[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201880020569.0 | 申请日： | 2018-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN110476237B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 奥本凌二 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;B23K26/18;B23K26/21;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 张欣;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明抑制装置内部的损伤而将布线部件间适当地接合。将第1布线部件、第2布线部件(1a、2a)重叠。然后，在重叠的第1布线部件、第2布线部件(1a、2a)的与照射有激光(4)的照射区域(6)对置的对置区域(7)配置有保护部件(3)。保护部件(3)的熔点比构成对置区域(7)的第1布线部件、第2布线部件(1a、2a)中的至少一方的熔点高。向该照射区域(6)照射激光(4)。此时，由于保护部件(3)的熔点比构成对置区域(7)的第1布线部件、第2布线部件(1a、2a)中的至少一方的熔点高，所以保护部件(3)不被激光(4)熔融。因此，激光(4)不会贯穿保护部件(3)，另外，防止熔融的第2布线部件(2a)的熔融片的飞散、落下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：/n半导体元件；/n第1布线部件和第2布线部件，其与所述半导体元件电连接，且彼此接合；以及/n保护部件，其配置在接合后的所述第1布线部件和所述第2布线部件中的与照射有激光的照射区域对置的对置区域，且熔点比构成所述对置区域的所述第1布线部件和所述第2布线部件中的至少一方的熔点高。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社，未经富士电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880020569.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：安装装置以及安装系统
- 下一篇：拾取装置以及拾取方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
