[发明专利]磨损防护层组件和具有磨损防护层的构件在审

申请号：	201910618982.3	申请日：	2019-07-10
公开（公告）号：	CN110699664A	公开（公告）日：	2020-01-17
发明（设计）人：	M·温孔;J·韦克凯尔;M·米勒;S·格罗塞;S·拉特;U·迈	申请（专利权）人：	罗伯特·博世有限公司
主分类号：	C23C16/24	分类号：	C23C16/24;C23C16/50;C23C14/18;C23C14/34;F02M61/16
代理公司：	72002 永新专利商标代理有限公司	代理人：	侯鸣慧
地址：	德国斯***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及一种磨损防护层组件(10)，具有衬底(11)、构造在衬底上的附着剂层(12)和至少一个向外终止的防护层(15)，将所述磨损防护层组件设置为以硅作为掺杂剂掺杂含氢非晶碳层(15)的衬底侧区域(15’)，并且外侧区域(15”)保持未掺杂。在所述附着剂层(12)和含氢非晶碳层(15)之间构造两个过渡层(13、14)，能够以硅作为掺杂剂连贯地掺杂所述过渡层。所述过渡层(13、14)与非晶碳层(15)的衬底侧区域(15’)相比分别能够具有更低的硅掺杂。
搜索关键词：	衬底过渡层碳层附着剂层磨损防护侧区域掺杂剂氢非掺杂外侧区域组件设置防护层硅掺杂未掺杂与非连贯
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【主权项】：

1.磨损防护层组件，该磨损防护层组件具有衬底、构造在所述衬底上的附着剂层和至少一个向外终止的防护层，该防护层构造为含氢非晶碳层，其特征在于，所述含氢非晶碳层(15；150)的衬底侧区域(15’；150’)掺杂有作为掺杂剂的硅，并且外侧区域(15”；150”)保持未掺杂。/n

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用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及镀膜方法-201910921596.1
发明人：徐升东;杨飞云;陈金元 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本发明提供用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及镀膜方法。所述PECVD设备包括依次连接的加载台、加载腔、第一反应腔、第一传输腔、第二反应腔、卸载腔和卸载台，所述PECVD设备还包括：预热腔，其设置在所述加载腔与第一反应腔之间，用于在将异质结太阳能电池对应的硅片送入第一反应腔之前将所述硅片预热到预设温度，以便减少在所述第一反应腔中的停留时间；以及第二传输腔，其设置在预热腔和第一反应腔之间，用于将经所述预热腔预热的硅片传输至所述第一反应腔。本发明的PECVD设备及镀膜方法可避免在第一反应腔耗费过长的时间进行预热，可有效提高镀膜速度和效率，并可有效提高PECVD设备的产能。

磨损防护层组件和具有磨损防护层的构件-201910618982.3
发明人： M·温孔;J·韦克凯尔;M·米勒;S·格罗塞;S·拉特;U·迈 -专利权人：罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本发明涉及一种磨损防护层组件(10)，具有衬底(11)、构造在衬底上的附着剂层(12)和至少一个向外终止的防护层(15)，将所述磨损防护层组件设置为以硅作为掺杂剂掺杂含氢非晶碳层(15)的衬底侧区域(15’)，并且外侧区域(15”)保持未掺杂。在所述附着剂层(12)和含氢非晶碳层(15)之间构造两个过渡层(13、14)，能够以硅作为掺杂剂连贯地掺杂所述过渡层。所述过渡层(13、14)与非晶碳层(15)的衬底侧区域(15’)相比分别能够具有更低的硅掺杂。

一种防止硫吸附的复合膜层及其制备方法-201911071275.3
发明人：禅明 -专利权人：江苏惠斯通机电科技有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本发明涉及一种复合膜层，具体来涉及一种防止硫吸附的复合膜层及其制备方法，其复合膜层包括沉积在采样钢瓶的内表面的第一膜层以及第一膜层表面的第二膜层，所述第一膜层为无定形硅层，所述第二膜层为氮化硅层。本发明的无定形硅膜层有效阻止了含硫化物如硫化氢与不锈钢表面的反应，钝化能力和聚四氟乙烯相一致，但其牢固度远高于聚四氟乙烯；增加了脱氢氮化处理，从而增强了膜层的致密度、耐蚀性、抗温度冲击能力以及抗磨性；提高了膜层的使用寿命和防吸附能力，能够扩展应用到有频繁摩擦的领域，诸如活塞等诸多场合。

用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法-201910921736.5
发明人：陈金元;汪训忠 -专利权人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/24
摘要：本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及镀膜方法。所述CVD设备包括：第一CVD反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一和第二CVD工艺依次在硅片第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；硅片翻面装置，其配置成从第一CVD反应腔接收已完成第一和第二CVD工艺的硅片，并将硅片进行翻面而使硅片的第一面和与之相对的第二面完成对调；以及第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经翻面后的硅片的托盘，并通过第三和第四CVD工艺依次在硅片第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。本发明先后在第一、第二CVD反应腔分别完成第一面的I/N非晶硅镀膜和第二面的I/P非晶硅镀膜，还可辅以能消除硼污染的清洗工艺，能有效简化设备结构、降低自动化难度、缩小占地面积、提高设备产能。

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