[发明专利]具有带有碳化硅MOSFET的逆变器块的功率转换器的控制方法在审
申请号: | 201880095250.4 | 申请日: | 2018-04-30 |
公开(公告)号: | CN112292804A | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | R·G·瓦戈纳;东栋;G·贾尼雷迪;D·史密斯 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H02M7/493 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李啸;姜冰 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了用于操作功率转换器的系统和方法,所述功率转换器具有多个逆变器块,所述多个逆变器块具有碳化硅MOSFET。转换器可包括多个逆变器块。每个逆变器块可包括多个开关装置。多个开关装置可包括一个或多个碳化硅MOSFET。控制方法可包括:由控制系统向多个逆变器块中的第一逆变器块提供一个或多个选通命令。控制方法还可包括:由控制系统实施选通命令延迟,以至少部分地基于一个或多个选通命令来生成第一延迟选通命令。控制方法还可包括:由控制系统向多个逆变器块中的第二逆变器块提供第一延迟选通命令。 | ||
搜索关键词: | 具有 带有 碳化硅 mosfet 逆变器 功率 转换器 控制 方法 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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