[发明专利]一种SOI功率开关的ESD保护器件有效
| 申请号： | 201910010757.1 | 申请日： | 2019-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109742071B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 蔡小五;刘海南;曾传滨;赵海涛;卜建辉;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种SOI功率开关的ESD保护器件，包括：P型衬底；P型衬底上的N型深阱；在N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第一P型本征掺杂区、第二N阱、第二P型本征掺杂区、第二P阱、第三N阱，第一P型本征掺杂区隔离第一P阱和第二N阱，第二P型本征掺杂区隔离第二N阱和第二P阱；第一P阱内包括第一P+注入区、第一N+注入区；第二P阱内包括第二N+注入区、第二P+注入区；第二N阱上有栅氧化层，第一P+注入区和第一N+注入区连接至阳极，第二N+注入区和第二P+注入区连接至阴极，提高了器件的维持电压，降低了器件的触发电压，提高了双向防护性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 功率 开关 esd 保护 器件 | ||
【主权项】：
1.一种SOI功率开关的ESD保护器件，其特征在于，包括：P型衬底；所述P型衬底上的N型深阱；在所述N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第一P型本征掺杂区、第二N阱、第二P型本征掺杂区、第二P阱、第三N阱，所述第一P型本征掺杂区隔离所述第一P阱和所述第二N阱，所述第二P型本征掺杂区隔离所述第二N阱和所述第二P阱；所述第一P阱内包括第一P+注入区、第一N+注入区；所述第二P阱内包括第二N+注入区、第二P+注入区；所述第二N阱上有栅氧化层，所述第一P+注入区和所述第一N+注入区连接至阳极，所述第二N+注入区和所述第二P+注入区连接至阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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