[实用新型]横向流动式原子层沉积装置有效
| 申请号： | 201821127837.2 | 申请日： | 2018-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN208649460U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陆雪强;潘晓霞;左雪芹 | 申请（专利权）人： | 江苏迈纳德微纳技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人： | 张天翔 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及横向流动式原子层沉积装置，包括进样系统、反应系统、抽气系统和控制系统，进样系统中的流量计出口通过载气管路与若干个并联设置的原子层沉积阀的载气进口连接，原子层沉积阀的前驱体接口处安装钢瓶阀门，原子层沉积阀的出口连接进样管路；反应系统中的底座主体上部设有反应腔室，底座主体内设有加热机构，上盖板铰连在底座主体上，底座主体上设有与反应腔室连通的进孔和出孔，进孔与进样管路连接；抽气系统中的吸气管路一端与出孔连接，另一端经真空Y型阀门、吸附过滤器、抽气管路与真空泵连接；控制系统中的控制柜安装在箱体内部，控制柜上设有电器开关面板。本实用新型反应腔室空间紧凑、源消耗量少、设备生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 底座主体 原子层沉积 反应腔室 原子层沉积装置 本实用新型 抽气系统 反应系统 横向流动 进样管路 进样系统 控制系统 出孔 进孔 电器开关面板 设备生产成本 流量计出口 吸附过滤器 真空泵连接 并联设置 抽气管路 出口连接 钢瓶阀门 加热机构 吸气管路 箱体内部 载气管路 载气进口 接口处 控制柜 前驱体 上盖板 消耗量 阀门 铰连 紧凑 连通 | ||
【主权项】：
1.横向流动式原子层沉积装置，包括进样系统、反应系统、抽气系统和控制系统，其特征在于：所述进样系统包括设置在箱体(1)内的流量计(2)、载气管路(3)、原子层沉积阀(4)和进样管路(5)，所述流量计(2)的进口处安装有用于连接载气的进气接头(6)，流量计(2)的出口通过载气管路(3)与若干个并联设置的原子层沉积阀(4)的载气进口连接，所述原子层沉积阀(4)的前驱体接口处安装有用于连接源钢瓶的钢瓶阀门(7)，原子层沉积阀(4)的出口连接进样管路(5)；所述反应系统包括底座主体(8)和上盖板(9)，所述底座主体(8)固定安装在箱体(1)顶部，底座主体(8)上部设有开口位于顶部的反应腔室(8a)，底座主体(8)内设有给反应腔室(8a)加热的加热机构，所述上盖板(9)铰连在底座主体(8)上，上盖板(9)盖合时将所述反应腔室(8a)密封；所述底座主体(8)上设有进孔和出孔，所述进孔与出孔在底座主体(8)上呈180°对称分布，进孔和出孔的上端均与反应腔室(8a)连通，进孔下端与进样管路(5)连接；所述抽气系统包括吸气管路(16)、真空Y型阀门(17)、吸附过滤器(18)、抽气管路(19)和真空泵(20)，所述吸气管路(16)一端与底座主体(8)上的出孔下端连接，吸气管路(16)另一端连接真空Y型阀门(17)，所述真空Y型阀门(17)的出口与吸附过滤器(18)的进口连接，所述吸附过滤器(18)的出口通过抽气管路(19)与所述真空泵(20)连接；所述控制系统包括控制柜(21)，所述控制柜(21)安装在箱体(1)内部，控制柜(21)上设有电器开关面板(24)，所述电器开关面板(24)上设有电源开关按钮和紧停按钮。
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- 杨中国;李金川 - 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
- 2017-11-01 - 2019-10-01 - C23C16/455
- 本发明提供一种等离子体增强化学气相沉积设备及OLED面板的封装方法。该等离子体增强化学气相沉积设备的阴极的延伸方向所在的直线倾斜于水平面，阳极板、栅板、绝缘板上设有连通腔体且延伸方向与阴极的延伸方向一致的通道，从而利用该设备进行OLED面板封装时，驱动转轴使OLED基板旋转，向腔体内通入惰性气体或氮气，向通道靠近基台的一端下方注入第一反应气体，利用第二反应气体注入口向阳极板的下方注入第二反应气体，并向阳极板与阴极之间施加直流电压，从而使惰性气体或氮气的等离子体沿通道的延伸方向喷出使第一反应气体与第二反应气体发生反应，能够在表面具有隔离柱的OLED基板上形成连续的无机阻挡层，有效地提高了封装效果。
- 一种用于MOCVD制备薄膜的流道可调反应腔装置-201910638245.X
- 袁文;莫思铭;蔡渊;周国山 - 苏州新材料研究所有限公司;江苏永鼎股份有限公司;东部超导科技（苏州）有限公司
- 2019-07-16 - 2019-09-27 - C23C16/455
- 本发明公开了一种用于MOCVD制备薄膜的流道可调反应腔装置，包括加热器、可调喷淋头、角度可调冷壁和弹性密封片；加热器上方设置有角度可调冷壁；可调喷淋头设置在角度可调冷壁的一侧部；可调喷淋头与角度可调冷壁和加热器之间设置有弹性密封片；角度可调冷壁的另一侧部，与加热器之间设置有流向出口；加热器外部设置有加热器外壳；可调喷淋头、加热器、加热器外壳、角度可调冷壁以及弹性密封片之间构成一个单端开口的空间。本案由于可调喷淋头不正对加热器和衬底基带，温升小，可近距离布置；气体扩散空间小，提高了金属有机源的利用率，降低成本；可调喷淋头、角度可调冷壁与衬底的方向、角度和距离都可调，方便的调整薄膜沉积的均匀性。
- 一种原子层沉积反应装置及通孔材料表面薄膜沉积工艺-201710256523.6
- 程传伟;张海峰 - 同济大学
- 2017-04-19 - 2019-09-27 - C23C16/455
- 本发明涉及本发明提供一种原子层沉积反应腔体设计装置以及针对超高深宽比通孔材料表面均匀镀膜工艺，其中，原子层沉积反应腔体设计装置包括：进气系统、排气系统、上反应腔、下反应腔、基板；其中，基板位于上反应腔内，进气系统用于提供所需反应前驱体和净化气体，反应前驱体和净化气体进入所述上反应腔，排气系统用于清除多余反应前驱体和净化气体，经所述下反应腔排除。本发明可以解决超高深宽比通孔材料内部表面无法均匀沉积镀膜问题。
- 一种适用于超大产量的原子层沉积设备的流道结构-201822193218.X
- 余伟 - 南京爱通智能科技有限公司
- 2018-12-25 - 2019-09-27 - C23C16/455
- 本实用新型公开一种适用于超大产量的原子层沉积设备的流道结构，包括若干组并列排布的载具组，每组所述载具组由多个载具组成，同组载具组内的各载具的底板和侧板首尾相接，围成中空的柱状结构；同组载具组内的各载具上同位置的两晶圆拼接形成整体，该位置晶圆上下的空间分别连通形成气流通道。由于没有多余气体流通空间，所有气体（含原料）都必然流经由晶圆（硅片）构成的气流通道，进而对晶圆（硅片）进行处理，最大限度利用原料；该结构从原理上客服了原料利用率低的问题，原料利用率可提升到95%以上。
- 一种用于液态前驱体的化学气相沉积反应炉-201910711977.7
- 宋也男;杨鑫良 - 华东师范大学
- 2019-08-02 - 2019-09-24 - C23C16/455
- 本发明公开了一种用于液态前驱体的化学气相沉积反应炉，适用于低压到常压的反应环境。该反应炉包括：反应室；设置于反应室前端、通过管路与反应室并联连接的液态前驱体钢瓶和气体钢瓶；设置于反应室后端、通过管路与反应室连接的蝶阀和连接蝶阀的真空泵；其中，液态前驱体钢瓶上设有两根管路，一根通往大气，一根连接反应室，与反应室连接的管路上设有双通阀，所述液态前驱体钢瓶设于水浴或油浴装置中；气体钢瓶通过管路连接反应室，在连接管路上设有双通阀；所述蝶阀与反应室之间设有压力表，蝶阀两端并联有针阀。本发明操作简便，适用范围广，能有效避免传统鼓泡法、注射泵法带来的各种缺陷。
- 改良喷嘴头的沉积系统-201822053069.7
- 卢彦勋;施森荣;陈彦良;大藤彻;谢明达 - 捷苙科技股份有限公司
- 2018-12-07 - 2019-09-24 - C23C16/455
- 本实用新型提供一种改良喷嘴头的沉积系统包括反应腔室、承载部、加热器、气体分配组件、化学物质传递模块、及热交换模块。承载部配置于反应腔室内，具有与反应腔室连接的支撑基座、及用以承载衬底的载盘；加热器配置于载盘下方，用以对衬底加热；气体分配组件配置在相对于承载部上方，包括多個第一喷头主体及多個第二喷头主体，每一第一喷头主体具有延伸穿过第一喷头主体的第一气体通道及喷嘴头，每一第二喷头主体具有延伸穿过第二喷头主体的第二气体通道及喷嘴头；化学物质传递模块与第一气体信道及第二气体信道连接，以将化学物质传递至反应腔室；热交换模块连接至反应腔室的壁及气体分配组件，用于调控反应腔室及气体分配组件的温度。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
