[发明专利]一种多存储体集成电路自测试的调试诊断方法有效

专利信息
申请号: 201910419227.2 申请日: 2019-05-20
公开(公告)号: CN110085276B 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 胡春媚;郭阳;付志刚;李振涛;刘必慰;鲁建壮;陈小文;唐茜茜;宋睿强;池雅庆;梁斌;赵容;王丽萍 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G11C29/12 分类号: G11C29/12
代理公司: 长沙中科启明知识产权代理事务所(普通合伙) 43226 代理人: 任合明
地址: 410003 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种多存储体集成电路自测试的调试诊断方法,目的是解决现有多存储体自测试方法测试功耗大且无法识别出错位置和数量的问题。技术方案是在多存储体自测试系统中增加多存储体调试诊断控制器,去掉与门;多存储体调试诊断控制器由节拍控制器、串行移位器、pass诊断器、反向器和n个与门组成;然后根据多存储体集成电路中存储体的分布情况将多存储体的自测试分组,采用改进的多存储体集成自测试系统对多存储体集成电路自测试逐个分组进行调试诊断。采用本发明既可降低自测试功耗,避免局部发热和芯片损坏,又可定位存储体出错位置并获得出错存储体数量,有利于多存储体集成电路降级使用,大大节约成本。
搜索关键词: 一种 存储 集成电路 测试 调试 诊断 方法
【主权项】:
1.一种多存储体集成电路自测试的调试诊断方法,其特征在于包括以下步骤:第一步,对含有n个存储体的集成电路的多存储体自测试系统进行改进,方法是:在多存储体自测试系统中增加多存储体调试诊断控制器,去掉与门;多存储体调试诊断控制器外接测试机台,并与n个自测试控制器、n个选择器组相连;多存储体调试诊断控制器接收测试机台的自测试复位信号selftest_rst、自测试时钟信号selftest_clk、自测试配置输入信号shift_in和调试诊断结果输出的使能信号shift_out_en,为自测试控制器_1,…,自测试控制器_i,…,自测试控制器_n分别产生测试使能信号selftest_en_1,…,selftest_en_i,…,selftest_en_n,1<=i<=n;多存储体调试诊断控制器接收来自自测试控制器_1,…,自测试控制器_i,…,自测试控制器_n的pass_1,…,pass_i,…,pass_n信号,产生pass_all信号至测试机台;并将pass_1,…,pass_i,…,pass_n信号顺序移出,形成串行输出调试诊断信号shift_out_pass并发送至测试机台;多存储体调试诊断控制器由一个节拍控制器,一个串行移位器、一个pass诊断器、一个反向器和组成,n个与门用与门_1,…,与门_i,…,与门_n表示;节拍控制器与串行移位器相连,节拍控制器接收测试机台的selftest_rst、selftest_clk和shift_out_en信号,产生移位使能信号SE和移位时钟信号CK,发送给串行移位器;节拍控制器产生移位使能信号SE和移位时钟信号CK;串行移位器与节拍控制器相连,由n个移位器串联组成,形成链状,其连接方式是:移位器_j的SI端口连接到其左侧移位器_j+1的Q_j+1信号,1<j<n移位器_j的SE端口接收节拍控制器输出的SE信号,移位器_j的CK端口接收节拍控制器输出的CK信号,移位器_j的reset端口接收测试机台的selftest_rst信号;移位器_j产生的Q_j信号发送到其右侧移位器_j‑1的SI端口;移位器_n,…,移位器_j+1,移位器_j,…,移位器_1的D端口分别与自测试控制器_n,…,自测试控制器_j+1,…,自测试控制器_j,…,自测试控制器1的pass_n,…,pass_j+1,…,pass_j,…,pass_1信号相连;移位器_1输出Q_1作为shift_out_pass信号输出给测试机台,移位器_n的SI端口接收来自测试机台的shift_in信号;与门_n,…,与门_i,…,与门_1与串行移位器、反向器、pass诊断器相连,其中,与门i与串行移位器中第i个移位器、反向器、pass诊断器相连;与门i接收来自串行移位器中移位器_i的Q_i信号,接收来自反向器的SE的反向信号,产生memory_i的测试使能信号selftest_en_i;pass诊断器与门_1,…,与门_i,…,与门_n相连,接收与门_1,…,与门_i,…,与门_n的输出信号selftest_en_1,…,selftest_en_i,…,selftest_en_n,接收来自memory_1,…,memory_i,…,memory_n的pass_1,…,pass_i,…,pass_n,将selftest_en_1与pass_1执行逻辑“同或”操作,…,将selftest_en_i与pass_i执行逻辑“同或”操作,…,将selftest_en_n与pass_n执行逻辑“同或”操作,并将n个“同或”的结果执行逻辑“与”操作,生成pass_all信号;第二步,根据多存储体集成电路中存储体的分布情况将多存储体的自测试分成m组;第三步,采用改进的多存储体集成自测试系统对多存储体集成电路自测试进行调试诊断,方法是:3.1 初始化分组计数器变量k为1,初始化失效存储体集合F为空集,F用于存放失效存储体的序号,初始化失败存储体的数目s为0;3.2 测试机台接收测试员的指令,为第k分组设置n个节拍的shift_in信号即shift_in_k信号,将shift_in_k信号发送至多存储体调试诊断控制器;如果在第k分组中第i个存储器需要进行测试,测试机台将shift_in_k的第i个节拍设置为有效;3.3 节拍控制器从测试机台接收自测试复位信号selftest_rst,对从测试机台接收的自测试时钟信号selftest_clk进行计数,产生连续的n个移位时钟信号CK,同时产生移位使能信号SE,发送至串行移位器;3.4 串行移位器从测试机台接收自测试复位信号selftest_rst、从节拍控制器接收CK信号和SE信号,进入移位模式,将自测试配置输入信号shift_in_k按照CK信号节拍,依次从移位器_n的SI端推进到移位器_n的Q_n~移位器_1的Q_1端;shift_in_k的第1个时钟节拍包含memory_1是否需要自测试的配置信息,……,shift_in_k的第j个时钟节拍包含memory_j是否需要自测试的配置信息,……,shift_in_k的第n个时钟节拍包含memory_n是否需要自测试的配置信息,1<j<n;对于每个CK时钟的有效沿,移位器_1~移位器_n同时开启SI—>Q端的通路;在第1个CK时钟有效时,移位器_n将memory_1是否需要自测试的配置信息从移位器_n的SI端移至Q_n端;第2个CK时钟有效时,移位器_n将memory_2是否需要自测试的配置信息从移位器_n的SI端移至Q_n端,同时移位器_n‑1将memory_1是否需要自测试的配置信息从Q_n端移至移位器_n‑1的Q_n‑1端,……;第n个CK时钟有效时,移位器_n将memory_n是否需要自测试的配置信息从移位器_n的SI端移至Q_n端,……,同时移位器_j将memory_j是否需要自测试的配置信息从移位器_j的SI端移至Q_j端,……,同时移位器_1将memory_1是否需要自测试的配置信息从移位器_1的SI端移至Q_1端;即n个时钟节拍后,串行移位器将memory_1至memory_n中属于第k分组的存储体是否需要自测试的配置信息依次定位到移位器_1的Q_1至移位器_n的Q_n,shift_in_k串行移入过程结束;3.5 shift_in_k串行移入过程结束后,节拍控制器控制CK无效,控制SE为无效,反向器将SE信号反向,即反向器输出为有效,与门_i接收到来自移位器_i的Q_i信号和SE反向信号,执行逻辑“与”操作,形成selftest_en_i信号,发送至自测试控制器_i、选择器组_i、pass诊断器;3.6 自测试控制器_i接收selftest_en_i,若selftest_en_i有效,状态机FSM_i产生有效的控制信号i、地址信号i和数据信号i,地址信号i的初始值为memory_i的首地址;若selftest_en_i无效,状态机FSM_i输出的控制信号i、地址信号i和数据信号i均无效;3.7 选择器组_i接收selftest_en_i信号,执行对两个输入端口信号的选择。若selftest_en_i有效,选择器组_i选择来自自测试控制器_i的控制信号i、地址信号i和数据信号i,并将控制信号i、地址信号i和数据信号i作为控制选择i信号、地址选择i信号和数据选择i信号发送给memory_i;若selftest_en_i无效,选择器组_i选择来自其它部件的第二控制信号i、第二地址信号i和第二数据信号i,并将来自其它部件的第二控制信号i、第二地址信号i和第二数据信号i作为控制选择i信号、地址选择i信号和数据选择i信号发送给memory_i;3.8 memory_i接收来自选择器组_i的控制选择i信号、地址选择i信号和数据选择i信号,当控制选择i信号为写有效时,将数据选择i信号写入地址选择i信号指定的存储体地址中;当控制选择i信号为读有效时,将地址选择i指定地址中的存储体储存数据作为数据输出信号data_out_i输出给自测试控制器i;3.9 自测试控制器_i中的数据比较器_i接收来自存储体memory_i的data_out_i信号和来自状态机FSM_i的参考数据i,将data_out_i与参考数据i进行比较,如果data_out_i与参考数据i不同,则表示存储体memory_i的当前地址即地址选择i信号指定地址测试失败,置pass_i为低电平,转3.10;如果data_out_i与参考数据i相同,则表示存储体memory_i的当前地址成功通过自测试,状态机FSM_i进一步判断当前地址是否小于存储体memory_i的最后一个地址,如果小于memory_i的最后一个地址,则将地址信号i指定地址加1,转3.6;如果等于存储体memory_i的最后一个地址,置pass_i为高电平,表示存储体memory_i的所有地址成功通过自测试,转3.10;3.10 pass诊断器从自测试控制器_1,…,自测试控制器_i,…,自测试控制器_n分别接收pass_1,…,pass_i,…,pass_n,与从与门_1,…,与门_i,…,与门_n接收的selftest_en_1,…,selftest_en_i,…,selftest_en_n信号,执行如下的逻辑操作:第k分组的pass_all信号即pass_all_k=(selftest_en_1⊙pass_1)&(selftest_en_2⊙pass_2)&……&(selftest_en_n⊙pass_n);符号“⊙”表示逻辑操作“同或”,符号“&”表示逻辑操作“与”;当改进的多存储体集成自测试系统按照第k分组shift_in_k的自测试配置,完成第k分组shift_in_k指定存储体的自测试,并且指定存储体均测试成功后,pass诊断器输出的pass_all_k有效;否则,pass诊断器输出的pass_all_k无效;3.11 测试机台控制诊断调试输出使能信号shift_out_en为有效;节拍控制器接收到shift_out_en后,恢复时钟CK的输出并计数;在第1个CK计数周期,控制SE继续保持一个节拍的无效电平,串行移位器处于捕获模式,移位器_i将来自自测试控制器i的pass_i信号由移位器_i的D端捕获至Q_i端,即pass_i被捕获至移位器_i的Q_i端;此时,memory_1的自测试结果pass_1已经被捕获到移位器_1的Q端,即出现在shift_out_pass端口;在第1个计数周期结束后,节拍控制器控制SE信号变为有效电平并维持n‑1节拍,串行移位器变为移位模式,将memory_2~memory_n的自测试结果向右顺序移出;第2个CK后,移位器_1通过它的SI—>Q通路将memory_2的自测试结果pass_2移至shift_out_pass,同时左侧的移位器2~移位器n都将各自的SI端的数据锁存到Q端,效果是将包含pass_3~pass_n信息的移位器2~移位器n的SI数据向右侧移动一个移位器的位置;第3个CK有效后,移位器_1通过它的SI—>Q通路将memory_3的自测试结果pass_3移至shift_out_pass,同时左侧的移位器2~移位器n都将各自的SI端的数据锁存到Q端,效果是包含pass_4~pass_n信息的各个移位器的SI数据向右侧移动一个移位器的位置,……,第n个CK后,移位器_1通过它的SI—>Q通路将memory_n的自测试结果pass_n移至shift_out_pass;即经过n个周期后,串行移位器通过shift_out_pass串行移出第k分组存储体的自测试调试诊断结果shift_out_pass_k,第k分组的多存储体自测试的调试诊断结束;3.12 测试机台判断第k分组的pass_all_k信号是否有效,若pass_all_k信号有效,则第k分组需要测试的存储体均自测试成功,转3.14;若pass_all_k信号无效,则表明第k分组内有自测试失败的存储体,转3.13;3.13 测试机台结合shift_in_k和shift_out_pass_k定位第k分组失效的存储体的位置,方法是:3.13.1 令i=1;令第k组失效存储体集合F_k为空集,F_k用于存放第k组失效存储体的序号;令失败存储体的数量s_k为0;3.13.2 测试机台判断shift_out_pass_k的第i个节拍的电平,若shift_out_pass_k的第i个节拍的电平为低,且shift_in_k的第i个节拍的电平为高,则测试机台诊断出第k分组中的memory_i测试失败,即第i个存储体失效,将i添加到失效存储体集合F_k中,令s_k=s_k+1;转3.13.3;若shift_out_pass_k的第i个节拍的电平为低,且shift_in_k的第i个节拍的电平为低,则测试机台判断第k分组中的memory_i不需要自测试,不判定为第i个存储体失效,直接转3.13.3;3.13.3 判定i是否小于n,若小于n,令i=i+1,转3.13.2;若i等于n,则已诊断出第k分组所有失败存储体的位置,即得到了F_k,且得到了第k分组失败存储体的数量s_k;3.14 测试机台判断k是否小于m,若小于m,令k=k+1,令F=F∪F_k,s=s+s_k,转3.2;若k等于m,则表明所有测试分组结束,输出F和s,若F为空集,则表明所有存储体成功通过自测试,若F不为空,F中的序号即为未通过自测试的存储体序号,且s是未通过自测试的存储体的数量,多存储体的自测试结束。
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  • 朴焕旭;金龙进;尹珍成;李奎东 - 三星电子株式会社
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  • 存储器模块包括半导体存储器设备、电源管理集成电路(PMIC)和控制设备。安装在电路板上的半导体存储器设备基于电源电压操作。安装在电路板上的PMIC生成电源电压,向半导体存储器设备提供电源电压,并存储与在测试模式下半导体存储器设备正常操作时的电源电压的最小电平相关联的修调控制码。在测试模式期间,PMIC调整电源电压的电平,使用调整的电源电压测试半导体存储器设备,并基于测试结果存储调整控制码。控制设备基于从外部设备接收的第一控制信号来控制PMIC。
  • 存储器失效测试方法及装置、存储介质及电子设备-202210225517.5
  • 周成功 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-09 - 2023-09-19 - G11C29/12
  • 本公开涉及一种存储器失效测试方法、存储器失效测试装置、计算机可读存储介质及电子设备。该存储器失效测试方法,包括:在存储器的存储阵列中写入预设存储数据;升高位线电压,控制存储阵列的部分字线进入测试模式;等待预设时间后退出测试模式;关闭预设部分位线的灵敏放大器,读取剩余部分位线的数据;将读取的剩余部分位线的数据与预设存储数据进行比较,获得比较结果;根据比较结果对存储器的失效状态进行判定。本公开可以提高存储器失效状态的测试效率和测试准确性。
  • 存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置-202210225011.4
  • 方雅祺;马茂松;刘建斌 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-07 - 2023-09-19 - G11C29/12
  • 本公开实施例提供一种存储器同步开关噪声的测试方法以及测试装置,所述测试方法包括:确定存储器的一个数据输入输出端作为第一数据端,其余数据输入输出端作为第二数据端,并确定所述第一数据端的传输频率为第一频率,所述第二数据端的传输频率为第二频率;其中,所述第一频率高于所述第二频率;向所述第一数据端写入第一预设数据,向所述第二数据端写入第二预设数据;从所述第一数据端读取写入的所述第一预设数据;根据从所述第一数据端读取的数据对应的频谱信息,确定所述存储器是否存在同步开关噪声。本公开实施例通过区别第一数据端和第二数据端的传输频率,根据数据读写过程中的频谱信息,确定存储器是否存在同步开关噪声。
  • 一种数据存储方法和PDB电源板-202310706230.9
  • 沈文棋 - 苏州浪潮智能科技有限公司
  • 2023-06-14 - 2023-09-12 - G11C29/12
  • 本发明实施例提供一种数据存储方法和PDB电源板,涉及数据存储技术领域,包括:CPLD复杂可编程逻辑元件接收来自PDB电源板上的多个指示信号,并检测多个指示信号中是否包含热插拔指示信号;在检测到多个指示信号中包含热插拔指示信号的情况下,从布设在PDB电源板上的热插拔集成电路芯片中获取PDB电源板的系统状态数据;将系统状态数据发送给布设在PDB电源板上的存储器,并存储在存储器内。本发明实施例能够在检测到热插拔指示信号的情况下,将PDB电源板的系统状态数据存储在存储器内,从而在PDB电源板发生故障时,能够根据存储器内存储的PDB电源板的系统状态数据,完整且快速精确地进行事故原因的分析。
  • 数据传输/测试电路、方法及存储装置-202210196746.9
  • 陆天辰;邹晓赛 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-03-01 - 2023-09-12 - G11C29/12
  • 本公开实施例涉及一种数据传输/测试电路、方法及存储装置,字线数据读出模块用于在各存储体中字线被激活的情况下,响应读命令读出多条被激活字线上的数据后,按照预设压缩方式将读出数据压缩成第一预设位数的并行数据;时钟控制模块用于根据预设时钟信号、读命令、压缩模式使能信号及压缩模式控制信号生成一级时钟控制信号、二级时钟控制信号及三级时钟控制信号;数据选择模块用于根据一级时钟控制信号将并行数据压缩成第二预设位数的串行数据,根据二级时钟控制信号将第二预设位数的串行数据压缩成第三预设位数的串行数据,及根据三级时钟控制信号将第三预设位数的串行数据压缩成第四预设位数的串行数据,减小数据传输电路体积,降低数据传输能耗。
  • 芯片存储器的测试方法、存储介质-202310786652.1
  • 吴松林;杨嵩;冯树萱;杨凡;郑朝霞 - 深圳国微福芯技术有限公司
  • 2023-06-29 - 2023-09-08 - G11C29/12
  • 本发明公开了一种芯片存储器的测试方法、存储介质。本发明提出的芯片存储器的测试方法,包括:读取芯片的电路设计文件,并找到芯片的所有存储器;对所有存储器进行分组,包括:兼容性分组和/或复用性分组;所述兼容性分组的定义为将可被同一个控制器控制、可同时进行测试、对电路参数的要求具有一致性的存储器划分在同一组;所述复用性分组的定义为将可复用同一个接口电路来连接控制器的存储器划分在一组;基于存储器的分组,生成对应的接口电路及控制器电路;基于控制器电路及接口电路对分组后的存储器进行测试。本发明可以有效提高芯片存储器的测试效率。
  • 存储器数据读取电路、芯片及硬件测试方法-202210122420.1
  • 请求不公布姓名 - 浙江地芯引力科技有限公司
  • 2022-02-09 - 2023-09-08 - G11C29/12
  • 本申请提出一种存储器数据读取电路、芯片及硬件测试方法,该电路包括:接口模块,与上位机连接,用于接收上位机发送的命令数据和测试启动数据,并将读取结果反馈至上位机;读取控制模块,分别与接口模块和待测硬件的存储器连接,根据测试启动数据确定存储器的地址数据,并控制存储器开启数据读取功能;数据寄存器组,分别与接口模块和存储器连接,读取存储器中的相应内容,并将读取结果发送至接口模块;主控状态机,分别与接口模块、读取控制模块及数据寄存器组连接,根据命令数据进行对应的状态跳转,以开启读取控制模块和数据寄存器组的工作时序。本申请电路结构简单,只需要发送简单的命令便可以测试任意地址的数据,通用性较好。
  • 半导体存储器件及其操作方法-201910654101.3
  • 金光淳 - 爱思开海力士有限公司
  • 2019-07-19 - 2023-09-08 - G11C29/12
  • 本申请提供了一种半导体器件及其操作方法。一种半导体存储器件包括:内部电路;写入控制电路,其适用于在正常写入操作期间基于写入选通信号来将写入数据写入内部电路,并且在测试写入操作期间基于读取选通信号来将测试数据写入内部电路;以及读取控制电路,其适用于在正常读取操作或测试读取操作期间产生读取选通信号以及将该读取选通信号与从内部电路读取的读取数据一起输出,被在测试写入操作期间产生读取选通信号以及向写入控制电路提供该读取选通信号。
  • 存储器-202011173788.8
  • 田凯;汪玉霞 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-10-28 - 2023-09-08 - G11C29/12
  • 本发明实施例提供一种存储器,包括:时钟产生电路,用于产生第一振荡信号和第二振荡信号,所述第一振荡信号与所述第二振荡信号的频率相同、相位相反,且其占空比均在第一预设范围内;差分输入电路,用于接收第一外部信号和第二外部信号,并产生第一内部信号和第二内部信号;其中,所述时钟产生电路还用于监测所述第一内部信号和/或所述第二内部信号的占空比,并使得所述第一内部信号和/或所述第二内部信号的占空比在第二预设范围内。本发明实施例中,存储器具有DCM功能以及DCA功能,且还能够实现对差分输入电路的检测和校准。
  • 固态硬盘的测试方法-202310511840.3
  • 吴之鉴;宋魏杰;赖鼐;龚晖 - 深圳市晶存科技有限公司
  • 2023-05-08 - 2023-09-05 - G11C29/12
  • 本申请公开了一种固态硬盘的测试方法,将待测试的固态硬盘进行分区,并在固态硬盘的一个分区中安装操作系统,并生成用于对固态硬盘执行起始测试模式的第一测试参数;调用测试软件,并设置测试软件的当前测试对象为固态硬盘;根据第一测试参数设定测试软件以起始测试模式对固态硬盘进行第一次测试,得到第一次测试结果;监控测试软件的第一次测试结果,当第一次测试结果为通过测试,生成用于从待执行的测试模式中选出一个测试模式的连带指令;根据连带指令生成对应的测试参数,并根据测试参数设定测试软件以对固态硬盘进行测试,实现测试模式的自动切换,以保证固态硬盘的测试可靠性。
  • 增强相邻存储单元之间漏电的方法及漏电检测方法、装置-202210172926.3
  • 刘欢欢;王伟洲 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-02-24 - 2023-09-05 - G11C29/12
  • 本申请实施例公开了一种增强相邻存储单元之间漏电的方法及漏电检测方法、装置,所述增强相邻存储单元之间漏电的方法包括:对存储阵列进行写入操作,形成列条纹测试图形;所述列条纹测试图形为低电平存储单元和高电平存储单元按列排布,相邻两列低电平存储单元之间有N列高电平存储单元,N≥2;对所述低电平存储单元和所述高电平存储单元进行电压调节,以增加所述低电平存储单元和所述高电平存储单元之间的电势差。
  • 半导体器件的测试方法、设备及存储介质-202310387274.X
  • 杨杰 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-04-12 - 2023-09-05 - G11C29/12
  • 本公开提供了一种半导体器件的测试方法、设备及存储介质,方法包括:向与测试字线连接的第一存储单元写入第一数据,向与边缘虚拟字线连接的第二存储单元写入第二数据,测试字线与边缘虚拟字线相邻。控制边缘虚拟字线开启,第一存储单元通过预设位线与第二存储单元电连接,以使第一存储单元与第二存储单元进行电荷分享,于第一存储单元中形成测试数据;当测试数据与第一数据相反时,确定边缘虚拟字线处于电位可控状态。本公开中,当第一存储单元中形成的测试数据与第一数据相反时,表明第二存储单元成功写入第二数据,即可确定边缘虚拟字线处于电位可控状态。本公开的测试方法可以准确地对边缘虚拟字线的状态进行测试,以确保老化测试的正常进行。
  • 存储器阵列的测试方法、装置、设备及存储介质-202210020259.7
  • 刘东;楚西坤 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-10 - 2023-09-05 - G11C29/12
  • 本公开提供一种存储器阵列的测试方法、装置、设备及存储介质,所述测试方法包括:将待测存储器阵列中存储单元的电容其中一个极板电压调整至高电压;按照第一预设方式将所述待测存储器阵列中存储单元存入少于预充电量的电荷;基于预设数据拓扑,将所述预设数据拓扑中数据按照第二预设方式向所述待测存储器阵列执行预设读写操作;将所述待测存储器阵列中存储单元存入少于预充电量的电荷,读取数据;根据读取的数据和第一预设方式写入数据,确定所述待测存储器阵列是否正常。本公开对存入少于预充电量的电荷后的存储器阵列执行预设读写操作,使得存储器阵列中存储单元的电容电压不断变化,提高电容上极板漏电失效情况的暴露几率。
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