[发明专利]加工检查对象物的加热剥离方法在审
| 申请号： | 201880051111.1 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN110998799A | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 阿久津高志;冈本直也;中山武人 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;C09J5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 杨薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供具有以下的工序(I)及(II)的加工检查对象物的加热剥离方法。工序(I)：将多个加工检查对象物粘贴于粘合片的粘合剂层(X1)的粘合表面的工序，所述粘合片具有包含树脂及热膨胀性粒子的非粘合性的热膨胀性基材、和粘合剂层(X1)；工序(II)：将所述热膨胀性基材的一部分加热至所述热膨胀性粒子发生膨胀的温度以上，将所述多个加工检查对象物中的一部分选择性剥离的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 检查 对象 加热 剥离 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
