[发明专利]一种基于双电层薄膜晶体管的施密特触发器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910047232.5 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN109801976A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 高雅;万青;聂莎;何勇礼 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/34;H01L21/441;H03K3/3565;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 刘珊珊 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出本发明提供一种基于双电层薄膜晶体管的施密特触发器及其制备方法。利用双电层晶体管的双电层电容效应及离子弛豫，在双电层晶体管的漏极或源极端串联一个分压电阻，构建简单的施密特触发器电路。所述双电层薄膜晶体管包括从下至上依次层叠设置的衬底、栅电极、栅介质层和半导体层，半导体层上表面还设置有源极和漏极；所述栅介质层为具有离子耦合效应，可以形成双电层电容效应的固态电解质材料。本发明只需要一个双电层晶体管即可实现施密特触发器，减少了电路中晶体管和电阻的数量，降低了工作电压、芯片面积、功耗及电路复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 双电层 晶体管 施密特触发器 薄膜晶体管 双电层电容 半导体层 栅介质层 漏极 制备 离子 施密特触发器电路 固态电解质材料 电路复杂度 分压电阻 工作电压 依次层叠 耦合效应 上表面 源极端 栅电极 衬底 弛豫 电阻 功耗 构建 源极 串联 电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种基于双电层薄膜晶体管的施密特触发器，其特征在于，包括双电层薄膜晶体管和串联在双电层薄膜晶体管的漏极(3)或源极(4)上的分压电阻；双电层薄膜晶体管为底栅结构，包括从下至上依次层叠设置的衬底(6)、栅电极(5)、栅介质层(1)和半导体层(2)，半导体层(2)上表面还设置有源极(3)和漏极(4)；所述栅介质层(1)由具有离子耦合效应且可以形成双电层的固态电解质材料制作而成；在栅电极(5)施加电压后，半导体与栅介质的界面处发生载流子/离子藕合，即双电层效应，利用双电层效应产生的离子弛豫结合分压电阻构建施密特触发器电路。
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