[发明专利]半导体器件和操作方法在审
| 申请号： | 201910062307.7 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN110085583A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 汉斯-马丁·瑞特;安德里亚斯·齐默尔曼 | 申请（专利权）人： | 安世有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张娜;顾丽波 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件布置和一种操作半导体器件布置的方法。所述半导体器件可以被布置为用于双向操作。所述半导体器件布置可以包括：场效应集体管，其包括第一输入端子和第二输入端子；控制端子；连接在所述第一端子和所述控制端子之间的第一二极管；以及连接在所述第二端子和所述控制端子之间的第二二极管；其中所述第一端子和所述第二端子被配置和布置为连接到相应的信号线。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 控制端子 二极管 输入端子 双向操作 场效应 信号线 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件布置，其用于双向操作，所述半导体器件布置包括：场效应晶体管，其包括第一端子和第二端子；控制端子；第一二极管，其连接在所述第一端子和所述控制端子之间；以及第二二极管，其连接在所述第二端子和所述控制端子之间；其中，所述第一端子和所述第二端子被配置和布置为连接到相应的信号线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安世有限公司，未经安世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910062307.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
