[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910044809.7 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111446204A | 公开（公告）日： | 2020-07-24 |
| 发明（设计）人： | 吴轶超;张天豪 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L23/528;H01L23/535 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一导电层以及位于第一导电层上的刻蚀停止材料层；在刻蚀停止材料层上形成缓冲材料层；在缓冲材料层上形成第二介电层，缓冲材料层的C含量少于第二介电层中的C含量；刻蚀第二介电层，形成露出缓冲材料层的开口；刻蚀缓冲材料层，形成缓冲层；刻蚀缓冲层露出的刻蚀停止材料层，形成露出第一导电层的沟槽，剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层，沟槽的侧壁包括刻蚀停止层的侧壁和缓冲层的侧壁；填充开口和沟槽，形成第二导电层。在刻蚀缓冲材料层，形成缓冲层的过程中，不易产生聚合物杂质，形成的沟槽侧壁与第一导电层上表面的夹角更小，优化了半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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