[发明专利]一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法在审
| 申请号： | 201910461731.9 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110078079A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王清华 | 申请（专利权）人： | 重庆大全泰来电气有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 404001 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法，包括微波发生装置和还原装置；还原装置包括第一电源组件和至少一个还原炉；还原炉的炉体具有微波馈入口，微波馈入口具有至少一层密封罩，密封罩与炉体构成密封的腔体；微波发生装置产生的微波透过密封罩进入炉体内，对炉体内的发热体进行加热，以使发热体的温度达到启动温度；第一电源组件用于在发热体的温度达到启动温度后，对发热体进行低电压供电，以使多晶硅沉积在发热体表面，从而避免了高电压供电带来的安全隐患，保证了设备的安全运行；并且，由于微波发生装置位于还原炉外，且微波是在穿透密封罩后，进入密封的炉体内部的，因此，不会引入杂质，从而保证了生成的多晶硅的高纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 发热体 密封罩 微波发生装置 还原炉 高纯多晶硅 微波馈入口 电源组件 还原装置 启动设备 电子级 炉体 密封 还原 微波 体内 低电压供电 多晶硅沉积 发热体表面 安全隐患 安全运行 炉体内部 多晶硅 高纯度 高电压 腔体 加热 穿透 保证 供电 引入 | ||
【主权项】：
1.一种电子级高纯多晶硅还原启动设备，其特征在于，包括微波发生装置和还原装置；所述还原装置包括第一电源组件和至少一个还原炉；所述还原炉的炉体具有微波馈入口，所述微波馈入口具有至少一层密封罩，所述密封罩与所述炉体构成密封的腔体；所述微波发生装置产生的微波透过所述密封罩进入所述炉体内，对所述炉体内的发热体进行加热，以使所述发热体的温度达到启动温度；所述第一电源组件用于在所述发热体的温度达到启动温度后，对所述发热体进行低电压供电，以使多晶硅沉积在所述发热体表面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆大全泰来电气有限公司，未经重庆大全泰来电气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910461731.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种多晶硅生产的氯硅烷回收系统-201920308554.6
- 李东升;袁淑艳;董燕军;杨志成;马明 - 内蒙古神舟硅业有限责任公司
- 2019-03-11 - 2019-11-12 - C01B33/03
- 本实用新型公开了一种多晶硅生产的氯硅烷回收系统，包括低压尾气冷凝单元、压缩机、冷凝器、气液分离罐和氯硅烷贮槽，低压尾气冷凝单元的出气口与压缩机的进气口连通，压缩机的出气口与冷凝器的热介质入口连通，冷凝器的热介质出口与气液分离罐的进料口连通，气液分离罐的出液口与氯硅烷贮槽连通。本实用新型通过设置压缩机、冷凝器、气液分离罐和氯硅烷贮槽，将尾气提压至0.25‑0.35MPa后，系统压力提高后，氯硅烷的露点提高，再经过深度冷凝和气液分离，大部分氯硅烷以液体形式被分离；分离后的气体再经过吸附柱吸附和解吸回收氯硅烷后排空，进一步实现了气体中氯硅烷的回收，从而提高了尾气中氯硅烷的回收率，降低了生产成本，而且排空气体得到了进一步的净化，改善了环境。
- 多晶硅-201610890923.8
- 船崎和则;佐藤一臣;宫尾秀一 - 信越化学工业株式会社
- 2013-06-13 - 2019-11-01 - C01B33/03
- 本发明涉及多晶硅。具体地，本发明提供通过使用含碳杂质的浓度低的原料气体来实现多晶硅的进一步高纯度化的技术。首先，准备三氯硅烷作为样品(S101)，利用GC/MS‑SIM法分析其含碳杂质量(S102)。基于分析结果判定合格与否(S103)，判定为合格品的情况下(S103：是)，将其作为基于CVD法的高纯度多晶硅的制造用原料(104)。另一方面，判定为不合格品的情况下(S103：否)，则不作为多晶硅的制造用原料。基于GC/MS‑SIM法的杂质分析如果使用串联连接非极性柱和中等极性柱而得到的柱作为分离柱，则能够同时进行氯硅烷类与烃类的分离以及氯硅烷类与甲基硅烷类的分离。
- 用于还原炉的进料管、还原炉及进料管孔径的调节方法-201811574007.9
- 高志明;甘易武;韩成福;闫晓英;唐芝礼;郑连基;李娜 - 亚洲硅业（青海）有限公司
- 2018-12-21 - 2019-10-25 - C01B33/03
- 本发明提供的一种用于还原炉的进料管、还原炉及进料管孔径的调节方法，多晶硅生产技术领域，包括：进料管体；喷嘴设置在进料管体的出口；喷嘴的内腔具有自喷嘴的第一端至第二端贯穿的喷孔，喷嘴沿喷孔的中轴线所在平面分隔为第一部件和第二部件；第一部件上的喷孔部分的直径自喷嘴的第一端至第二端逐渐减小；第二部件上的喷孔部分的直径自喷嘴的第一端至第二端逐渐增大。在上述技术方案中，通过进料管上由第一部件和第二部件所构成的喷嘴，便能够任意调整喷孔的孔径大小，进而调整进入炉内的氢气和三氯氢硅混合物料气体的流速，使炉内流场一直处于最佳状态，提升多晶硅产品品质，节能降耗。
- 一种新型四氯化硅热氢化炉热场及热氢化炉-201920077402.X
- 罗旭峰;牛秀敏;陈昶 - 乐山师范学院
- 2019-01-17 - 2019-10-08 - C01B33/03
- 本实用新型提供一种新型四氯化硅热氢化炉热场，属于四氯化硅热氢化工艺设备技术领域。包括保温隔热层以及设置在保温隔热层内的碳/碳复合材料加热器：所述保温隔热层包括外保温筒以及内隔热屏；所述碳/碳复合材料加热器包括石墨夹头，石墨夹板，碳/碳复合材料加热带，所述碳/碳复合材料加热带整体弯制成型，碳/碳复合材料加热带的两个端头被石墨夹头和石墨夹板夹持，并通过紧固螺栓固定，所述碳/碳复合材料加热带的截面形状为S形。本实用新型还提供包括所述热场的热氢化炉。本实用新型提供的四氯化硅热氢化炉热场及热氢化炉适用于四氯化硅处理量在5吨/小时以上，可以保证SiHCl3生成率，有效降低能耗，提高设备稳定性。
- 一种宏量制备硅纳米材料的方法及装置-201910607007.2
- 不公告发明人 - 金雪莉
- 2019-07-06 - 2019-08-23 - C01B33/03
- 本发明属于纳米材料技术领域，涉及一种宏量制备硅纳米材料的方法，包括如下步骤：将含硅气体和惰性气体输入到等离子体枪中，在等离子体枪内电离及热分解出硅离子和氢离子；使经过电离及热分解打开的硅离子和氢离子进入生长控制器中，重新生成硅纳米线或/和硅纳米颗粒；重新生成的硅纳米线或/和硅纳米颗粒进入冷却容器中，经冷却气体环释放出的冷却气体快速冷却稳定成型。本发明还提供了一种宏量制备硅纳米材料的装置。本发明提供的宏量制备硅纳米材料的方法及装置，实现了硅纳米材料尤其是硅纳米线的工业化制备，大幅度降低了材料制造成本。
- 多晶硅生产过程中的热能利用系统和方法-201611087119.2
- 王惠;张伟;宋高杰;董越杰;胡启红;王兵 - 新特能源股份有限公司
- 2016-11-30 - 2019-08-16 - C01B33/03
- 本发明提供一种多晶硅生产过程中的热能利用系统，其包括闪蒸槽、还原炉水泵、冷水泵进口调节阀、冷水泵、冷水换热器、热水泵进口调节阀和热水泵。相应地，提供一种多晶硅生产过程中的热能利用方法。本发明能够在多晶硅生产过程中的吸附柱再生环节减少甚至避免高温高压蒸汽的消耗，从而节约了运行成本。
- 一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法-201910461731.9
- 王清华 - 重庆大全泰来电气有限公司
- 2019-05-30 - 2019-08-02 - C01B33/03
- 本发明提供了一种电子级高纯多晶硅还原启动设备和启动方法，包括微波发生装置和还原装置；还原装置包括第一电源组件和至少一个还原炉；还原炉的炉体具有微波馈入口，微波馈入口具有至少一层密封罩，密封罩与炉体构成密封的腔体；微波发生装置产生的微波透过密封罩进入炉体内，对炉体内的发热体进行加热，以使发热体的温度达到启动温度；第一电源组件用于在发热体的温度达到启动温度后，对发热体进行低电压供电，以使多晶硅沉积在发热体表面，从而避免了高电压供电带来的安全隐患，保证了设备的安全运行；并且，由于微波发生装置位于还原炉外，且微波是在穿透密封罩后，进入密封的炉体内部的，因此，不会引入杂质，从而保证了生成的多晶硅的高纯度。
- 用于生产多晶硅的还原炉及改善多晶硅表面菜花的方法-201510564863.6
- 桑友雷 - 新特能源股份有限公司
- 2015-09-07 - 2019-07-23 - C01B33/03
- 本发明公开了一种用于生产多晶硅的还原炉及改善多晶硅表面菜花的方法，该还原炉包括底盘、硅芯、设置于底盘上的进料喷嘴和硅芯底座，硅芯底座将硅芯固定于底盘上，以底盘为基准面，进料喷嘴的高度为硅芯底座高度的1/2～1/4。本发明降低了多晶硅表面菜花占比，既能使得进料喷嘴喷出的物料能够到达硅芯顶部，又保证了还原炉内沉积反应的速度。还原炉运行过程中，本发明中的进料喷嘴的高度设置防止了进料喷嘴高度过低使得进料喷嘴喷出的物料的混合气到达不了还原炉顶部，本发明中的进料喷嘴的高度设置使得从还原炉底部进料喷嘴进来的混合气能够使还原炉顶部的气体层发生湍流，还原炉内硅芯顶部温度均匀，硅棒表面沉积均匀。
- 一种多晶硅还原炉的绝缘构件-201821174365.6
- 张仕勇;甄友志 - 成都润封电碳有限公司
- 2018-07-24 - 2019-07-16 - C01B33/03
- 本实用新型公开了一种多晶硅还原炉的绝缘构件，包括位于还原炉底盘与电极之间的第一瓷环、第二瓷环和电极绝缘套，所述第一瓷环为设置有环形凸台的两个半圆环组合而成，所述第一瓷环位于第二瓷环的上部且均套设在电极上，电极绝缘套位于第二瓷环的下部且套装在电极的下部；所述第一瓷环与第二瓷环之间设置有套设在第一瓷环外表面的密封套，所述密封套为紫铜密封圈或聚四氟乙烯套。本实用新型所公开的一种多晶硅还原炉的绝缘构件采用第一瓷环、第二瓷环形成双层保护，且在第一瓷环与第二瓷环之间设置具有弹性的聚四氟乙烯套或具有延展性的紫铜密封圈，使其形成密封好、绝缘效果好、隔热效果好的绝缘构件，延长了绝缘构件的使用寿命。
- 一种太阳能多晶硅片制备方法-201910200969.6
- 季丽 - 浙江海顺新能源有限公司
- 2019-03-16 - 2019-06-11 - C01B33/03
- 本发明公开了一种太阳能多晶硅片制备方法，包括以下步骤：冶炼提纯：取材石英砂，并将石英砂加入电弧炉中冶炼，使其提纯到98%并生成工业硅；二次提纯：将工业硅粉碎，将粉碎的工业硅加入无水氯化氢的流化床反应器中，生成拟溶解的三氯氢硅；三次提纯：过滤并冷凝拟溶解的三氯氢硅生成三氯氢硅（多级精馏）；还原：净化后的三氯氢硅采用高温还原工艺，以高纯SiHCl3在H2气体中还原沉积而生成多晶硅。本发明所述的一种太阳能多晶硅片制备方法，首先对反应杂质物进行处理，且处理所产生的H2可以作为前置反应中的反应物，这样使得该方法生产多晶硅造价更低，环保性更强。
- 一种等离子化学气相反应制备单质纳米粉体的方法-201910176310.1
- 于月光;张思源;彭浩然;张鑫;王彦军;胡晓蕾;贾坤乐 - 北京矿冶科技集团有限公司;北矿新材科技有限公司
- 2019-03-08 - 2019-05-31 - C01B33/03
- 本发明公开了一种等离子化学气相反应制备单质纳米粉体的方法，属于新材料制备技术领域。该方法以等离子作为热源，将高纯原料气体通入等离子高温区，使高纯原料气体和反应气体氢气发生气相还原反应：MClx+H2→M+HCl，生成的高纯单质蒸汽M在载流气体作用下经过冷却区，通过快速冷凝形核形成相应粉体，最终通过粉体的分离和收集装置获得单质纳米粉体。利用该方法制备的单质粉体纯度高，粒度在100nm以下，且均匀可控。
- 流化床反应器和用于制备多晶硅颗粒的方法-201580024472.3
- 西蒙·佩德龙;伯恩哈德·鲍曼;格哈德·福斯特普安特纳 - 瓦克化学股份公司
- 2015-06-19 - 2019-05-03 - C01B33/03
- 本发明涉及一种用于生产多晶硅颗粒的流化床反应器，所述流化床反应器包括反应器容器(1)、位于所述反应器容器(1)内的反应器管(2)和反应器底部(15)，其中中间夹套(3)位于所述反应器管(2)的外壁与所述反应器容器(1)的内壁之间；并且包括加热装置(5)、至少一个用于引入流化气体的底部气体喷嘴(9)、至少一个用于引入反应气体的二次气体喷嘴(10)、用于供应硅晶种颗粒的供料装置(11)、用于多晶硅颗粒的排出管线(14)以及用于排放反应器废气(16)的设备，其中所述反应器管(2)的主体由至少60重量％的碳化硅组成，且包含CVD涂层，所述CVD涂层具有至少5μm的层厚度，由至少99.995重量％的SiC组成，或其中所述反应器管(2)的主体由包含至少99.99重量％的α‑Al2O3的蓝宝石玻璃组成。本发明还涉及一种用于在这种流化床反应器中生产多晶硅颗粒的方法。
- 多晶硅生产设备的尾气热量回收系统及运行方法-201910016303.5
- 洪钰;张云天 - 江苏瑞吉格泰油气工程有限公司
- 2019-01-08 - 2019-04-23 - C01B33/03
- 本发明涉及一种多晶硅生产设备的尾气热量回收系统及运行方法。其系统包括还原炉，还原炉的尾气出口连接带有夹套管的尾气输送管路，夹套管连接冷却水入口和高温水出口；尾气输送管路经过换热器连接至尾气排放口；换热器的换热介质入口和出口分别连接冷却水入口和高温水出口；还原炉的原料入口管路经过缓冲器和汽化器与总进料口连接；缓冲器与还原炉原料进口管路之间设置有两条支路，其中一条直接连接原料入口管路，另一条经过所述换热器并能够与换热器内的尾气和高温水交换热量后并入原料入口管路；高温水出口通入闪蒸槽能够用于产生饱和蒸汽。本发明能够高效回收利用多晶硅生产尾气热量、热量输出的稳定性，产生蒸汽更适于多晶硅生产工艺利用。
- 一种多晶硅生产方法-201710798943.7
- 大卫·米克森;本·菲尔斯曼 - 江苏中能硅业科技发展有限公司
- 2017-09-07 - 2019-03-15 - C01B33/03
- 本发明公开了一种多晶硅生产方法，包括如下步骤：在化学气相沉积反应器的高温环境，通过原料氯代硅烷与氢气发生热分解反应，生成多晶硅，反应产生的尾气经尾气回收系统处理，将分离的氯化氢和氢气混合气体直接返回至化学气相沉积反应器继续参与反应。采用本发明技术方案，回收的氯化氢和氢气混合气体不再进行分离，而直接作为原料参与沉积反应，极大地节约了成本。同时，氯化氢能够抑制反应器内的硅粉产生，消除雾化现象，逐而减少反应器内壁的硅沉积，减少产品的氯含量，提高了产品纯度。
- 连续生产粒状多晶硅的方法-201710800673.9
- 大卫·米克森;本·菲尔斯曼 - 江苏中能硅业科技发展有限公司
- 2017-09-07 - 2019-03-15 - C01B33/03
- 本发明公开了一种粒状多晶硅的生产方法，在流化床反应器中通过HCl‑TCS混合进料，利用HCl在一定温度下的延迟化学反应，有效抑制硅粉的生成，高效地生产出粒状多晶硅。采用本发明的粒状多晶硅的生产方法，能避免进气口区域的滞留区以及进气管道、喷嘴沉积硅粉导致团聚、结垢或堵塞等现象发生，含硅气体仅在流态化较好的区域发生沉积生成粒状多晶硅。
- 太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统-201710756829.8
- 相文强;宋高杰;侯雨;张伟;夏祥剑;孙荣义;陈朝霞;王惠 - 新特能源股份有限公司
- 2017-08-29 - 2019-03-05 - C01B33/03
- 本发明公开了一种太阳能级多晶硅和电子级多晶硅联产的方法和系统，1)将生产太阳能级多晶硅的尾气与生产电子级多晶硅的尾气混合通过尾气分离得到分离开的粗制氢气、粗制氯硅烷；2)通过氢气初级提纯得到太阳能级氢气；通过氯硅烷初级提纯得到太阳能级氯硅烷；3)将部分太阳能级氢气用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氢气中级提纯得到电子级氢气；将部分太阳能级氯硅烷用来作为生产太阳能级多晶硅的原料，其余部分通过氯硅烷中级提纯得到电子级氯硅烷；4)生产太阳能级多晶硅；生产电子级多晶硅。实现单套系统具备同时进行太阳能级多晶硅和电子级多晶硅的生产能力，在不进行电子级多晶硅生产期间仍可以生产太阳能级多晶硅。
- 多晶硅还原系统-201821118385.1
- 张金宝;方仕林;鲁瑞尧;隋宝勋 - 新疆合晶能源科技有限公司
- 2018-07-16 - 2019-01-22 - C01B33/03
- 本实用新型公开了一种多晶硅还原系统，涉及多晶硅生产技术领域，主要目的是提供一种能够降低生产过程中无定型硅粉产生的多晶硅还原系统。本实用新型的主要技术方案为：一种多晶硅还原系统，包括：还原单元；进气单元，进气单元包括气化部、混合部和换热部，气化部连接于混合部，用于将三氯氢硅气体通入混合部，换热部包括换热器和加热器，换热器的一端连接于混合部，用于加热三氯氢硅和氢气的混合气体，另一端连接于还原单元，用于将混合气体通入还原单元，加热器连接于换热器，用于加热换热器；尾气单元，尾气单元包括冷却部和回收部，冷却部连接于还原单元，回收部连接于冷却部。本实用新型主要用于多晶硅生产。
- 还原炉-201820631254.7
- 樊同帅;汪奇;兰志勇;豆欣妍 - 新疆晶科能源有限公司
- 2018-04-28 - 2018-12-11 - C01B33/03
- 本实用新型公开了一种还原炉，涉及机械领域，达到了降低还原炉工作时的热能损耗，进而降低运行成本的目的。本实用新型的主要技术方案为：一中还原炉，包括炉体、电极和隔热层；所述炉体包括第一底板，所述电极固定于所述第一底板；所述隔热层设置在所述第一底板上，并包裹所述电极。
- 金属粉末的制造方法-201780023089.5
- 小田开行;望月直人 - 株式会社德山
- 2017-04-07 - 2018-11-23 - C01B33/03
- 一种金属粉末的制造方法，其特征在于：通过将分别被单独加热的金属氯化物的气体(金属源气体)与还原气体(例如氢气)接触混合的气相还原，使微细金属颗粒瞬间生成，从反应后的气流中捕集该微细金属颗粒，从而得到BET比表面积为5～250m2/g的金属粉末。
- 多晶硅生产系统-201510324789.0
- 齐林喜;陈建宇;吉佳佳 - 内蒙古盾安光伏科技有限公司
- 2015-06-15 - 2018-11-06 - C01B33/03
- 一种多晶硅生产系统，包括还原装置、为还原装置供应蒸汽的蒸汽锅炉及为还原装置供应氢气的氢氧站，该蒸汽锅炉包括锅炉体及加热锅炉体的燃烧器。多晶硅生产系统还包括把氢氧站的氧气导入到燃烧器的输氧管。本发明的多晶硅生产系统，将氢氧站电解后的氧气通入蒸汽锅炉的燃烧器助燃，可以使燃料燃烧更为充分，起到节约燃料的效果，从而降低了生产成本。
- 多晶硅生产工艺-201510276738.5
- 齐林喜;赵亮 - 内蒙古盾安光伏科技有限公司
- 2015-05-27 - 2018-11-06 - C01B33/03
- 本发明提供多晶硅生产工艺，将精三氯氢硅和氢气按比例混合作为原料依次通过鼓泡汽化器、出入气换热器和CVD还原炉主炉；然后将精三氯氢硅和二氯二氢硅按比例混合作为辅料通过氯硅烷汽化器生产辅料气体；经过鼓泡汽化器生成的原料气体在CVD还原炉主炉内生成多晶硅，其副产物为中间尾气与辅料气体在静态混合器中混合后通入CVD还原炉辅炉；中间尾气与辅料气体在CVD还原炉辅炉内的硅芯表面发生反应生成多晶硅，其副产物为终极尾气与原料气体在出入气换热器内换热后再通入还原尾气回收系统，本发明可以提高多晶硅的生成率和沉积速率，也可以降低终极尾气的物料总量。
- 多晶硅生产系统-201510324419.7
- 齐林喜;吉佳佳 - 内蒙古盾安光伏科技有限公司
- 2015-06-15 - 2018-09-18 - C01B33/03
- 一种多晶硅生产系统，包括氢化装置、还原装置、提纯塔及为氢化装置供应蒸汽的蒸汽源。多晶硅生产系统还包括入气口与蒸汽源相连的第一蒸汽发电装置，该第一蒸汽发电装置出气口与还原装置或提纯塔相连。本发明的多晶硅生产系统，在蒸汽输送上利用蒸汽发电装置使蒸汽通过蒸汽发电装置后降温降压，满足不同工序的用气要求，减少了蒸汽的能量的损失，蒸汽发电装置发出的电可以补偿系统的电耗，节约生产成本。
- 一种耦合的多晶硅生产系统-201710053559.4
- 吴锋;田新;谢世鹏;李福中;吴鹏 - 江苏鑫华半导体材料科技有限公司
- 2017-01-24 - 2018-08-31 - C01B33/03
- 本发明公开了一种耦合的多晶硅生产系统，包含太阳能级多晶硅生产系统和电子级多晶硅生产系统，所述太阳能级多晶硅生产系统包括按以下方向顺序连接形成第一回路的第一精馏装置1、太阳能级还原装置2、第一尾气回收装置3和冷氢化装置4，所述电子级多晶硅生产系统包括按以下方向顺序连接形成第二回路的热氢化装置5、热氢化尾气分离装置6、第二精馏装置7、电子级还原装置8、第二尾气回收装置9、第三精馏装置10；所述第一精馏装置1连接到第二精馏装置7，所述热氢化尾气分离装置6连接到冷氢化装置4。本发明能够有效的降低电子级多晶硅的生产成本，降低电子级多晶硅的质量控制风险，同时提高太阳能级多晶硅生产系统的生产效率。
- 一种四氯化硅源恒温蒸发瓶-201720770923.4
- 陆时跃;徐年惠;简青青;从书 - 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂）
- 2017-06-28 - 2018-08-28 - C01B33/03
- 本实用新型提供了一种四氯化硅源恒温蒸发瓶，包括储液室、蒸发室、进气管、出气室；所述蒸发室安装在储液室的下端通过联络管道连接导通，所述出气室设置在蒸发室的上端中部，所述进气管设置在出气室内且其下端伸入蒸发室内。本实用新型通过进气管使氢气进出蒸发室，进气管和出气管形成同轴心双层结构，氢气从顶部通过该结构进入底部蒸发室携带出蒸发源并流出石英瓶。该蒸发瓶可满足工艺要求的四氯化硅0℃恒温蒸发，并由氢气携带进入外延生长系统进行生产作业，提高了外延工艺稳定性。
- 一种制备多晶硅的还原系统-201721747589.7
- 冯谨;杨刊;郝福涛 - 河北东明中硅科技有限公司
- 2017-12-14 - 2018-07-31 - C01B33/03
- 本实用新型公开了一种制备多晶硅的还原系统，包括底座，原料供应系统，原料混配装置和还原炉；原料供应系统包括氢气储罐和三氯氢硅储罐，原料混配装置包括换热箱，气压平衡箱，气体混合器和气体配比装置；换热箱包括换热箱体和换热箱盖；气压平衡箱包括平衡箱体，平衡箱盖，隔板和若干连接柱；气体混合器包括混合器壳体和混合叶片；气体配比装置包括调节杆、控制齿轮、氢气流量控制板、三氯氢硅流量控制板和直齿条；还原炉的炉壁上设有冷媒进管，冷媒出管和温度计。本实用新型实现对混合气体的快速、精确的摩尔配比控制及调节，同时充分利用无定型硅的特性，在还原炉内壁附着一层无定型硅，起到保温的作用，大大降低了整个生产过程中的能耗。
- 还原炉及使用该还原炉的多晶硅生产工艺-201610666386.9
- 齐林喜;贾海军 - 内蒙古盾安光伏科技有限公司
- 2016-08-15 - 2018-03-06 - C01B33/03
- 一种还原炉，用于多晶硅生产，包括还原炉底盘、设置在还原炉底盘上的还原炉钟罩及设置在还原炉底盘上的电极，电极的间距在80到200毫米之间。本发明还提供了使用该还原炉的多晶硅生产工艺。本发明的还原炉在多晶硅生产过程中，密度增大，硅棒之间辐射热量增大，热量和物料利用率增加，降低了生产成本。
- 一种多晶硅还原炉气流控制器-201610150026.3
- 许正清;杨紫琪;王勇 - 黄河水电光伏产业技术有限公司
- 2016-03-16 - 2018-02-23 - C01B33/03
- 本发明公开了一种多晶硅还原炉气流控制器，用于控制还原炉的尾气排放，所述还原炉包括底盘，所述底盘中设置有排气孔，其中，所述气流控制器包括圆筒状本体，所述圆筒状本体的底端设置为开口部，顶端设置有密封端盖，所述筒状本体的侧壁上设置有多个通孔，所述圆筒状本体的底端与所述排气孔承插连接，所述开口部与所述排气孔流体连通。该气流控制器通过改变反应气体的流动轨迹，延长喷射速率较低的气体在还原炉内停留的时间，以使该部分气体能够充分反应，提高多晶硅转化率；进一步地，该气流控制器还可以避免生产多晶硅过程中可能产生的硅渣掉落到排气孔中。
- 一种多晶硅生产中的还原炉进料方法-201510102981.5
- 周正平;李金忠 - 周正平;李金忠
- 2015-03-10 - 2018-02-06 - C01B33/03
- 本发明涉及多晶硅生产中的还原炉进料方法，分为如下三个阶段初始进料阶段该阶段的进料时间为从第0小时到第20小时，进料量为从0kg到800kg，且该阶段的整个进料过程中使得单位时间内进料量随着时间的增加成正比例地增加；平稳进料阶段该阶段的进料时间为从第20小时到第60小时，其中，进料量为从800kg到1200kg，且该阶段的整个进料过程中使得单位时间内进料量随着时间的增加保持不变；快速进料阶段该阶段的进料时间为从第60小时到第100小时，其中，进料量为从1200kg到2100kg，且该阶段的整个进料过程中使得单位时间内进料量随着时间的增加成正比例地减少。该方法可以减少多晶硅生产中的用料量，节省成本。
- 回收系统及回收方法-201510527559.4
- 杨永亮;张志刚;司文学;蒋国瑜;严大洲 - 中国恩菲工程技术有限公司
- 2015-08-25 - 2018-02-02 - C01B33/03
- 本发明提供了一种回收系统及回收方法。该回收系统包括冷凝单元，还原尾气通过冷凝单元后得到不凝气体和冷凝后液体，且冷凝单元的出口连接有不凝气体输出管道和冷凝后液体输出管道；吸脱附单元，与不凝气体输出管道连接，吸脱附单元用于将不凝气体中的氢气分离出来，不凝气体通过吸脱附单元发生吸附和脱附后得到脱附气体，且吸脱附单元的出口连接有氢气输出管道和脱附气体输出管道，且氢气输出管道连接于多晶硅还原系统的入口，脱附气体输出管道连接于四氯化硅氢化系统的入口。利用上述回收系统避免了液态氯硅烷物料的频繁升、降温，降低了干法回收系统中冷、热量的消耗，避免了其返回回收系统的冷凝单元浪费冷量，同时也避免了杂质的富集。
- 用于制备八氯三硅烷的方法和装置-201480023100.4
- J.E.朗;H.劳莱德;E.米;I.穆萨莱姆 - 赢创德固赛有限公司
- 2014-03-04 - 2018-01-02 - C01B33/03
- 本发明涉及通过对氯代硅烷施以热等离子体而由单体氯代硅烷有针对性地制备八氯三硅烷的方法和装置。
- 专利分类
