[发明专利]发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201910536344.7 | 申请日： | 2019-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN110364598B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;胡烨伟;程金连;曹阳;乔楠;李鹏;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括依次层叠的衬底、缓冲层、N型层、电子调整层、多量子阱层和P型层，所述电子调整层由依次层叠的多个复合结构组成，每个所述复合结构由依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层组成；所述第一子层和所述第四子层均为BAlN层，同一个所述复合结构中，所述第一子层中B组分的含量大于所述第四子层中B组分的含量；所述第二子层为未掺杂的GaN层，所述第三子层为未掺杂的InGaN层。本发明通过在N型层和多量子阱层之间增设BAlN/GaN/InGaN/BAlN的超晶格结构，可以将更多地电子输送到量子阱内复合发光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括依次层叠的衬底(10)、缓冲层(20)、N型层(30)、电子调整层(40)、多量子阱层(50)和P型层(60)，所述电子调整层(40)由依次层叠的多个复合结构(400)组成，每个所述复合结构(400)由依次层叠的第一子层(410)、第二子层(420)、第三子层(430)和第四子层(440)组成；所述第一子层(410)和所述第四子层(440)均为BAlN层，同一个所述复合结构(400)中，所述第一子层(410)中B组分的含量大于所述第四子层(440)中B组分的含量；所述第二子层(420)为未掺杂的GaN层，所述第三子层(430)为未掺杂的InGaN层。
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