[发明专利]具有带有碳化硅MOSFET的逆变器块的功率转换器的控制方法在审

专利信息
申请号: 201880095250.4 申请日: 2018-04-30
公开(公告)号: CN112292804A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: R·G·瓦戈纳;东栋;G·贾尼雷迪;D·史密斯 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H02M7/493
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李啸;姜冰
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了用于操作功率转换器的系统和方法,所述功率转换器具有多个逆变器块,所述多个逆变器块具有碳化硅MOSFET。转换器可包括多个逆变器块。每个逆变器块可包括多个开关装置。多个开关装置可包括一个或多个碳化硅MOSFET。控制方法可包括:由控制系统向多个逆变器块中的第一逆变器块提供一个或多个选通命令。控制方法还可包括:由控制系统实施选通命令延迟,以至少部分地基于一个或多个选通命令来生成第一延迟选通命令。控制方法还可包括:由控制系统向多个逆变器块中的第二逆变器块提供第一延迟选通命令。
搜索关键词: 具有 带有 碳化硅 mosfet 逆变器 功率 转换器 控制 方法
【主权项】:
暂无信息
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