[发明专利]半导体装置、半导体晶片及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201880092140.2 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111954926A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 田渕慎一;阿多保夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所涉及的半导体装置具有：半导体基板，其具有主电流流过的有效区域和包围有效区域的无效区域；上表面电极层，其设置于半导体基板的上表面；以及背面电极层，其设置于半导体基板的背面，半导体基板具有：寿命控制层，其设置于有效区域，该寿命控制层与周围相比晶体缺陷密度较高；测定层，其设置于无效区域的上表面侧；以及晶体缺陷层，其设置于无效区域，该晶体缺陷层与周围相比晶体缺陷密度高，上表面电极层具有在测定层之上设置的多个测定用电极，测定层至少在设置多个测定用电极的部分具有导电层，从与半导体基板的上表面垂直的方向观察，晶体缺陷层设置于多个测定用电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
