[实用新型]一种半导体结构

摘要

本实用新型提供一种半导体结构，其至少包括：半导体衬底(100)，半导体衬底上形成有多个间隔排布的有源区，有源区内形成多个埋入式栅极组件；位于衬底上方的第一隔离层；位于同一有源区内相邻的埋入式栅极组件之间的至少部分有源区和部分浅沟槽隔离结构上的具有第一宽度的位线接触节点；在位线接触节点上方形成的具有小于第一宽度的第二宽度的直线型位线。形成的直线型位线与位线接触节点良好接触并很好地避开电容接触区。上述半导体结构减少了位线形成过程中的光学邻近效应修正难度，降低了形成难度，同时有效减小位线中的寄生电阻。有利于存储器尺寸的缩小，同时保证存储器良好的功能性。

主权项

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构至少包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有浅沟槽隔离结构，以隔离出多个间隔排布的有源区，所述有源区内具有多个埋入式栅极组件；第一隔离层，所述第一隔离层位于所述半导体衬底的上方；位线接触节点，所述位线接触节点位于同一所述有源区内相邻的所述埋入式栅极组件之间的至少部分有源区和部分浅沟槽隔离结构上，所述位线接触节点由所述第一隔离层隔离；位线，所述位线位于所述位线接触节点上方，将相邻所述有源区之间的所述位线接触节点连接；其中，所述位线接触节点具有第一宽度，所述位线具有第二宽度。