[发明专利]用于晶圆等离子体刻蚀的方法和设备在审
| 申请号： | 201910113708.0 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111564354A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 周云;解文骏;睢智峰 | 申请（专利权）人： | 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）自*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于晶圆等离子体刻蚀的方法和设备，包括腔体，等离子体产生装置，进气环装置，晶圆加热盘，晶圆旋转装置，磁铁盘装置和屏蔽结构；所述等离子体装置在腔体内产生感应耦合等离子体，所述进气环装置，采用圆环状结构，在圆环内壁有多个出气口，改善工艺气体分布的均匀性；所述晶圆放置在加热盘装置上并通过晶圆旋转装置实现晶圆旋转，所述加热盘的内部装有磁铁盘装置，形成一个额外的磁场，并以此来改善晶圆刻蚀的均匀性。屏蔽结构设置在腔体顶部、靠近介质罩的位置，用于对介质罩的内表面进行部分屏蔽，以避免金属反溅物在介质罩的内壁上形成连续金属镀层，从而保证射频能量耦合和刻蚀工艺的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 等离子体 刻蚀 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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