[发明专利]一种SOI功率开关的ESD保护器件

权利要求书

1.一种SOI功率开关的ESD保护器件，其特征在于，包括：

P型衬底；

所述P型衬底上的N型深阱；

在所述N型深阱上依次排布的第一N阱、第一P阱、第一P型本征掺杂区、第二N阱、第二P型本征掺杂区、第二P阱、第三N阱，所述第一P型本征掺杂区隔离所述第一P阱和所述第二N阱，所述第二P型本征掺杂区隔离所述第二N阱和所述第二P阱，所述第一P型本征掺杂区和所述第二P型本征掺杂区的宽度范围为1-10μm；

所述第一P阱内包括第一P+注入区、第一N+注入区；

所述第二P阱内包括第二N+注入区、第二P+注入区；

所述第二N阱上有栅氧化层，所述第一P+注入区和所述第一N+注入区连接至阳极，所述第二N+注入区和所述第二P+注入区连接至阴极，所述栅氧化层的长度范围为0.25～6μm。

2.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N阱的宽度范围为2-8μm。

3.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第一P型本征掺杂区和所述第二P型本征掺杂区具体为本征硅或掺杂浓度小于预设值的阱区。

4.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，在所述P型衬底下方依次设置有埋层、衬底。

5.如权利要求4所述的ESD保护器件，其特征在于，在所述第一N阱外侧和所述第三N阱外侧到达所述埋层上均设置有深沟槽隔离层。

6.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N阱两侧呈对称结构。

7.如权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，正向的ESD电流路径为所述第一P+注入区、所述第一P阱、所述第一P型本征掺杂区、所述第二N阱、所述第二P型本征掺杂区、所述第二P阱、所述第二N+注入区；反向的ESD电流泄放路径为所述第二P+注入区、所述第二P阱、所述第二P型本征掺杂区、所述第二N阱、所述第一P型本征掺杂区、所述第一P阱、所述第一N+注入区。