中单位体积内粉末的含量；第一开关设置在监控装置与出气管道之间，第二开关设置在监控装置与气体腔体之间。

CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法-201410730080.6
发明人：林伟华;翟立君;王艾 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： C23C16/52
摘要：本发明公开一种应用于CVD成膜工艺的膜厚调节优化方法，包括进行基准实验以获取基准膜厚；仅改变基准实验的工艺气体流量进行多组测试实验以获取测试硅片的膜厚；以相对于基准实验气体流量的流量变化值以及该流量变化值造成的相对于基准膜厚的膜厚变化值为变量建立目标函数，并确定该目标函数的约束条件为膜厚变化值与流量变化值呈线性关系；根据多组测试实验结果及约束条件计算目标函数的值最小时的最优流量变化值；以最优流量变化值调节基准流量作为最优气体流量并获取测试硅片的最优膜厚；以及判断最优膜厚与目标膜厚的膜厚差值大于预定值时以最优气体流量作为基准实验的工艺气体流量，并重复上述步骤。本发明可提高膜厚调节效率。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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[发明专利]温度补偿方法及恒温区温度校准方法在审

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