[发明专利]用于半导体鳍状物的环绕式接触部结构在审
| 申请号： | 201910162952.6 | 申请日： | 2019-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN110350034A | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | R·梅汉德鲁 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/088 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了用于半导体鳍状物的环绕式接触部结构以及制作用于半导体鳍状物的环绕式接触部结构的方法。在示例中，一种集成电路结构包括具有突出穿过沟槽隔离区的第一部分的半导体鳍状物。栅极结构在所述半导体鳍状物的所述第一部分的顶部之上并且沿着所述第一部分的侧壁。源极区或漏极区在所述栅极结构的第一侧，所述源极区或漏极区包括处于所述半导体鳍状物的第二部分上的外延结构。所述外延结构具有与所述半导体鳍状物的所述第二部分对准的大体上竖直的侧壁。导电接触部结构沿所述半导体鳍状物的所述第二部分的侧壁并且沿所述外延结构的大体上竖直的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍状物 侧壁 外延结构 环绕式 栅极结构 漏极区 源极区 竖直 集成电路结构 导电接触部 沟槽隔离区 结构描述 对准 穿过 制作 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：半导体鳍状物，其具有突出穿过沟槽隔离区的第一部分；栅极结构，其在所述半导体鳍状物的所述第一部分的顶部之上并且沿所述第一部分的侧壁；源极区或漏极区，其在所述栅极结构的第一侧，所述源极区或漏极区包括处于所述半导体鳍状物的第二部分上的外延结构，所述外延结构具有与所述半导体鳍状物的所述第二部分对准的大体上竖直的侧壁；以及导电接触部结构，其沿所述半导体鳍状物的所述第二部分的侧壁并且沿所述外延结构的所述大体上竖直的侧壁。
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