[发明专利]堆叠晶片集成电路在审
申请号: | 201910468714.8 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110556290A | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | S.L.莫雷恩 | 申请(专利权)人: | 辛纳普蒂克斯公司 |
主分类号: | H01L21/18 | 分类号: | H01L21/18;H01L27/06 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郑冀之;张金金 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种用于制造堆叠晶片集成电路(IC)器件的方法。所述方法通过在第一IC晶片的顶表面上制作第一电路并在第一电路之间穿过第一IC晶片的深度沉积一个或多个电绝缘体以使得一个或多个电绝缘体不暴露在第一IC晶片的底表面上来执行。随后从第一IC晶片的底表面去除半导体衬底层,直到一个或多个电绝缘体变成暴露在第一IC晶片的底表面上。 | ||
搜索关键词: | 电绝缘体 电路 半导体衬底层 表面去除 堆叠晶片 顶表面 暴露 沉积 集成电路 穿过 制作 制造 | ||
【主权项】:
1.一种制造集成电路(IC)器件的方法,包括:/n在第一IC晶片的顶表面上制作第一电路;/n在所述第一电路之间穿过所述第一IC晶片的深度沉积一个或多个电绝缘体,以使得所述一个或多个电绝缘体不暴露在所述第一IC晶片的底表面上;以及/n从所述第一IC晶片的底表面去除半导体衬底层,直到所述一个或多个电绝缘体变成暴露在所述第一IC晶片的所述底表面上。/n
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造