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[发明专利]一种控制方法、半导体存储器和电子设备-CN202210501554.4在审
发明人：严允柱;王琳;张志强;龚园媛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种控制方法、半导体存储器和电子设备，该方法包括：对第三模式寄存器中的第三操作码和第一模式寄存器中的第四操作码进行译码；响应于半导体存储器处于预设测试模式，在第三操作码符合第一译码条件的情况下，控制数据掩码引脚的阻抗为第一值；或者，在第三操作码符合第二译码条件的情况下，根据第四操作码，控制数据掩码引脚的阻抗为第二值；其中，第三操作码用于指示数据掩码引脚是否为预设测试模式中的测试对象，第四操作码用于指示是否使能数据掩码引脚。这样，针对于预设测试模式提供了数据掩码引脚的阻抗控制策略，在预设测试模式下能够测试数据掩码引脚的阻抗，避免出现电路处理错误。
一种控制方法半导体存储器电子设备

[发明专利]一种控制方法、半导体存储器和电子设备-CN202210498332.1在审
发明人：严允柱;王琳;张志强;龚园媛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种控制方法、半导体存储器和电子设备，在半导体存储器处于预设测试模式时，允许与数据引脚相关的第一模式寄存器和第二模式寄存器直接定义数据掩码引脚的阻抗，对数据掩码引脚来说无需针对预设测试模式来增加输出驱动状态的定义及相关控制电路，保证预设测试模式与数据掩码引脚适配，在预设测试模式下能够测试数据掩码引脚的阻抗，避免出现电路处理错误。
一种控制方法半导体存储器电子设备

[发明专利]一种控制方法、半导体存储器和电子设备-CN202210307306.6在审
发明人：严允柱;王琳;张志强;龚园媛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C29/12 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种控制方法、半导体存储器和电子设备，针对于预设测试模式提供了数据掩码引脚的阻抗控制策略，不仅能够定义数据掩码引脚在预设测试模式中的阻抗，而且明确了DDR5中用于控制数据掩码引脚使能与否的控制信号和PODTM中用于控制数据掩码引脚是否为测试对象的控制信号的关系，在预设测试模式下能够测试数据掩码引脚的阻抗，避免出现电路处理错误。
一种控制方法半导体存储器电子设备

[发明专利]存储器和存储器的制造方法-CN202110998261.7在审
发明人：季汝敏;龚园媛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请实施例涉及存储器领域，提供一种存储器和存储器的制造方法，至少可以提高电压转换的效率。存储器包括：基板，所述基板上具有封装壳，所述封装壳与所述基板围成封闭区域；芯片，所述芯片上具有负载；所述芯片位于所述封闭区域内；升压转换器，所述升压转换器中的至少部分结构集成在所述芯片上，所述升压转换器用于向所述负载提供电压；所述升压转换器至少包括电感和开关焊点，所述电感包括相对的第一端和第二端，所述电感的所述第二端与所述开关焊点电连接，所述开关焊点集成在所述芯片上；所述升压转换器位于所述封闭区域内。
存储器制造方法

[发明专利]使能控制电路以及半导体存储器-CN202110776925.5在审
发明人： 龚园媛;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F1/3287 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种使能控制电路以及半导体存储器，该使能控制电路包括：计数模块，用于对当前的时钟周期进行计数，确定时钟周期计数值；选择模块，用于根据第一设置信号，确定时钟周期计数目标值；控制模块，用于在ODT引脚信号的电平状态发生翻转的情况下，控制ODT路径处于使能开启状态，并启动计数模块；以及当时钟周期计数值达到时钟周期计数目标值且ODT引脚信号的电平状态无变化时，控制ODT路径由使能开启状态转换为关闭状态；当时钟周期计数值达到时钟周期计数目标值且ODT引脚信号的电平状态再次发生翻转时，控制ODT路径继续处于使能开启状态。这样，不仅可以省电，还可以解决某些情况下第二次ODT引脚电平翻转时ODT路径的使能无法开启问题。
控制电路以及半导体存储器

[发明专利]使能控制电路以及半导体存储器-CN202110778540.2在审
发明人： 龚园媛;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种使能控制电路以及半导体存储器，该使能控制电路包括：计数模块，用于对当前的时钟周期进行计数，确定时钟周期计数值；选择模块，用于根据第一设置信号，确定时钟周期计数目标值；控制模块，与计数模块和选择模块连接，用于在ODT引脚信号的电平状态发生翻转的情况下，控制ODT路径处于使能开启状态，并启动计数模块；以及当时钟周期计数值达到时钟周期计数目标值时，控制ODT路径由使能开启状态转换为关闭状态。这样，根据时钟周期计数值是否达到时钟周期计数目标值来控制ODT路径的使能状态，使得在不需要ODT路径工作的时候控制其关闭，从而可以避免电流浪费，达到节省功耗的目的。
控制电路以及半导体存储器

[发明专利]数据传输电路、数据处理电路和存储器-CN202110609555.6在审
发明人：尚为兵;李红文;冀康灵;何军;龚园媛;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种数据传输电路、数据处理电路和存储器。数据传输电路包括：数据写入电路用于传输待写入数据至全局数据线；校验写入电路用于传输校验数据至全局数据线，校验写入电路和数据写入电路均为第一电路；第一电路响应于预充电使能信号生成上拉使能信号，使能有效的上拉使能信号控制第一上拉电路输出全局数据信号；第一电路还响应于写使能信号，根据待写入数据生成上拉使能信号和下拉使能信号，并将全局数据信号传输至全局数据线，使能有效的下拉使能信号控制第一下拉电路输出全局数据信号；数据写入电路和校验写入电路中第一上拉电路的驱动能力相等，校验写入电路中第一下拉电路的驱动能力强于数据写入电路中第一下拉电路的驱动能力。
数据传输电路数据处理存储器

[发明专利]数据传输电路、数据处理电路和存储器-CN202110609883.6在审
发明人：尚为兵;李红文;冀康灵;何军;龚园媛;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本申请实施例涉及一种数据传输电路、数据处理电路和存储器，所述数据传输电路，包括：数据写入电路，用于传输待存储数据至全局数据线组，所述全局数据线组包括第一全局数据线和第二全局数据线，成对设置的所述第一全局数据线和所述第二全局数据线传输互为反相的数据，所述待存储数据通过所述全局数据线组传输至所述数据存储单元进行存储；校验写入电路，用于传输校验数据至校验存储单元连接的全局数据线组，以对所述校验数据进行存储，所述校验数据与所述待存储数据相对应；其中，所述数据写入电路和所述校验写入电路用于同步向对应的全局数据线组传输数据，且所述校验写入电路的驱动能力强于所述数据写入电路的驱动能力。
数据传输电路数据处理存储器

[发明专利]比较电路与负电压生成系统-CN202110501634.5在审
发明人： 龚园媛;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本公开提供一种比较电路与负电压生成系统，所述比较电路的输入电压连接输入晶体管的源极。本公开实施例可以降低比较电路的功耗。
比较电路电压生成系统

[发明专利]驱动电路-CN202110032626.0在审
发明人： 龚园媛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本申请提供一种驱动电路，包括：驱动单元、预驱动模块和阻值选择电路。所述驱动单元的上拉电阻可调节；所述预驱动模块与M个所述驱动单元连接，通过驱动控制信号控制所述M个所述驱动单元的的上拉电阻和上拉电阻的阻值，所述M为大于1的整数；所述阻值选择电路与所述预驱动模块连接，用于根据选择信号选择第一编码和第二编码之一输出作为目标编码，所述预驱动模块根据所述目标编码输出所述驱动控制信号。本申请的驱动电路可以提高DRAM数据读写的速度、完整性和准确性。
驱动电路

[发明专利]存储系统-CN202110049107.5在审
发明人：冀康灵;何军;龚园媛;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种存储系统，包括：存储器，被配置为，在读写操作期间写入或读取多个数据，多个数据分为M个字节，且每一字节具有N个数据；编码模块，被配置为，在编码阶段，基于每一个字节中的若干数据产生X个第一校验码，在编码阶段，基于若干字节中的所有数据产生Y个第二校验码，还基于多个数据、X个第一校验码以及Y个第二校验码产生第三校验码；第一校验码、第二校验码以及第三校验码用于判断多个数据的错误状态，且当多个数据有1位错误时，Y个第二校验码用于定位该1位错误所属的具体字节，X个第一校验码用于定位该1位错误所属的具体比特位。本发明实施例有利于提升存储系统的性能。
存储系统

[发明专利]纠错系统-CN202110050726.6在审
发明人：冀康灵;何军;龚园媛;应战 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种纠错系统，应用于存储系统，且纠错系统基于存储系统产生X个第一运算码、Y个第二运算码以及第三运算码；纠错系统包括错误状态判断单元以及M个译码单元；错误状态判断单元用于判断当前的错误状态，且当所述多个数据具有1位错误时，M个译码单元用于对X个第一运算码以及Y个第二运算码进行译码处理，以获取该译码单元对应的字节中是否具有出错的数据并对出错的数据的比特位进行定位。本发明实施例能够检测出1位错误并进行纠错，且还能够检测出2位错误。
纠错系统

[实用新型]一种英语教学使用的英语学习机-CN202122865569.2有效
发明人：屈仁雄;鞠曾;冯兰;龚园媛 -专利权人：重庆化工职业学院
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种英语教学使用的英语学习机，属于教学设备技术领域，包括:底座，所述底座包括支撑座，以及设于所述支撑座顶部的升降柱；固定框架，所述固定框架设于所述底座上方并相连，其中，所述固定框架包括半口字形固定框，以及设于所述固定框中并与所述固定框活动连接的口字形连接架，所述固定框的底部与所述升降柱的顶部相连；学习设备，所述学习设备设于所述连接架中；驱动部，所述驱动部与所述连接架相连。本实用新型通过在底座中设置升降柱，通过在固定框架中设置学习设备，通过设置驱动部调节学习设备的角度，解决了因反光或者身高问题等原因造成的学生视角效果不佳的技术问题，实现了提高学生观看学习设备清晰度的技术效果。
一种英语教学使用英语学习机

[实用新型]驱动电路及其存储器-CN202120079234.5有效
发明人： 龚园媛 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本申请提供一种驱动电路及其存储器，包括：驱动单元、预驱动模块和阻值选择电路。所述驱动单元的上拉电阻可调节；所述预驱动模块与M个所述驱动单元连接，通过驱动控制信号控制所述M个所述驱动单元的上拉电阻和上拉电阻的阻值，所述M为大于1的整数；所述阻值选择电路与所述预驱动模块连接，用于根据选择信号选择第一编码和第二编码之一输出作为目标编码，所述预驱动模块根据所述目标编码输出所述驱动控制信号。本申请的驱动电路及其存储器可以提高DRAM数据读写的速度、完整性和准确性。
驱动电路及其存储器

[实用新型]一种英语教学用新型评价装置-CN202120279111.6有效
发明人：张记;屈仁雄;龚园媛 -专利权人：重庆化工职业学院
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： G09B19/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及英语教学技术领域，尤其是指一种英语教学用新型评价装置。它解决了现有装置评价内容单一的问题。它包括装置本体、观测槽、连接槽、字母牌、遮挡槽以及遮挡板。本实用新型的字母牌便于形成连贯的句子、单词或词组，提供了使用者更多的评价选择方式，加强了学生及其使用者对英文教学的兴趣，提高了英文教学的趣味。
一种英语教学新型评价装置

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