[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201880091847.1 | 申请日： | 2018-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111937123A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 丸井俊治;林哲也;沼仓启一郎;倪威;田中亮太;竹本圭佑 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 孙杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：在主面形成有槽(100)的基板(10)、具有在槽(100)的底部配置的部分的第一导电型的漂移区域(20)、与漂移区域(20)连接而在槽(100)的一方的侧面配置的第二导电型的阱区(30)、与漂移区域(20)分离而在槽(100)的侧面配置在阱区(30)的表面的第一导电型的第一半导体区域(40)、在槽(100)的内部间隔着漂移区域(20)而与阱区(30)对置配置的第一导电型的第二半导体区域(50)、以及在跨越阱区(30)及第一半导体区域(40)各自的上表面而形成有开口部且在槽(100)的深度方向上延伸的栅极沟槽的内部配置并与阱区(30)对置的栅电极(60)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
