[发明专利]纵向可集成功率器件在审
| 申请号： | 201910171878.4 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110034175A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 李俊宏;胡斌;刘奎方 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 纵向可集成功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括源区，漂移区，沟道区，漏区，栅区，栅介质，连接漏区的漏区引出线与栅区同处于漂移区的上方，连接源区的源区引出线位于漂移区的下方。本发明通过将纵向功率器件的高电平电极与低压电路置于晶圆的同一侧，使纵向功率器件与低压控制电路可以单片集成，从而用纵向可集成的功率器件替代传统的横向功率器件，提高器件的集成功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移区 漏区 集成功率器件 纵向功率器件 引出线 源区 栅区 半导体功率器件 低压控制电路 横向功率器件 单片集成 低压电路 功率器件 电极 传统的 高电平 沟道区 可集成 连接源 栅介质 晶圆 成功率 替代 | ||
【主权项】：
1.纵向可集成功率器件，包括源区(2)，漂移区(3)，沟道区(4)，漏区(7)，栅区(8)，栅介质(9)，其特征在于，连接漏区(7)的漏极引出线(6)与栅区(8)同处于漂移区(3)的上方，连接源区(2)的源极引出线(1)位于漂移区(3)的下方。
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