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[发明专利]一种硅化铈的合成方法-CN202210847933.9有效
发明人：章宣;罗烨栋;浩瀚;赵新田;杨弥珺;陈晶莹 -专利权人：宁波合盛新材料有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明属于物质合成技术领域，提供了一种硅化铈的合成方法。本发明的合成方法，将硅和含铈物料混合，进行压制成型，得到块体物料；在保护气氛下，将所述块体物料进行焙烧，得到所述硅化铈；所述含铈物料为铈粉或氧化铈；氧化铈时焙烧的压力为0～30mbar；铈粉时焙烧的压力为300～950mbar。本发明提供的制备方法不需要使用有毒的汞，也未引入氟和氯元素，以含铈物料(铈粉或氧化铈)和硅为原料进行制备，工艺简单、安全环保；同时，焙烧压力小，安全隐患低。实施例的数据表明，本发明提供的制备方法得到的硅化铈的纯度为97～98.6％，纯度高；所得硅化铈在第三代半导体碳化硅长晶中使用，达到了稳定晶型的目的。
一种硅化铈合成方法

[发明专利]生产铀硅化物的方法-CN202310693719.7在审
发明人： E·J·拉霍达;S·米德勒巴格 -专利权人：西屋电气有限责任公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产铀硅化物的方法。本文所述方法的特征可以在于使二氧化铀与碳反应以产生碳化铀，以及，使碳化铀与硅烷、卤化硅、硅氧烷或其组合以及过量的氢气反应以产生硅化铀。
生产铀硅化物方法

[发明专利]生产铀硅化物的方法-CN201880038949.7有效
发明人： E·J·拉霍达;S·米德勒巴格 -专利权人：西屋电气有限责任公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本文所述方法的特征可以在于使二氧化铀与碳反应以产生碳化铀，以及，使碳化铀与硅烷、卤化硅、硅氧烷或其组合以及过量的氢气反应以产生硅化铀。
生产铀硅化物方法

[发明专利]一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法-CN202011366770.X有效
发明人：周敏;陈均优;张庆猛;杨志民;杨剑 -专利权人：有研工程技术研究院有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法。该高纯二硅化钽粉末通过以下步骤制备：(1)将高纯硅粉和高纯钽粉按TaSi2的化学计量比称重；(2)将硅粉和钽粉混合后放入翻滚混料机中，同时加入高纯TaSi2粉末，TaSi2粉末加入量为硅粉和钽粉总重量的10％‑30％，加入玛瑙球进行混合8‑12h；(3)将混合后的粉末装入刚玉坩埚中，将装粉末的坩埚放入气氛烧结炉中，使用高纯氩气对气氛炉炉腔进行清洗，直至炉腔内氧含量低于30ppm；(4)在氩气气氛保护下以5℃/min的速率升温至1260‑1360℃，保温1‑8h，以5℃/min的速度降温至室温；(5)将烧结后的粉末使用行星球磨机球磨破碎。本发明的高纯二硅化钽粉末全部物相为TaSi2相，且除Ta和Si外其他杂质含量小于100ppm。
一种高纯二硅化钽粉末及其制备方法

[发明专利]硅包合物II的制造方法-CN202010863680.5有效
发明人：原田正则;吉田淳;铃木一裕;小坂大地;中西真二 -专利权人：株式会社丰田自动织机;丰田自动车株式会社
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：提供硅包合物II的新的制造方法。一种硅包合物II的制造方法，其特征在于，在含有Na及Si的Na‑Si合金与Na吸收剂以非接触的方式共存的反应系统内，通过加热上述Na‑Si合金，使从上述Na‑Si合金气化的Na与上述Na吸收剂反应来减少上述Na‑Si合金中的Na量。
硅包合物 ii 制造方法

[发明专利]一种二硅化钽纳米粉末的制备方法-CN202011319208.1有效
发明人：朱辉;李轩科;邓卓;侯家旺 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硅化钽纳米粉末的制备方法。它依次包括以下步骤：（1）分别称取硅粉和碳化钽粉，球磨混合均匀，得到混合粉料；（2）将所述混合粉料放入炭化炉中，抽真空，再通入保护气体至常压；（3）在保护气体气氛条件下，将炭化炉升温至900～1400℃，保温1～4h，冷却至室温。本发明制备方法工艺简单、反应条件温和、对环境友好，且所制得的产物二硅化钽纳米粉末颗粒均匀，纯度高，无团聚现象。
一种二硅化钽纳米粉末制备方法

[发明专利]宽温域抗氧化二氧化硅包覆二硅化钼粉体的制备方法-CN202210902938.7有效
发明人：张睿;郑添;汪奇尧;金双玲;王晓瑞;金鸣林 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽温域抗氧化高发射率二氧化硅包覆二硅化钼粉体的制备方法：①将二硅化钼粉末分散在由乙醇、氨水和导向剂四丙基溴化铵组成的溶液中；②将四乙氧基硅烷用一定量乙醇稀释；③搅拌条件下将步骤②所得的溶液滴加到步骤①所得分散液中，其中，四乙氧基硅烷水解缩聚形成二氧化硅并包覆在二硅化钼颗粒外表面；④经离心分离，水和乙醇洗涤，并烘干得到二氧化硅包覆二硅化钼样品；⑤将步骤④得到的样品在空气中高温热处理得到二氧化硅包覆二硅化钼粉体。本产品具有使用温度宽、抗氧化性能好和红外辐射率高的优点，是理想的高温热防护领域高红外辐射率涂料的重要组分。
宽温域抗氧化二氧化硅包覆二硅化钼粉体制备方法

[发明专利]利用金刚石线硅片切割废料和酸溶性钛渣生产C54-TiSi2-CN202310354929.3在审
发明人：朱奎松;曹丽;王军;赵英涛;程相魁;马兰;杨绍利 -专利权人：攀枝花学院
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用金刚石线硅片切割废料和酸溶性钛渣生产C54‑TiSi2的方法，属于二次金属资源再利用技术领域。本发明为实现金刚石线硅片切割废料和酸溶性钛渣的回收利用，并开发C54‑TiSi2的新生产路径，提供了一种利用金刚石线硅片切割废料和酸溶性钛渣制备高纯C54‑TiSi2的方法，其以酸溶性钛渣为原料，金刚石线切割废料为还原剂，经熔炼还原‑电磁强化分离‑碱浸‑二次定向凝固技术，制得高纯C54‑TiSi2。本发明实现了金刚线硅片切割废料和酸溶性钛渣的充分利用，并避免其他中间物和TiSi2其他晶型生成，得到高纯C54‑TiSi2，具有流程短、成本低、有价金属回收率高、易于大规模生产等特点。
利用金刚石硅片切割废料酸溶性钛渣生产 c54 tisi base sub

[发明专利]一种MoSi2-CN202210901963.3有效
发明人：张建军;全慈旺;王子乔;罗佳军;梁炳亮;陈卫华 -专利权人：南昌航空大学
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MoSi2@Nb核壳结构材料及其制备方法，制备方法包括如下步骤：S1.将SDS、MoSi2和水混合，机械搅拌成第一悬浮液；S2.将CTAB、Nb和水混合，机械搅拌成第二悬浮液；S3.将第一悬浮液和第二悬浮液混合，机械搅拌成第三悬浮液；S4.将第三悬浮液抽滤，干燥、煅烧、再洗涤抽滤、干燥，将得到的粉体与SDS和水混合，机械搅拌成第四悬浮液；S5.将第四悬浮液抽滤，干燥、煅烧、再洗涤抽滤、干燥，将得到的粉体与CTAB和水混合，机械搅拌成第五悬浮液；S6.将第五悬浮液烘干，煅烧、洗涤抽滤、干燥，过筛得到。本发明构建了稳定的核壳体系，为提高材料的性能奠定了坚实的基础。
一种 mosi base sub

[发明专利]一种耐锌液腐蚀性能优异的(FeCoNiCrMn)Si高熵硅化物及其制备方法-CN202211280053.4在审
发明人：王鑫铭;陈斯琪;胡静娴;尹付成;靳承霖;苏娜 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐锌液腐蚀性能优异的(FeCoNiCrMn)Si高熵硅化物及其制备方法，选用了Fe、Co、Ni、Cr、Mn、Si作为原料，其原子比的组分构成如下：Si占50％，Fe占8～12％，Co占10～13％，Ni占6～13％，Cr占8～12％，Mn占7～11％。通过真空熔炼得到铸态钮扣锭，然后进行均匀化退火，以制备出成分均匀的(FeCoNiCrMn)Si高熵硅化物。本发明实例得到的(FeCoNiCrMn)Si高熵硅化物在450度液锌中腐蚀10天的腐蚀速率均小于5.5μm/day，远好于316不锈钢的115.44μm/day，也好于MoB‑CoCr材料的5.77μm/day，但是成本低于MoB‑CoCr材料，有望取代MoB‑CoCr材料，且合金产品原料来源广、制备方法简单、产品用途广泛。
一种耐锌液腐蚀性能优异 feconicrmn si 高熵硅化物及其制备方法

[发明专利]一种块状室温铁磁性Si1-x-CN202210446512.5有效
发明人：向钢;张析;李加飞 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种块状室温铁磁性Si1‑xGexMy半导体、制备方法及其应用，该方法包括：S1：在含有无水乙醇的玛瑙球磨罐中加入玛瑙球、硅粉、锗粉和锰粉或者铁粉，并使球与料的质量比为8：1；S2：将上述玛瑙球磨罐放入行星球磨机中以200r/min的转速进行球磨；S3：将球磨后的含有无水乙醇的混合粉放入真空干燥箱中进行干燥得到干燥的混合粉；S4：将干燥混合粉放入石墨模具中使用放电等离子体烧结，放电等离子体烧结条件为：在50MPa的负载压力下，以100℃/min的加热速率加热到800℃，然后在800℃温度下真空烧结0.5h，烧结结束后，在0MPa的负载压力下自然冷却至室温，得到Si1‑xGexMy块体，M为Mn或Fe。本发明制备的Si1‑xGexMy半导体具有均匀的锰或铁掺杂分布、良好的结晶性和高温铁磁性。
一种块状室温铁磁性 si base sub

[发明专利]一种Cr5-CN202310061611.6在审
发明人：段曦东;黎博;李百灵 -专利权人：湖南大学
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种非层状二维材料制备领域，具体公开了一种Cr5Si3非层状二维材料及其制备和应用。本发明提供了一种全新的Cr5Si3非层状二维材料以及CVD制备方法，该材料具有优异的耐空气性能，此外，还具有良好的磁学以及拓扑霍尔效应。
一种 cr base sub

[发明专利]负极活性物质的制造方法-CN202211092873.0在审
发明人：原田正则;新村和宽;浦部晃太;山口泰弘;江口达哉;大泷光俊;吉田淳 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明涉及负极活性物质的制造方法。该负极活性物质的制造方法具备：使Na源和Si源反应以制造含有Na和Si的Na‑Si合金的合金化工序，和对所述Na‑Si合金进行加热以使所述Na‑Si合金中的Na量减少而生成硅包合物II的硅包合物生成工序，作为所述Si源，使用BET比表面积为20m2/g以上的多孔质Si。
负极活性物质制造方法

[实用新型]一种适用于Mg2-CN202222535976.1有效
发明人：施翊璇;郑俊彬 -专利权人：纯钧新材料（深圳）有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于Mg2Si基热电材料的反应容器，至少包括由外至内设置的外层氧化铝罐、中层石墨罐和内层石墨纸罐；外层氧化铝罐包括外层氧化铝罐体和外层氧化铝盖，外层氧化铝罐体与外层氧化铝盖密封连接；中层石墨罐包括中层石墨罐体和中层石墨盖，中层石墨罐体与中层石墨盖密封连接；内层石墨纸罐包括内层石墨纸罐体和内层石墨纸罐盖，内层石墨纸罐体和内层石墨纸罐盖封闭连接；本实用新型的反应容器，降低了成本，不与原料发生化学反应，避免产生杂质影响成品，结构简单，降低了操作难度，提高产品合成效率，在扩大反应物体量后，依旧保证足够的样品纯度和性能均匀性。
一种适用于 mg base sub

[发明专利]一种预锂化硅基负极材料及其制备方法-CN202211163707.5在审
发明人：王辉;王庆莉;林少雄;万文文;丁男 -专利权人：合肥国轩高科动力能源有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种预锂化硅基负极材料及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1、在惰性气氛下，将化合物Ⅰ溶解在有机溶剂中，然后加入三乙胺，混合均匀后加入锂源进行反应，得到混合液A；S2、将氧化亚硅与混合液A混合后进行反应，反应完毕后固液分离，将得到的固体物质干燥，得到粉体B；S3、将粉体B在惰性气氛下烧结，冷却后将得到的产物用异丙醇蒸汽洗涤，得到预锂化硅基负极材料。本发明的预锂化硅基负极材料用于锂离子电池，对锂离子电池的比容量、首效和循环稳定性均能得到明显提高。
一种预锂化硅基负极材料及其制备方法

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