[发明专利]栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910261759.8 | 申请日： | 2019-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN111769043B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 赵永敏;汪军;陈永强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法，所述栅介质层的形成方法包括：提供基底，在所述基底上形成栅介质层，所述栅介质层具有目标物理厚度和目标电学厚度；对所述栅介质层进行掺氮处理，并通过调整所述掺氮处理的掺杂剂量，适于使所述栅介质层的电学厚度等于所述目标电学厚度；其中，所述栅介质层的目标物理厚度满足：在所述掺氮处理后，氮在所述栅介质层中向所述基底表面扩散的纵向距离小于所述目标物理厚度。本发明实施例有利于在保证所述栅介质层的电学厚度满足电性需求的同时，改善所述栅介质层和基底界面处的界面缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 形成 方法 半导体 结构 及其 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910261759.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种EHT PPDU的检测方法及相关产品
- 下一篇：一种番茄红素食用油
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
